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心電檢測(cè)

  • keil C 與proteus環境下仿真單片機開發的5個實例

    keil C 與proteus環境下仿真單片機開發的5個實例,是單片機嵌入式開發的極有價值的參考資料。其中包括了流水燈、走馬燈、1602液晶屏驅動、ds1302、max7221的仿真開發實例,包括c語言代碼。

    標簽: proteus keil 環境 仿真

    上傳時間: 2013-09-30

    上傳用戶:fanboynet

  • ADC0809做AD轉換的C程序

    ADC0809做AD轉換的C程序

    標簽: 0809 ADC AD轉換 C程序

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:大融融rr

  • C波段頻率源設計及性能分析

    采用鎖相環技術設計了一種穩定、低噪聲的C波段頻率源。建立了鎖相環的相位噪聲模型并分析影響相位噪聲的因素,進行了鎖相環低通濾波器的設計。利用軟件對環路的穩定性和相位噪聲進行仿真,相位裕度在45°以上,環路工作穩定,且具有較好的相位噪聲特性

    標簽: C波段 頻率源 性能分析

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:吾學吾舞

  • 基于粒子群模糊C均值聚類的快速圖像分割

    模糊C-均值聚類算法是一種無監督圖像分割技術,但存在著初始隸屬度矩陣隨機選取的影響,可能收斂到局部最優解的缺點。提出了一種粒子群優化與模糊C-均值聚類相結合的圖像分割算法,根據粒子群優化算法強大的全局搜索能力,有效地避免了傳統的FCM對隨機初始值的敏感,容易陷入局部最優的缺點。實驗表明,該算法加快了收斂速度,提高了圖像的分割精度。

    標簽: 粒子群 模糊 均值聚類 圖像分割

    上傳時間: 2013-10-25

    上傳用戶:llandlu

  • pcb layout design(臺灣硬件工程師15年經驗

    PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:單、雙層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD,一般稱為散熱孔或導通孔。11. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點),其原則如下:1. 一般測試點大小均為30-35mil,元件分布較密時,測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上,避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

    標簽: layout design pcb 硬件工程師

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:pei5

  • 采用集成電流檢測來監視和保護汽車系統

    對於集成電路而言,汽車是一種苛刻的使用環境,這裡,引擎罩下的工作溫度範圍可寬達 -40°C 至 125°C,而且,在電池電壓總線上出現大瞬變偏移也是預料之中的事

    標簽: 集成 電流檢測 保護 汽車系統

    上傳時間: 2013-11-20

    上傳用戶:zhaiye

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

    經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

    標簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 2012TI杯陜西賽題C題--簡易直流電子負載

    2012TI杯陜西賽題H題,2012TI杯陜西賽題C題--簡易直流電子負載。

    標簽: 2012 TI 直流電子負載

    上傳時間: 2013-10-17

    上傳用戶:wangfei22

  • 跟我學數字電子技朮

    數字電子技朮

    標簽:

    上傳時間: 2013-10-09

    上傳用戶:1101055045

  • PIC16F876A制作數控電源(完整C程序+HEX+仿真+

    PIC16F876A制作數控電源(完整C程序+HEX+仿真+電路圖)

    標簽: F876 876A PIC 16F

    上傳時間: 2014-01-08

    上傳用戶:dumplin9

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