直接調(diào)制將基帶信號(hào)直接轉(zhuǎn)換為射頻信號(hào)，不需要二次頻率變換，與上變頻方式相比系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，降低了對(duì)濾波器的要求，具有體積小，重量輕，成本低等明顯的優(yōu)點(diǎn).1/Q正交調(diào)制的關(guān)鍵指標(biāo)是誤差矢量（EVM：Error Vector Magnitude）.本文研究的是微波波段的直接調(diào)制技術(shù)。利用基帶對(duì)L波段和s波段幾個(gè)不同的載波進(jìn)行直接調(diào)制。首先，在闡述1/Q正交調(diào)制基本原理的基礎(chǔ)上，通過對(duì)誤差矢量和鄰近信道功率泄漏的詳細(xì)分析，定性、定量地討論了各種非理想電路因素（如相位不平衡、幅度不平衡、直流偏差等）對(duì)調(diào)制器性能的影響；其次，介紹了鎖相環(huán)的工作原理和基本組成部分，包括鎖相環(huán)的設(shè)計(jì)和環(huán)路濾波器的設(shè)計(jì)，特別詳述了電荷泵鎖相頻率源；第三，介紹了采用直接調(diào)制技術(shù)模擬衛(wèi)星信號(hào)的射頻前端的設(shè)計(jì)；最后，對(duì)整個(gè)直接射頻調(diào)制系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果基本上達(dá)到了課題要求。關(guān)鍵詞：微波鎖相環(huán)，相位噪聲，直接調(diào)制
標(biāo)簽： 射頻調(diào)制
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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本文以質(zhì)量管理理論為基礎(chǔ)，針對(duì)手機(jī)芯片封裝行業(yè)過于繁瑣的海量質(zhì)量數(shù)據(jù)，建立以數(shù)據(jù)挖掘技術(shù)為基礎(chǔ)的質(zhì)量管理系統(tǒng)，通過對(duì)手機(jī)芯片封裝質(zhì)量數(shù)據(jù)的采集、分析和處理，對(duì)手機(jī)芯片的質(zhì)量缺陷和不合格產(chǎn)品進(jìn)行分析和統(tǒng)計(jì)，診斷造成產(chǎn)品不合格的原因。本文首先回顧了國(guó)內(nèi)外關(guān)于質(zhì)量管理的發(fā)展歷程及最新趨勢(shì)，并對(duì)手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理進(jìn)行了綜述。在對(duì)數(shù)據(jù)挖掘、合格率管理等方面進(jìn)行深入分析探討的基礎(chǔ)上，提出了手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)目標(biāo)、設(shè)計(jì)思路和功能模塊。本文的研究工作主要有以下幾個(gè)方面：1、對(duì)手機(jī)芯片封裝的制造過程、系統(tǒng)模式進(jìn)行了分析，著重研究了合格率管理和數(shù)據(jù)挖掘在手機(jī)芯片封裝中的應(yīng)用；2、運(yùn)用數(shù)據(jù)挖掘的方法，針對(duì)影響芯片封裝質(zhì)量的多個(gè)相關(guān)因素，進(jìn)行各因素的權(quán)重判定，確定哪些因素是影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素，針對(duì)影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素，通過對(duì)低合格率數(shù)據(jù)的提取與分析，定位封裝過程中可能造成不合格產(chǎn)品的關(guān)鍵點(diǎn)，為質(zhì)量改善提供依據(jù)：3、搜集W公司2006年5月到8月的手機(jī)芯片封裝測(cè)試數(shù)據(jù)，進(jìn)行實(shí)證研究，驗(yàn)證了所提出的研究方法的準(zhǔn)確性。
標(biāo)簽： 手機(jī)芯片封裝 質(zhì)量管理系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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