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技術(shù)(shù)簡(jiǎn)介

  • 使8051能訪問整個(gè)128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個(gè)寄存器\r\n

    8051工作于11.0592MHZ,RAM擴(kuò)展為128KB的628128,FlashRom擴(kuò)展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個(gè)區(qū)(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個(gè)區(qū)(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個(gè)128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個(gè)寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址

    標(biāo)簽： 128 FlashRom 8051 KB

    上傳時(shí)間： 2013-08-30

    上傳用戶：cainaifa

  • 自己現(xiàn)在用的CPLD下載線原理圖用74HC244芯片\r\n

    自己現(xiàn)在用的CPLD下載線，用74HC244芯片\r\n要注意設(shè)置下載模式

    標(biāo)簽： CPLD 244 74 HC

    上傳時(shí)間： 2013-08-31

    上傳用戶：dancnc

  • <快學(xué)易用Protel99se>\r\n

    \r\n經(jīng)典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學(xué)出版社出版

    標(biāo)簽： Protel 99 se

    上傳時(shí)間： 2013-09-11

    上傳用戶：Yukiseop

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動(dòng)態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個(gè)，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動(dòng)態(tài) 范圍)

    標(biāo)簽： THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時(shí)間： 2014-01-22

    上傳用戶：魚哥哥你好

  • 基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

    標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間： 2014-08-01

    上傳用戶：1109003457

  • 采用歸零法的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原理

    計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。

    標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原

    上傳時(shí)間： 2013-10-11

    上傳用戶：gtzj

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標(biāo)簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時(shí)間： 2013-10-31

    上傳用戶：summery

  • IPC介電常數(shù)測試方法

    IPC介電常數(shù)測試方法

    標(biāo)簽： IPC 介電常數(shù) 測試方法

    上傳時(shí)間： 2013-10-09

    上傳用戶：w50403

  • 高頻PCB基材介電常數(shù)與介電損耗的特性與改性進(jìn)展

    文章針對(duì)基板材料的介電常數(shù)與介電損耗的關(guān)系加以論述，并對(duì)它們與外部環(huán)境的關(guān)系做出相應(yīng)的闡述，使得在PCB的制造中對(duì)各種基板材料進(jìn)行合理正確的評(píng)估和使用。

    標(biāo)簽： PCB 高頻 基材 介電常數(shù)

    上傳時(shí)間： 2013-11-04

    上傳用戶：哈哈hah

  • 通過提升性能來縮減太陽能電池板的尺寸

    本設(shè)計(jì)要點(diǎn)介紹了兩款能夠增加太陽能電池板接收能量的簡單電路。在這兩款電路中，均由太陽能電池板給電池充電，再由電池在沒有陽光照射的情況下提供應(yīng)用電路運(yùn)作所需的電源。

    標(biāo)簽： 性能 減 太陽能電池板 尺寸

    上傳時(shí)間： 2013-11-16

    上傳用戶：KSLYZ

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