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廣播發(fā)(fā)射機(jī)(jī)

  • 射頻與微波功率放大器設(shè)計(jì).rar

    本書(shū)主要闡述設(shè)計(jì)射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設(shè)計(jì)技巧,以及將分析計(jì)算與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)相結(jié)合的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。這些方法提高了設(shè)計(jì)效率,縮短了設(shè)計(jì)周期。本書(shū)內(nèi)容覆蓋非線性電路設(shè)計(jì)方法、非線性主動(dòng)設(shè)備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設(shè)計(jì)、寬帶功率放大器及通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計(jì)。  本書(shū)適合從事射頻與微波動(dòng)功率放大器設(shè)計(jì)的工程師、研究人員及高校相關(guān)專業(yè)的師生閱讀。 作者簡(jiǎn)介 Andrei Grebennikov是M/A—COM TYCO電子部門(mén)首席理論設(shè)計(jì)工程師,他曾經(jīng)任教于澳大利亞Linz大學(xué)、新加坡微電子學(xué)院、莫斯科通信和信息技術(shù)大學(xué)。他目前正在講授研究班課程,在該班上,本書(shū)作為國(guó)際微波年會(huì)論文集。 目錄 第1章 雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)  1.1 傳統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)參數(shù)  1.2 散射參數(shù)  1.3 雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)間轉(zhuǎn)換  1.4 雙口網(wǎng)絡(luò)的互相連接  1.5 實(shí)際的雙口電路   1.5.1 單元件網(wǎng)絡(luò)   1.5.2 π形和T形網(wǎng)絡(luò)  1.6 具有公共端口的三口網(wǎng)絡(luò)  1.7 傳輸線  參考文獻(xiàn) 第2章 非線性電路設(shè)計(jì)方法  2.1 頻域分析   2.1.1 三角恒等式法   2.1.2 分段線性近似法   2.1.3 貝塞爾函數(shù)法  2.2 時(shí)域分析  2.3 NewtOn.Raphscm算法  2.4 準(zhǔn)線性法  2.5 諧波平衡法  參考文獻(xiàn) 第3章 非線性有源器件模型  3.1 功率MOSFET管   3.1.1 小信號(hào)等效電路   3.1.2 等效電路元件的確定   3.1.3 非線性I—V模型   3.1.4 非線性C.V模型   3.1.5 電荷守恒   3.1.6 柵一源電阻   3.1.7 溫度依賴性  3.2 GaAs MESFET和HEMT管   3.2.1 小信號(hào)等效電路   3.2.2 等效電路元件的確定   3.2.3 CIJrtice平方非線性模型   3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非線性模型   3.2.5 Materka—Kacprzak非線性模型   3.2.6 Raytheon(Statz等)非線性模型   3.2.7 rrriQuint非線性模型   3.2.8 Chalmers(Angek)v)非線性模型   3.2.9 IAF(Bemth)非線性模型   3.2.10 模型選擇  3.3 BJT和HBT汀管   3.3.1 小信號(hào)等效電路   3.3.2 等效電路中元件的確定   3.3.3 本征z形電路與T形電路拓?fù)渲g的等效互換   3.3.4 非線性雙極器件模型  參考文獻(xiàn) 第4章 阻抗匹配  4.1 主要原理  4.2 Smith圓圖  4.3 集中參數(shù)的匹配   4.3.1 雙極UHF功率放大器   4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器  4.4 使用傳輸線匹配   4.4.1 窄帶功率放大器設(shè)計(jì)   4.4.2 寬帶高功率放大器設(shè)計(jì)  4.5 傳輸線類(lèi)型   4.5.1 同軸線   4.5.2 帶狀線   4.5.3 微帶線   4.5.4 槽線   4.5.5 共面波導(dǎo)  參考文獻(xiàn) 第5章 功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器  5.1 基本特性  5.2 三口網(wǎng)絡(luò)  5.3 四口網(wǎng)絡(luò)  5.4 同軸電纜變換器和合成器  5.5 wilkinson功率分配器  5.6 微波混合橋  5.7 耦合線定向耦合器  參考文獻(xiàn) 第6章 功率放大器設(shè)計(jì)基礎(chǔ)  6.1 主要特性  6.2 增益和穩(wěn)定性  6.3 穩(wěn)定電路技術(shù)   6.3.1 BJT潛在不穩(wěn)定的頻域   6.3.2 MOSFET潛在不穩(wěn)定的頻域   6.3.3 一些穩(wěn)定電路的例子  6.4 線性度  6.5 基本的工作類(lèi)別:A、AB、B和C類(lèi)  6.6 直流偏置  6.7 推挽放大器  6.8 RF和微波功率放大器的實(shí)際外形  參考文獻(xiàn) 第7章 高效率功率放大器設(shè)計(jì)  7.1 B類(lèi)過(guò)激勵(lì)  7.2 F類(lèi)電路設(shè)計(jì)  7.3 逆F類(lèi)  7.4 具有并聯(lián)電容的E類(lèi)  7.5 具有并聯(lián)電路的E類(lèi)  7.6 具有傳輸線的E類(lèi)  7.7 寬帶E類(lèi)電路設(shè)計(jì)  7.8 實(shí)際的高效率RF和微波功率放大器  參考文獻(xiàn) 第8章 寬帶功率放大器  8.1 Bode—Fan0準(zhǔn)則  8.2 具有集中元件的匹配網(wǎng)絡(luò)  8.3 使用混合集中和分布元件的匹配網(wǎng)絡(luò)  8.4 具有傳輸線的匹配網(wǎng)絡(luò)    8.5 有耗匹配網(wǎng)絡(luò)  8.6 實(shí)際設(shè)計(jì)一瞥  參考文獻(xiàn) 第9章 通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計(jì)  9.1 Kahn包絡(luò)分離和恢復(fù)技術(shù)  9.2 包絡(luò)跟蹤  9.3 異相功率放大器  9.4 Doherty功率放大器方案  9.5 開(kāi)關(guān)模式和雙途徑功率放大器  9.6 前饋線性化技術(shù)  9.7 預(yù)失真線性化技術(shù)  9.8 手持機(jī)應(yīng)用的單片cMOS和HBT功率放大器  參考文獻(xiàn)

    標(biāo)簽: 射頻 微波功率 放大器設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

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  • 射頻和無(wú)線技術(shù)入門(mén)(第二版).pdf

    射頻和無(wú)線技術(shù)入門(mén),絕對(duì)的從零開(kāi)始,Caribbean j. Weisman 著

    標(biāo)簽: 射頻 無(wú)線技術(shù)

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

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  • IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別,圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見(jiàn)的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2014-01-20

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  • IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別,圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見(jiàn)的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2013-11-04

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  • int trace (int i, int j, int low, IMAGE im,IMAGE mag, IMAGE ori) float gauss(float x, float sigma) f

    int trace (int i, int j, int low, IMAGE im,IMAGE mag, IMAGE ori) float gauss(float x, float sigma) float dGauss (float x, float sigma) float meanGauss (float x, float sigma) void hysteresis (int high, int low, IMAGE im, IMAGE mag, IMAGE oriim) void canny (float s, IMAGE im, IMAGE mag, IMAGE ori)

    標(biāo)簽: IMAGE float int gauss

    上傳時(shí)間: 2015-01-30

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  • 某些系統(tǒng)(比如 UNIX )不支持方向鍵 如果發(fā)生這種情況請(qǐng)使用(J、L、I、K)代替 建議使用 133MHZ 或以上的機(jī)器 并配有 NETSCAPE 4.X 或 INTERNET EXPLO

    某些系統(tǒng)(比如 UNIX )不支持方向鍵 如果發(fā)生這種情況請(qǐng)使用(J、L、I、K)代替 建議使用 133MHZ 或以上的機(jī)器 并配有 NETSCAPE 4.X 或 INTERNET EXPLORER 3.X. 對(duì)于較慢的機(jī)器請(qǐng)切換到 WIREFRAME 模式 通過(guò)按 “F” 鍵實(shí)現(xiàn) . 再按一次 “F” 鍵切換會(huì) SOLID RENDERING 模式。

    標(biāo)簽: INTERNET NETSCAPE EXPLO UNIX

    上傳時(shí)間: 2013-12-31

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  • 本書(shū)提供用J B u i l d e r開(kāi)發(fā)數(shù)據(jù)庫(kù)應(yīng)用程序、創(chuàng)建分布式應(yīng)用程序以及編寫(xiě)J a v a B e a n 組件的高級(jí)資料。它包括下列幾個(gè)部分: • 第一部分是“開(kāi)發(fā)數(shù)據(jù)庫(kù)應(yīng)用

    本書(shū)提供用J B u i l d e r開(kāi)發(fā)數(shù)據(jù)庫(kù)應(yīng)用程序、創(chuàng)建分布式應(yīng)用程序以及編寫(xiě)J a v a B e a n 組件的高級(jí)資料。它包括下列幾個(gè)部分: • 第一部分是“開(kāi)發(fā)數(shù)據(jù)庫(kù)應(yīng)用程序”,它提供關(guān)于使用J b u i l d e r的D a t a E x p r e s s數(shù)據(jù) 庫(kù)體系結(jié)構(gòu)的信息,并解釋原始數(shù)據(jù)組件和類(lèi)之間的相互關(guān)系,以及怎樣使用它 們來(lái)創(chuàng)建你的數(shù)據(jù)庫(kù)應(yīng)用程序。它還解釋怎樣使用Data Modeler(數(shù)據(jù)模型器)和 Application Generator(應(yīng)用程序生成器)創(chuàng)建數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的客戶機(jī)/服務(wù)器應(yīng)用程 序。 • 第二部分是“開(kāi)發(fā)分布式應(yīng)用程序”,它提供關(guān)于使用ORB Explorer、用J B u i l d e r 創(chuàng)建多級(jí)的分布應(yīng)用程序、調(diào)試分布式應(yīng)用程序、用J a v a定義C O R B A接口以及 使用s e r v l e t等的信息。 • 第三部分是“創(chuàng)建J a v a B e a n”,它解釋怎樣開(kāi)發(fā)新的J a v a B e a n組件,描述在組件 開(kāi)發(fā)中涉及的任務(wù), 怎樣使用B e a n s E x p r e s s創(chuàng)建新的J a v a B e a n,以及關(guān)于屬性、 事件、B e a nIn f o類(lèi)和其他方面的詳細(xì)情況。

    標(biāo)簽: 8226 數(shù)據(jù)庫(kù) 應(yīng)用程序

    上傳時(shí)間: 2014-01-03

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  • 手機(jī)短信實(shí)例支援中文、PDU 格式

    手機(jī)短信實(shí)例支援中文、PDU 格式,使用 Delphi 開(kāi)發(fā)

    標(biāo)簽: PDU 短信

    上傳時(shí)間: 2014-01-03

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  • 街機(jī)模擬器mame源代碼

    街機(jī)模擬器mame源代碼,使用vc開(kāi)發(fā)

    標(biāo)簽: mame

    上傳時(shí)間: 2016-09-01

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  • 使用C#程式語(yǔ)言開(kāi)發(fā)

    使用C#程式語(yǔ)言開(kāi)發(fā),並執(zhí)行於.NET Framework下;是研習(xí)「蟻拓尋優(yōu)法」不可或缺的軟體工具。系統(tǒng)使用ACO (Ant Colony Optimization)演算公式模擬螞蟻的覓食行徑抉擇。使用者可以設(shè)定費(fèi)洛蒙和食物氣味強(qiáng)度等相關(guān)參數(shù)以及動(dòng)態(tài)設(shè)定障礙物的位置和形狀,研習(xí)螞蟻覓食的最短路徑形成過(guò)程。研習(xí)各種參數(shù)設(shè)定對(duì)螞蟻覓食行為的影響,了解費(fèi)落蒙機(jī)制對(duì)蟻拓尋優(yōu)化法的影響。本系統(tǒng)可支援柔性計(jì)算教學(xué),研習(xí)蟻拓優(yōu)化法中人工螞蟻的隨機(jī)搜尋模式和啟發(fā)式法則設(shè)計(jì)原理。

    標(biāo)簽: 程式

    上傳時(shí)間: 2013-12-24

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