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延時開關(guān)(guān)

  • FPGA 數(shù)字電路 時序 時延路徑 建立時間 保持時間

    關(guān)鍵詞:FPGA 數(shù)字電路 時序 時延路徑 建立時間 保持時間

    標簽: FPGA 數(shù)字電路 保持 時序

    上傳時間: 2013-08-31

    上傳用戶:梧桐

  • 自己現(xiàn)在用的CPLD下載線原理圖用74HC244芯片\r\n

    自己現(xiàn)在用的CPLD下載線,用74HC244芯片\r\n要注意設(shè)置下載模式

    標簽: CPLD 244 74 HC

    上傳時間: 2013-08-31

    上傳用戶:dancnc

  • <快學易用Protel99se>\r\n

    \r\n經(jīng)典的Protel99se入門教程,孫輝著北京郵電大學出版社出版

    標簽: Protel 99 se

    上傳時間: 2013-09-11

    上傳用戶:Yukiseop

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR,不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態(tài)性能的常用指標有六個,分別是:SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態(tài) 范圍)

    標簽: THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間: 2014-01-22

    上傳用戶:魚哥哥你好

  • 基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作

    標簽: MOS N溝道 H橋驅(qū)動 電路設(shè)計

    上傳時間: 2014-08-01

    上傳用戶:1109003457

  • 串入式聲音延時開關(guān)的制作

    串入式聲音延時開關(guān)的制作

    標簽: 聲音延時開關(guān)

    上傳時間: 2013-10-29

    上傳用戶:392210346

  • 采用歸零法的N進制計數(shù)器原理

    計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ),用歸零法設(shè)計N進制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計了3種36進制計數(shù)器,并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結(jié)果表明設(shè)計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進制計數(shù)的功能。基于集成計數(shù)器的N進制計數(shù)器設(shè)計方法簡單、可行,運用Multisim 10進行電子電路設(shè)計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。

    標簽: 歸零法 N進制計數(shù)器原

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:gtzj

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān),裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度,因此系統(tǒng)時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。

    標簽: DDR 記憶體 電源

    上傳時間: 2013-10-14

    上傳用戶:immanuel2006

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