聲控開關(guān)和光控開關(guān)的制作
標(biāo)簽： 聲控開關(guān) 光控開關(guān)
上傳時(shí)間： 2013-10-27
上傳用戶：shaoyun666
在用于光檢測(cè)的固態(tài)檢波器中，光電二極管仍然是基本選擇(圖1)。光電二極管廣泛用于光通信和醫(yī)療診斷。其他應(yīng)用包括色彩測(cè)量、信息處理、條形碼、相機(jī)曝光控制、電子束邊緣檢測(cè)、傳真、激光準(zhǔn)直、飛機(jī)著陸輔助和導(dǎo)彈制導(dǎo)。
上傳時(shí)間： 2013-10-26
上傳用戶：csgcd001
數(shù)碼短板印刷方案介紹（清華紫光）。
上傳時(shí)間： 2014-01-13
上傳用戶：bibirnovis
對(duì)高速PCB中的微帶線在多種不同情況下進(jìn)行了有損傳輸?shù)拇當(dāng)_仿真和分析, 通過(guò)有、無(wú)端接時(shí)改變線間距、線長(zhǎng)和線寬等參數(shù)的仿真波形中近端串?dāng)_和遠(yuǎn)端串?dāng)_波形的直觀變化和對(duì)比, 研究了高速PCB設(shè)計(jì)中串?dāng)_的產(chǎn)生和有效抑制, 相關(guān)結(jié)論對(duì)在高速PCB中合理利用微帶線進(jìn)行信號(hào)傳輸提供了一定的依據(jù).
標(biāo)簽： PCB 微帶線 串?dāng)_分析
上傳時(shí)間： 2013-10-26
上傳用戶：dragonhaixm
LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用............ 2 3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4 4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項(xiàng) (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設(shè)計(jì)............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU
上傳時(shí)間： 2013-12-20
上傳用戶：康郎
針對(duì)振動(dòng)能量采集器的輸出功率過(guò)低不足以直接驅(qū)動(dòng)無(wú)線傳感器的問(wèn)題，設(shè)計(jì)了振動(dòng)自供能無(wú)線傳感器的電源管理電路，根據(jù)調(diào)諧和阻抗變換原理對(duì)能量采集器進(jìn)行了阻抗匹配，以最大功率對(duì)儲(chǔ)能超級(jí)電容進(jìn)行充電，對(duì)能量存儲(chǔ)和電源管理電路的充放電特性進(jìn)行了理論分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。結(jié)果表明，該電路大幅度提高了采集器的輸出功率和對(duì)儲(chǔ)能超級(jí)電容充電的效率，當(dāng)0.47 F超級(jí)電容電壓達(dá)到0.6 V時(shí)，能量瞬間釋放電路控制超級(jí)電容瞬間放電，成功驅(qū)動(dòng)最大功耗為75 mW的無(wú)線傳感器工作。
標(biāo)簽： 振動(dòng) 無(wú)線傳感器 電源管理 電路
上傳時(shí)間： 2013-10-14
上傳用戶：wbwyl
為研究功率型鋰離子電池性能，對(duì)某35 Ah功率型鋰離子電池單體進(jìn)行了充放電特性試驗(yàn)和分析，由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內(nèi)阻特性和溫升特性。研究結(jié)果表明，低溫下電池的充放電內(nèi)阻較大，充放電性能衰減顯著；常溫下電池的內(nèi)阻較小，充放電溫升較小，大電流充放電的容量穩(wěn)定性好，質(zhì)量比能量高，作為電傳動(dòng)車輛主要或輔助動(dòng)力源具有良好的應(yīng)用前景。
上傳時(shí)間： 2013-11-13
上傳用戶：清風(fēng)冷雨
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過(guò)電流和過(guò)電壓條件下?lián)p壞的模式，并說(shuō)明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過(guò)程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過(guò)程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測(cè)試過(guò)電流和過(guò)電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動(dòng)態(tài)老化測(cè)試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長(zhǎng)時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會(huì)產(chǎn)生過(guò)電流和過(guò)電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過(guò)程。
標(biāo)簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分
上傳時(shí)間： 2013-11-14
上傳用戶：dongqiangqiang
功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)技術(shù)
標(biāo)簽： MOSFET 功率 保護(hù)技術(shù) 驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：wutong
微弧氧化是一種新型的表面處理方法，利用該電路可輸出雙端不對(duì)稱的高壓脈沖，且脈沖幅值、頻率、占空比均在一定范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。本文首先介紹了微弧氧化電源技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，然后對(duì)試驗(yàn)中使用過(guò)的幾種IGBT驅(qū)動(dòng)模塊M57959、2ED300、2SD315 3種驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)、工作原理和使用性能做了詳細(xì)分析對(duì)比。實(shí)驗(yàn)表明，Eupec系列的2ED300驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可靠性高，適用于大功率微弧氧化電源的驅(qū)動(dòng)。
標(biāo)簽： 鎂合金 氧化 可靠性分析 電源驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間： 2014-01-21
上傳用戶：hahayou
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