存儲器技術(shù).doc 計算機的主存儲器（Main Memory），又稱為內(nèi)部存儲器，簡稱為內(nèi)存。內(nèi)存實質(zhì)上是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲功能的集成電路。內(nèi)存的主要作用是用來存放計算機系統(tǒng)執(zhí)行時所需要的數(shù)據(jù)，存放各種輸入、輸出數(shù)據(jù)和中間計算結(jié)果，以及與外部存儲器交換信息時作為緩沖用。由于CPU只能直接處理內(nèi)存中的數(shù)據(jù) ，所以內(nèi)存是計算機系統(tǒng)中不可缺少的部件。內(nèi)存的品質(zhì)直接關(guān)系到計算機系統(tǒng)的速度、穩(wěn)定性和兼容性。 4.1 存儲器類型計算機內(nèi)部存儲器有兩種類型，一種稱為只讀存儲器ROM（Read Only Memiry），另一種稱為隨機存儲器RAM（Random Access Memiry）。 4.1.1 只讀存儲器只讀存儲器ROM主要用于存放計算機固化的控制程序，如主板的BIOS程序、顯卡BIOS控制程序、硬盤控制程序等。ROM的典型特點是：一旦將數(shù)據(jù)寫入ROM中后，即使在斷電的情況下也能夠永久的保存數(shù)據(jù)。從使用上講，一般用戶能從ROM中讀取數(shù)據(jù)，而不能改寫其中的數(shù)據(jù)。但現(xiàn)在為了做一日和尚撞一天鐘于軟件或硬件程序升級，普通用戶使用所謂的閃存（Flash Memiry）也可以有條件地改變ROM中的數(shù)據(jù)。有關(guān)只讀存儲器ROM的內(nèi)容將在第11章中介紹，本章主要介紹隨機存儲器。4.1.2 隨機存取存儲器隨機存取存儲器RAM的最大特點是計算機可以隨時改變RAM中的數(shù)據(jù)，并且一旦斷電，TAM中數(shù)據(jù)就會立即丟失，也就是說，RAM中的數(shù)據(jù)在斷電后是不能保留的。從用于制造隨機存取存儲器的材料上看，RAM又可分為靜態(tài)隨機存儲器SRAM（Static RAM）和動態(tài)隨機存儲器DRAM（Dymamic RAM）兩種。1. 動態(tài)隨機存儲器在DRAM中數(shù)據(jù)是以電荷的形式存儲在電容上的，充電后電容上的電壓被認為是邏輯上的“1”，而放電后的電容上的電壓被認為是邏輯上的“0”認。為了減少存儲器的引腳數(shù)，就反存儲器芯片的每個基本單元按行、列矩陣形式連接起來，使每個存儲單元位于行、列的交叉點。這樣每個存儲單元的地址做一日和尚撞一天鐘可以用位數(shù)較少的行地址和列地址兩個部分表示，在對每個單元進行讀寫操作時，就可以采用分行、列尋址方式寫入或讀出相應(yīng)的數(shù)據(jù)，如圖4－1所示?！ ∮捎陔娙莩潆姾?，電容會緩慢放電，電容 上的電荷會逐漸
標簽： 存儲器
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10pin jtag接口定義 表1 Rainbow Blaster 的10PIN 母頭接口定義引AS 模式 PS 模式 JTAG 模式腳 信號名 描述 信號名 描述 信號名 描述1 DCLK 時鐘信號 DCLK 時鐘信號 TCK 時鐘信號2 GND 信號地 GND 信號地 GND 信號地3 CONF_DONE 配置完畢 CONF_DONE 配置完畢 TDO 數(shù)據(jù)來自于器件4 VCC(TRGT) 目標電源 VCC(TRGT) 目標電源 VCC(TRGT) 目標電源5 nCONFIG 配置控制 nCONFIG 配置控制 TMS JTAG 狀態(tài)機控制6 nCE Cyclone 芯片使能/ /7 DATAOUT AS 數(shù)據(jù)輸出 nSTATUS 配置狀態(tài) /8 nCS 串行配置器件芯片使能/ /9 ASDI AS 數(shù)據(jù)輸入 DATA0 數(shù)據(jù)到器件 TDI 數(shù)據(jù)到器件10 GND 信號地 GND 信號地 GND 信號地
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自制89C51單片機實驗電路板 學(xué)習(xí)單片機離不開實驗，以往單片機的實驗往往依賴于仿真機和單片機學(xué)習(xí)系統(tǒng)，價格昂貴，初學(xué)者很難配備。近年來，隨著FLASH型單片機的廣泛應(yīng)用，采用軟件模擬加寫片驗證成為一種經(jīng)濟實用的實驗方法，以AT89C51單片機為例，其價格不足￥10RMB，而擦、寫次數(shù)可以有1000次，一塊芯片即可做上千次的實驗。目前，流行的單片機開發(fā)軟件Keil可以免費獲得用于學(xué)習(xí)的EVAL版；編程器價格并不昂貴，專門用于寫89C51類芯片的編程器價格更低廉（不足百元），而且編程器也是以后開發(fā)單片機所必備的工具；相比之下，用于實驗的電路板制作比較麻煩，用萬用板搭接，只能做些很簡單的電路，稍復(fù)雜的電路一般要用到雙面板，而業(yè)余條件下是很難自制雙面板的，而且實驗電路板主要是用于學(xué)習(xí)，學(xué)完了，也就沒有什么使用價值了，所以很多人希望能夠廉價地獲得。作者在多年單片機教學(xué)（包括從事網(wǎng)絡(luò)教學(xué)）的基礎(chǔ)上，開發(fā)了一塊有較多功能但使用單面板的單片機實驗板，適于業(yè)余愛好者自制。這塊實驗板采用89C51為主芯片，板上安裝了5位數(shù)碼管，8個發(fā)光二極管，四個按鈕開關(guān)，一個簡單的音響電路，一個用于計數(shù)實驗的振蕩器，At24CXXX類芯片插座，X5045芯片插座，RS232串行接口等。使用這塊實驗板可以進行流水燈、人機界面程序設(shè)計、音響、中斷、計數(shù)器等基本編程練習(xí)，還可以學(xué)習(xí)I2C接口芯片使用、SPI接口芯片使用、與PC機進行串行通訊等目前較為流行的技術(shù)。圖1是該實驗板的電路原理圖，從圖中可以看出，該實驗板由若干塊集成電路和一些阻容元件等組成，下面我們就分別介紹。1、發(fā)光二極管接口主芯片（U1）的P1端口接了8個發(fā)光二極管，這些發(fā)光二極管的負極接到P1端口各引腳，而正極則通過一個排電阻（標號為JP4，阻值為470毆）接到正電源端，這樣，這些發(fā)光二極管亮的條件就U1的P1口相引的引腳為低電平，即如果P1口某引腳輸出為0，相應(yīng)的燈亮，如果輸出為1，相應(yīng)的燈滅。例：MOV P1，#0FH該行程序?qū)⑹拱l(fā)光二極管L1-L4熄滅，而L5-L8點亮。2、數(shù)碼管接口U1的P0口和P2口的部份引腳構(gòu)成了5位LED數(shù)碼管驅(qū)動電路，這里L(fēng)ED數(shù)碼管采用了共陽型，共陽型數(shù)碼管的筆段（即對應(yīng)abcdefgh）引腳是二極管的負極，所有二極管的正極連在一起，構(gòu)成公共端，即片選端，對于這種數(shù)碼管的驅(qū)動，要求在片選端提供電流，為此，使用了PNP型三極管作為片選端的驅(qū)動，共使用5只三極管，所有三極管的發(fā)射極連在一起，接到正電源端，它們的基極則分別連到P2.0⋯P2.4，這樣，當P2.0⋯P2.4中某引腳輸出是高電平時，三極管不導(dǎo)通，不能給相應(yīng)位的數(shù)碼管供電，該位數(shù)碼管的所有筆段都不亮，反之，如果某引腳是低電平時，三極管導(dǎo)通，可以給相應(yīng)的數(shù)碼管供電，該位數(shù)碼管是否點亮，點亮哪些筆段，取決于這些筆段引腳是高或低電平。從圖圖1 共陽型數(shù)LED顯示器.....
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單片機應(yīng)用系統(tǒng)抗干擾技術(shù):第1章 電磁干擾控制基礎(chǔ). 1.1 電磁干擾的基本概念1 1.1.1 噪聲與干擾1 1.1.2 電磁干擾的形成因素2 1.1.3 干擾的分類2 1.2 電磁兼容性3 1.2.1 電磁兼容性定義3 1.2.2 電磁兼容性設(shè)計3 1.2.3 電磁兼容性常用術(shù)語4 1.2.4 電磁兼容性標準6 1.3 差模干擾和共模干擾8 1.3.1 差模干擾8 1.3.2 共模干擾9 1.4 電磁耦合的等效模型9 1.4.1 集中參數(shù)模型9 1.4.2 分布參數(shù)模型10 1.4.3 電磁波輻射模型11 1.5 電磁干擾的耦合途徑14 1.5.1 傳導(dǎo)耦合14 1.5.2 感應(yīng)耦合（近場耦合）15 .1.5.3 電磁輻射耦合（遠場耦合）15 1.6 單片機應(yīng)用系統(tǒng)電磁干擾控制的一般方法16 第2章 數(shù)字信號耦合與傳輸機理 2.1 數(shù)字信號與電磁干擾18 2.1.1 數(shù)字信號的開關(guān)速度與頻譜18 2.1.2 開關(guān)暫態(tài)電源尖峰電流噪聲22 2.1.3 開關(guān)暫態(tài)接地反沖噪聲24 2.1.4 高速數(shù)字電路的EMI特點25 2.2 導(dǎo)線阻抗與線間耦合27 2.2.1 導(dǎo)體交直流電阻的計算27 2.2.2 導(dǎo)體電感量的計算29 2.2.3 導(dǎo)體電容量的計算31 2.2.4 電感耦合分析32 2.2.5 電容耦合分析35 2.3 信號的長線傳輸36 2.3.1 長線傳輸過程的數(shù)學(xué)描述36 2.3.2 均勻傳輸線特性40 2.3.3 傳輸線特性阻抗計算42 2.3.4 傳輸線特性阻抗的重復(fù)性與阻抗匹配44 2.4 數(shù)字信號傳輸過程中的畸變45 2.4.1 信號傳輸?shù)娜肷浠?5 2.4.2 信號傳輸?shù)姆瓷浠?6 2.5 信號傳輸畸變的抑制措施49 2.5.1 最大傳輸線長度的計算49 2.5.2 端點的阻抗匹配50 2.6 數(shù)字信號的輻射52 2.6.1 差模輻射52 2.6.2 共模輻射55 2.6.3 差模和共模輻射比較57 第3章 常用元件的可靠性能與選擇 3.1 元件的選擇與降額設(shè)計59 3.1.1 元件的選擇準則59 3.1.2 元件的降額設(shè)計59 3.2 電阻器60 3.2.1 電阻器的等效電路60 3.2.2 電阻器的內(nèi)部噪聲60 3.2.3 電阻器的溫度特性61 3.2.4 電阻器的分類與主要參數(shù)62 3.2.5 電阻器的正確選用66 3.3 電容器67 3.3.1 電容器的等效電路67 3.3.2 電容器的種類與型號68 3.3.3 電容器的標志方法70 3.3.4 電容器引腳的電感量71 3.3.5 電容器的正確選用71 3.3.6 電容器使用注意事項73 3.4 電感器73 3.4.1 電感器的等效電路74 3.4.2 電感器使用的注意事項74 3.5 數(shù)字集成電路的抗干擾性能75 3.5.1 噪聲容限與抗干擾能力75 3.5.2 施密特集成電路的噪聲容限77 3.5.3 TTL數(shù)字集成電路的抗干擾性能78 3.5.4 CMOS數(shù)字集成電路的抗干擾性能79 3.5.5 CMOS電路使用中注意事項80 3.5.6 集成門電路系列型號81 3.6 高速CMOS 54/74HC系列接口設(shè)計83 3.6.1 54/74HC 系列芯片特點83 3.6.2 74HC與TTL接口85 3.6.3 74HC與單片機接口85 3.7 元器件的裝配工藝對可靠性的影響86 第4章 電磁干擾硬件控制技術(shù) 4.1 屏蔽技術(shù)88 4.1.1 電場屏蔽88 4.1.2 磁場屏蔽89 4.1.3 電磁場屏蔽91 4.1.4 屏蔽損耗的計算92 4.1.5 屏蔽體屏蔽效能的計算99 4.1.6 屏蔽箱的設(shè)計100 4.1.7 電磁泄漏的抑制措施102 4.1.8 電纜屏蔽層的屏蔽原理108 4.1.9 屏蔽與接地113 4.1.10 屏蔽設(shè)計要點113 4.2 接地技術(shù)114 4.2.1 概述114 4.2.2 安全接地115 4.2.3 工作接地117 4.2.4 接地系統(tǒng)的布局119 4.2.5 接地裝置和接地電阻120 4.2.6 地環(huán)路問題121 4.2.7 浮地方式122 4.2.8 電纜屏蔽層接地123 4.3 濾波技術(shù)126 4.3.1 濾波器概述127 4.3.2 無源濾波器130 4.3.3 有源濾波器138 4.3.4 鐵氧體抗干擾磁珠143 4.3.5 貫通濾波器146 4.3.6 電纜線濾波連接器149 4.3.7 PCB板濾波器件154 4.4 隔離技術(shù)155 4.4.1 光電隔離156 4.4.2 繼電器隔離160 4.4.3 變壓器隔離 161 4.4.4 布線隔離161 4.4.5 共模扼流圈162 4.5 電路平衡結(jié)構(gòu)164 4.5.1 雙絞線在平衡電路中的使用164 4.5.2 同軸電纜的平衡結(jié)構(gòu)165 4.5.3 差分放大器165 4.6 雙絞線的抗干擾原理及應(yīng)用166 4.6.1 雙絞線的抗干擾原理166 4.6.2 雙絞線的應(yīng)用168 4.7 信號線間的串擾及抑制169 4.7.1 線間串擾分析169 4.7.2 線間串擾的抑制173 4.8 信號線的選擇與敷設(shè)174 4.8.1 信號線型式的選擇174 4.8.2 信號線截面的選擇175 4.8.3 單股導(dǎo)線的阻抗分析175 4.8.4 信號線的敷設(shè)176 4.9 漏電干擾的防止措施177 4.10 抑制數(shù)字信號噪聲常用硬件措施177 4.10.1 數(shù)字信號負傳輸方式178 4.10.2 提高數(shù)字信號的電壓等級178 4.10.3 數(shù)字輸入信號的RC阻容濾波179 4.10.4 提高輸入端的門限電壓181 4.10.5 輸入開關(guān)觸點抖動干擾的抑制方法181 4.10.6 提高器件的驅(qū)動能力184 4.11 靜電放電干擾及其抑制184 第5章 主機單元配置與抗干擾設(shè)計 5.1 單片機主機單元組成特點186 5.1.1 80C51最小應(yīng)用系統(tǒng)186 5.1.2 低功耗單片機最小應(yīng)用系統(tǒng)187 5.2 總線的可靠性設(shè)計191 5.2.1 總線驅(qū)動器191 5.2.2 總線的負載平衡192 5.2.3 總線上拉電阻的配置192 5.3 芯片配置與抗干擾193 5.3.1去耦電容配置194 5.3.2 數(shù)字輸入端的噪聲抑制194 5.3.3 數(shù)字電路不用端的處理195 5.3.4 存儲器的布線196 5.4 譯碼電路的可靠性分析197 5.4.1 過渡干擾與譯碼選通197 5.4.2 譯碼方式與抗干擾200 5.5 時鐘電路配置200 5.6 復(fù)位電路設(shè)計201 5.6.1 復(fù)位電路RC參數(shù)的選擇201 5.6.2 復(fù)位電路的可靠性與抗干擾分析202 5.6.3 I/O接口芯片的延時復(fù)位205 5.7 單片機系統(tǒng)的中斷保護問題205 5.7.1 80C51單片機的中斷機構(gòu)205 5.7.2 常用的幾種中斷保護措施205 5.8 RAM數(shù)據(jù)掉電保護207 5.8.1 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)保護207 5.8.2 利用雙片選的外RAM數(shù)據(jù)保護207 5.8.3 利用DS1210實現(xiàn)外RAM數(shù)據(jù)保護208 5.8.4 2 KB非易失性隨機存儲器DS1220AB/AD211 5.9 看門狗技術(shù)215 5.9.1 由單穩(wěn)態(tài)電路實現(xiàn)看門狗電路216 5.9.2 利用單片機片內(nèi)定時器實現(xiàn)軟件看門狗217 5.9.3 軟硬件結(jié)合的看門狗技術(shù)219 5.9.4 單片機內(nèi)配置看門狗電路221 5.10 微處理器監(jiān)控器223 5.10.1 微處理器監(jiān)控器MAX703～709/813L223 5.10.2 微處理器監(jiān)控器MAX791227 5.10.3 微處理器監(jiān)控器MAX807231 5.10.4 微處理器監(jiān)控器MAX690A/MAX692A234 5.10.5 微處理器監(jiān)控器MAX691A/MAX693A238 5.10.6 帶備份電池的微處理器監(jiān)控器MAX1691242 5.11 串行E2PROM X25045245 第6章 測量單元配置與抗干擾設(shè)計 6.1 概述255 6.2 模擬信號放大器256 6.2.1 集成運算放大器256 6.2.2 測量放大器組成原理260 6.2.3 單片集成測量放大器AD521263 6.2.4 單片集成測量放大器AD522265 6.2.5 單片集成測量放大器AD526266 6.2.6 單片集成測量放大器AD620270 6.2.7 單片集成測量放大器AD623274 6.2.8 單片集成測量放大器AD624276 6.2.9 單片集成測量放大器AD625278 6.2.10 單片集成測量放大器AD626281 6.3 電壓/電流變換器（V/I）283 6.3.1 V/I變換電路..283 6.3.2 集成V/I變換器XTR101284 6.3.3 集成V/I變換器XTR110289 6.3.4 集成V/I變換器AD693292 6.3.5 集成V/I變換器AD694299 6.4 電流/電壓變換器（I/V）302 6.4.1 I/V變換電路302 6.4.2 RCV420型I/V變換器303 6.5 具有放大、濾波、激勵功能的模塊2B30/2B31305 6.6 模擬信號隔離放大器313 6.6.1 隔離放大器ISO100313 6.6.2 隔離放大器ISO120316 6.6.3 隔離放大器ISO122319 6.6.4 隔離放大器ISO130323 6.6.5 隔離放大器ISO212P326 6.6.6 由兩片VFC320組成的隔離放大器329 6.6.7 由兩光耦組成的實用線性隔離放大器333 6.7 數(shù)字電位器及其應(yīng)用336 6.7.1 非易失性數(shù)字電位器x9221336 6.7.2 非易失性數(shù)字電位器x9241343 6.8 傳感器供電電源的配置及抗干擾346 6.8.1 傳感器供電電源的擾動補償347 6.8.2 單片集成精密電壓芯片349 6.8.3 A/D轉(zhuǎn)換器芯片提供基準電壓350 6.9 測量單元噪聲抑制措施351 6.9.1 外部噪聲源的干擾及其抑制351 6.9.2 輸入信號串模干擾的抑制352 6.9.3 輸入信號共模干擾的抑制353 6.9.4 儀器儀表的接地噪聲355 第7章 D/A、A/D單元配置與抗干擾設(shè)計 7.1 D/A、A/D轉(zhuǎn)換器的干擾源357 7.2 D/A轉(zhuǎn)換原理及抗干擾分析358 7.2.1 T型電阻D/A轉(zhuǎn)換器359 7.2.2 基準電源精度要求361 7.2.3 D/A轉(zhuǎn)換器的尖峰干擾362 7.3 典型D/A轉(zhuǎn)換器與單片機接口363 7.3.1 并行12位D/A轉(zhuǎn)換器AD667363 7.3.2 串行12位D/A轉(zhuǎn)換器MAX5154370 7.4 D/A轉(zhuǎn)換器與單片機的光電接口電路377 7.5 A/D轉(zhuǎn)換器原理與抗干擾性能378 7.5.1 逐次比較式ADC原理378 7.5.2 余數(shù)反饋比較式ADC原理378 7.5.3 雙積分ADC原理380 7.5.4 V/F ADC原理382 7.5.5 ∑Δ式ADC原理384 7.6 典型A/D轉(zhuǎn)換器與單片機接口387 7.6.18 位并行逐次比較式MAX 118387 7.6.28 通道12位A/D轉(zhuǎn)換器MAX 197394 7.6.3 雙積分式A/D轉(zhuǎn)換器5G14433399 7.6.4 V/F轉(zhuǎn)換器AD 652在A/D轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用403 7.7 采樣保持電路與抗干擾措施408 7.8 多路模擬開關(guān)與抗干擾措施412 7.8.1 CD4051412 7.8.2 AD7501413 7.8.3 多路開關(guān)配置與抗干擾技術(shù)413 7.9 D/A、A/D轉(zhuǎn)換器的電源、接地與布線416 7.10 精密基準電壓電路與噪聲抑制416 7.10.1 基準電壓電路原理417 7.10.2 引腳可編程精密基準電壓源AD584418 7.10.3 埋入式齊納二極管基準AD588420 7.10.4 低漂移電壓基準MAX676/MAX677/MAX678422 7.10.5 低功率低漂移電壓基準MAX873/MAX875/MAX876424 7.10.6 MC1403/MC1403A、MC1503精密電壓基準電路430 第8章 功率接口與抗干擾設(shè)計 8.1 功率驅(qū)動元件432 8.1.1 74系列功率集成電路432 8.1.2 75系列功率集成電路433 8.1.3 MOC系列光耦合過零觸發(fā)雙向晶閘管驅(qū)動器435 8.2 輸出控制功率接口電路438 8.2.1 繼電器輸出驅(qū)動接口438 8.2.2 繼電器—接觸器輸出驅(qū)動電路439 8.2.3 光電耦合器—晶閘管輸出驅(qū)動電路439 8.2.4 脈沖變壓器—晶閘管輸出電路440 8.2.5 單片機與大功率單相負載的接口電路441 8.2.6 單片機與大功率三相負載間的接口電路442 8.3 感性負載電路噪聲的抑制442 8.3.1 交直流感性負載瞬變噪聲的抑制方法442 8.3.2 晶閘管過零觸發(fā)的幾種形式445 8.3.3 利用晶閘管抑制感性負載的瞬變噪聲447 8.4 晶閘管變流裝置的干擾和抑制措施448 8.4.1 晶閘管變流裝置電氣干擾分析448 8.4.2 晶閘管變流裝置的抗干擾措施449 8.5 固態(tài)繼電器451 8.5.1 固態(tài)繼電器的原理和結(jié)構(gòu)451 8.5.2 主要參數(shù)與選用452 8.5.3 交流固態(tài)繼電器的使用454 第9章 人機對話單元配置與抗干擾設(shè)計 9.1 鍵盤接口抗干擾問題456 9.2 LED顯示器的構(gòu)造與特點458 9.3 LED的驅(qū)動方式459 9.3.1 采用限流電阻的驅(qū)動方式459 9.3.2 采用LM317的驅(qū)動方式460 9.3.3 串聯(lián)二極管壓降驅(qū)動方式462 9.4 典型鍵盤/顯示器接口芯片與單片機接口463 9.4.1 8位LED驅(qū)動器ICM 7218B463 9.4.2 串行LED顯示驅(qū)動器MAX 7219468 9.4.3 并行鍵盤/顯示器專用芯片8279482 9.4.4 串行鍵盤/顯示器專用芯片HD 7279A492 9.5 LED顯示接口的抗干擾措施502 9.5.1 LED靜態(tài)顯示接口的抗干擾502 9.5.2 LED動態(tài)顯示接口的抗干擾506 9.6 打印機接口與抗干擾技術(shù)508 9.6.1 并行打印機標準接口信號508 9.6.2 打印機與單片機接口電路509 9.6.3 打印機電磁干擾的防護設(shè)計510 9.6.4 提高數(shù)據(jù)傳輸可靠性的措施512 第10章 供電電源的配置與抗干擾設(shè)計 10.1 電源干擾問題概述513 10.1.1 電源干擾的類型513 10.1.2 電源干擾的耦合途徑514 10.1.3 電源的共模和差模干擾515 10.1.4 電源抗干擾的基本方法516 10.2 EMI電源濾波器517 10.2.1 實用低通電容濾波器518 10.2.2 雙繞組扼流圈的應(yīng)用518 10.3 EMI濾波器模塊519 10.3.1 濾波器模塊基礎(chǔ)知識519 10.3.2 電源濾波器模塊521 10.3.3 防雷濾波器模塊531 10.3.4 脈沖群抑制模塊532 10.4 瞬變干擾吸收器件532 10.4.1 金屬氧化物壓敏電阻（MOV）533 10.4.2 瞬變電壓抑制器（TVS）537 10.5 電源變壓器的屏蔽與隔離552 10.6 交流電源的供電抗干擾方案553 10.6.1 交流電源配電方式553 10.6.2 交流電源抗干擾綜合方案555 10.7 供電直流側(cè)抑制干擾措施555 10.7.1 整流電路的高頻濾波555 10.7.2 串聯(lián)型直流穩(wěn)壓電源配置與抗干擾556 10.7.3 集成穩(wěn)壓器使用中的保護557 10.8 開關(guān)電源干擾的抑制措施559 10.8.1 開關(guān)噪聲的分類559 10.8.2 開關(guān)電源噪聲的抑制措施560 10.9 微機用不間斷電源UPS561 10.10 采用晶閘管無觸點開關(guān)消除瞬態(tài)干擾設(shè)計方案564 第11章 印制電路板的抗干擾設(shè)計 11.1 印制電路板用覆銅板566 11.1.1 覆銅板材料566 11.1.2 覆銅板分類568 11.1.3 覆銅板的標準與電性能571 11.1.4 覆銅板的主要特點和應(yīng)用583 11.2 印制板布線設(shè)計基礎(chǔ)585 11.2.1 印制板導(dǎo)線的阻抗計算585 11.2.2 PCB布線結(jié)構(gòu)和特性阻抗計算587 11.2.3 信號在印制板上的傳播速度589 11.3 地線和電源線的布線設(shè)計590 11.3.1 降低接地阻抗的設(shè)計590 11.3.2 減小電源線阻抗的方法591 11.4 信號線的布線原則592 11.4.1 信號傳輸線的尺寸控制592 11.4.2 線間串擾控制592 11.4.3 輻射干擾的抑制593 11.4.4 反射干擾的抑制594 11.4.5 微機自動布線注意問題594 11.5 配置去耦電容的方法594 11.5.1 電源去耦595 11.5.2 集成芯片去耦595 11.6 芯片的選用與器件布局596 11.6.1 芯片選用指南596 11.6.2 器件的布局597 11.6.3 時鐘電路的布置598 11.7 多層印制電路板599 11.7.1 多層印制板的結(jié)構(gòu)與特點599 11.7.2 多層印制板的布局方案600 11.7.3 20H原則605 11.8 印制電路板的安裝和板間配線606 第12章 軟件抗干擾原理與方法 12.1 概述607 12.1.1 測控系統(tǒng)軟件的基本要求607 12.1.2 軟件抗干擾一般方法607 12.2 指令冗余技術(shù)608 12.2.1 NOP的使用609 12.2.2 重要指令冗余609 12.3 軟件陷阱技術(shù)609 12.3.1 軟件陷阱609 12.3.2 軟件陷阱的安排610 12.4 故障自動恢復(fù)處理程序613 12.4.1 上電標志設(shè)定614 12.4.2 RAM中數(shù)據(jù)冗余保護與糾錯616 12.4.3 軟件復(fù)位與中斷激活標志617 12.4.4 程序失控后恢復(fù)運行的方法618 12.5 數(shù)字濾波619 12.5.1 程序判斷濾波法620 12.5.2 中位值濾波法620 12.5.3 算術(shù)平均濾波法621 12.5.4 遞推平均濾波法623 12.5.5 防脈沖干擾平均值濾波法624 12.5.6 一階滯后濾波法626 12.6 干擾避開法627 12.7 開關(guān)量輸入/輸出軟件抗干擾設(shè)計629 12.7.1 開關(guān)量輸入軟件抗干擾措施629 12.7.2 開關(guān)量輸出軟件抗干擾措施629 12.8 編寫軟件的其他注意事項630 附錄 電磁兼容器件選購信息632
標簽： 單片機 應(yīng)用系統(tǒng) 抗干擾技術(shù)
上傳時間： 2013-10-20
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文中詳細介紹了QPSK技術(shù)的工作原理和QPSK調(diào)制、解調(diào)的系統(tǒng)設(shè)計方案，并通過VHDL語言編寫調(diào)制解調(diào)程序和QuartusII軟件建模對程序進行仿真，通過引腳鎖定，下載程序到FPGA芯片EP1K30TC144-3中驗證。軟件仿真和硬件驗證結(jié)果表明了該設(shè)計的正確性和可行性，由于采用FPGA芯片，減小了硬件設(shè)計的復(fù)雜性，該設(shè)計具有便于移植維護和升級的特點。
標簽： VHDL QPSK 調(diào)制解調(diào) 系統(tǒng)設(shè)計
上傳時間： 2013-11-02
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本資料是關(guān)于Altera公司基本器件的主要介紹（主要特性、優(yōu)勢、適用配置器件、型號、引腳、下載電纜、軟件等） 目 錄 1、 MAX7000系列器件 2、 MAX3000A系列器件 3、 MAX II 系列器件 4、 Cyclone系列器件 5、 Cyclone II系列器件 6、 Stratix系列器件 7、 Stratix GX系列器件 8、 Stratix II系列器件 9、 HardCopy II結(jié)構(gòu)化ASIC 10、其它系列器件 11、配置器件 12、下載電纜 13、開發(fā)軟件 14、IP CORE 15、Nios II嵌入式處理器 16、ALTERA開發(fā)板 17、ALTERA電源選擇
上傳時間： 2013-10-16
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開發(fā)板引腳資料
上傳時間： 2013-11-24
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Spartan-3AN 器件帶有可以用于儲存配置數(shù)據(jù)的片上Flash 存儲器。如果在您的設(shè)計中Flash 存儲器沒有與外部相連，那么Flash 存儲器無法從I/O 引腳讀取數(shù)據(jù)。由于Flash 存儲器在FPGA 內(nèi)部，因此配置過程中Spartan-3AN 器件比特流處于隱藏狀態(tài)。這一配置成了設(shè)計安全的起點，因為無法直接從Flash 存儲器拷貝設(shè)計。
上傳時間： 2013-11-04
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一些應(yīng)用利用 Xilinx FPGA 在每次啟動時可改變配置的能力，根據(jù)所需來改變 FPGA 的功能。Xilinx Platform Flash XCFxxP PROM 的設(shè)計修訂 (Design Revisioning) 功能，允許用戶在單個PROM 中將多種配置存儲為不同的修訂版本，從而簡化了 FPGA 配置更改。在 FPGA 內(nèi)部加入少量的邏輯，用戶就能在 PROM 中存儲的多達四個不同的修訂版本之間進行動態(tài)切換。多重啟動或從多個設(shè)計修訂進行動態(tài)重新配置的能力，與 Spartan™-3E FPGA 和第三方并行 flashPROM 一起使用時所提供的 MultiBoot 選項相似。本應(yīng)用指南將進一步說明 Platform Flash PROM 如何提供附加選項來增強配置失敗時的安全性，以及如何減少引腳數(shù)量和板面積。此外，Platform Flash PROM 還為用戶提供其他優(yōu)勢：iMPACT 編程支持、單一供應(yīng)商解決方案、低成本板設(shè)計和更快速的配置加載。本應(yīng)用指南還詳細地介紹了一個包含 VHDL 源代碼的參考設(shè)計。
上傳時間： 2013-10-10
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Xilinx 高性能 CPLD、FPGA 和配置 PROM 系列具備在系統(tǒng)可編程性、可靠的引腳鎖定以及JTAG 邊界掃描測試功能。此強大的功能組合允許設(shè)計人員在進行重大更改時，仍能保留原始的器件引腳，從而避免重組 PC 板。通過利用嵌入式控制器從板載 RAM 或 EPROM 對這些CPLD 和 FPGA 編程，設(shè)計人員可輕松升級、修改和測試設(shè)計，即使在現(xiàn)場也是如此。
上傳時間： 2014-08-10
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