小信號放大電路設計
標簽： 小信號 放大 電路設計
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：王慶才
為了使計算機能更好的識別人臉表情，對基于Gabor小波變換的人臉表情識別方法進行了研究。首先對包含表情區域的靜態灰度圖像進行預處理，包括對確定的人臉表情區域進行尺寸和灰度歸一化，然后利用二維Gabor小波變換提取臉部表情特征，使用快速PCA方法對提取的Gabor小波特征初步降維。再在低維的空間中，利用Fisher準則提取那些有利于分類的特征，最后用SVM分類器進行分類。實驗結果表明，上述提出的方法比傳統的方法識別速度更快，能達到實時性的要求，并且具有很好的魯棒性，識別率高。
標簽： Gabor 人臉 特征提取
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：小眼睛LSL
首先把功率管的小信號S參數制成S2P文件,然后將其導入ADS軟件中,在ADS中搭建功率管的輸入輸出端口匹配電路,按照最大增益目標對整個電路進行優化,最后完成電路的設計。
標簽： 小信號 S參數 功率 放大器設計
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：zhangfx728
我是專業做PCB的，在線路板災個行業呆久了，看到了上百家公司設計的PCB板，各行各業的，如有空調的，液晶電視的，DVD的，數碼相框的，安防的等等，因此我從我所站的角度來說，就覺得有些PCB文件設計得好，有些PCB文件設計則不是那么理想，標準就是怎能么樣PCB廠的工程人員看得一目了然，而不產生誤解，導致做錯板子，下面我會從PCB的制作流程來說，說的不好，請各位多多包涵！1 制作要求對于板材 板厚 銅厚 工藝 阻焊/字符顏色等要求清晰。以上要求是制作一個板子的基礎，因此R&D工程師必須寫清晰，這個在我所接觸的客戶來看，格力是做得相對好的，每個文件的技術要求都寫得很清晰，哪怕就是平時我們認為最正常的用綠色阻焊油墨白色字符都寫在技術要求有體現，而有些客戶則是能免則免，什么都不寫，就發給廠家打樣生產，特別是有些廠家有些特別的要求都沒有寫出來，導致廠家在收到郵件之后，第一件事情就是要咨詢這方面的要求，或者有些廠家最后做出來的不符要求。2 鉆孔方面的設計 最直接也是最大的問題，就是最小孔徑的設計，一般板內的最小孔徑都是過孔的孔徑，這個是直接體現在成本上的，有些板的過孔明明可以設計為0.50MM的孔，即只放0.30MM，這樣成本就直接大幅上升，廠家成本高了，就會提高報價；另外就是過孔太多，有些DVD以及數碼相框上面的過孔真的是整板都放滿了，動不動就1000多孔，做過太多這方面的板，認為正常應該在500-600孔，當然有人會說過孔多對板子的信號導通方面，以及散熱方面有好處，我認為這就要取一個平衡，在控制這些方面的同時還要不會導致成本上升，我在這里可以說個例子：我們公司有個客戶是深圳做DVD的，量很大，在最開始合作的時候也是以上這種情況，后來成本對雙方來說，實在是個大問題，經過與 R&D溝通，將過孔的孔徑盡量加大，刪除大銅皮上的部分過孔，像主IC中間的散熱孔用4個3.00MM的孔代替， 這樣一來,鉆孔的費用就降低了，一平方就可以降幾十塊錢的鉆孔費，對于雙方來說達到了雙贏；另外就是一些槽孔，比如說1.00MM X 1.20MM的超短槽孔，對于廠家來說，真的是非常之難做，第一很難控制公差，第二鉆也來的槽也不是直的，有些彎曲，以前我們也做過部分這樣的板子，結果幾毛錢人民幣的板，由于槽孔不合格，扣款1美金/塊，我們也與客戶溝通過這方面的問題，后來就直接改用1.20MM的圓孔。
標簽： PCB
上傳時間： 2013-10-10
上傳用戶：1039312764
針對小電流接地故障診斷難的問題，設計了一個基于零序電流、零序電壓的實時檢測系統，對供電系統進行檢測并對故障線路進行選線。采用了多任務、可移植、可裁剪的嵌入式操作系統μC/OS-II。為防止中性點帶補償系統對于故障線路的過補償影響，系統還加入了補償零序導納判據對這種接地情況下的故障進行檢測。選線系統采用零序電壓觸發方式，既提高了實時性，也增大了選線的準確性。
標簽： 小電流 單相接地 接地系統 選線裝置
上傳時間： 2014-01-18
上傳用戶：海陸空653
全橋變換器中磁通不平衡的抑制。
標簽： 全橋變換器 不平衡 磁通
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：nunnzhy
光電二極管可分為兩類：具高電容 (30pF 至 3000pF)的大面積光電二極管和具相對較低電容 (10pF 或更小)的較小面積光電二極管
標簽： 光電二極管 低躁聲放大器
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：firstbyte
三相電流不平衡
標簽： 三相電流 不平衡
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：三人用菜
小UPS維修原理
標簽： UPS
上傳時間： 2013-12-30
上傳用戶：caoyuanyuan1818
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
標簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
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