altera 微波學(xué)習(xí)資料 和課后答案 射頻電路設(shè)計(jì)_理論與應(yīng)用_課后習(xí)題答案 微波工程第三版課后習(xí)題答案
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上傳時(shí)間： 2018-04-22
上傳用戶：chengpeng
步進(jìn)電機(jī)控制 電路圖加器件 所有器件最小系統(tǒng)班，光電模塊，驅(qū)動(dòng)
標(biāo)簽： 電路圖 器件
上傳時(shí)間： 2018-04-30
上傳用戶：南陌塵護(hù)手霜
半導(dǎo)體器件物理課后習(xí)題(半導(dǎo)體器件,物理)
標(biāo)簽： 半導(dǎo)體器件 物理
上傳時(shí)間： 2018-11-22
上傳用戶：dawn_420
AD18器件庫(kù)，包含on semi絕大多數(shù)期間。原理圖和PCB庫(kù)均有。
標(biāo)簽： semi AD 18 器件
上傳時(shí)間： 2019-02-14
上傳用戶：fly_1013
RC5編碼格式的遙控器解碼、PCA9633器件控制代碼示例、串口通信程序示例、IIC通信示例
標(biāo)簽： 9633 RC5 PCA IIC 編碼 器件 代碼 串口通信 控制 程序
上傳時(shí)間： 2019-07-03
上傳用戶：zqy1818
Capture 基礎(chǔ)教程及CIS 器件庫(kù)
標(biāo)簽： Capture CIS 基礎(chǔ)教程 器件
上傳時(shí)間： 2019-07-30
上傳用戶：jyh1058
ad封裝庫(kù)，包含一些數(shù)碼管和蜂鳴器等聲亮器件的封裝庫(kù)和元件庫(kù)。
標(biāo)簽： ad封裝庫(kù)
上傳時(shí)間： 2020-06-23
上傳用戶：inkfz
這是ALTERA器件選型手冊(cè)，對(duì)于想做CPLD器件選型的朋友有幫助
標(biāo)簽： ALTERA 器件選型 手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2021-01-17
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873廠片式器件手冊(cè)
標(biāo)簽： 873 片式 器件手冊(cè) 產(chǎn)品目錄
上傳時(shí)間： 2021-06-28
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本書共11章。 第1章簡(jiǎn)要介紹了高電壓功率器件的可能應(yīng)用， 定義了理想功率開(kāi)關(guān)的電特性， 并與典型器件的電特性進(jìn)行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關(guān)斷 （GTO） 晶閘管結(jié)構(gòu)。 第5章致力于分析硅基IGBT結(jié)構(gòu)， 以提供對(duì)比分析的標(biāo)準(zhǔn)。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結(jié)構(gòu)。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于保護(hù)柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區(qū)，以避免擴(kuò)展擊穿。 這些器件的導(dǎo)通電壓降由溝道電阻和緩沖層設(shè)計(jì)所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導(dǎo)體控制晶閘（MCT） 結(jié)構(gòu)和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結(jié)構(gòu)， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導(dǎo)通和關(guān)斷。 第10章介紹了發(fā)射極開(kāi)關(guān)晶閘（EST）， 該種結(jié)構(gòu)也利用一種MOS柵結(jié)構(gòu)來(lái)控制晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷， 并可利用IGBT加工工藝來(lái)制造。 這種器件具有良好的安全工作區(qū)。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結(jié)構(gòu)。本書的讀者對(duì)象包括在校學(xué)生、 功率器件設(shè)計(jì)制造和電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的工程技術(shù)人員及其他相關(guān)專業(yè)人員。 本書適合高等院校有關(guān)專業(yè)用作教材或?qū)I(yè)參考書， 亦可被電力電子學(xué)界和廣大的功率器件和裝置生產(chǎn)企業(yè)的工程技術(shù)人員作為參考書之用。
標(biāo)簽： 大功率器件
上傳時(shí)間： 2021-11-02
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