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工業(yè)(yè)生產(chǎn)(chǎn)

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標(biāo)簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時(shí)間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器

    為簡(jiǎn)化總線式RS485隔離器的設(shè)計(jì),提出基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器的技術(shù)方案。該方案具有簡(jiǎn)單實(shí)用、無需電源、無需考慮數(shù)據(jù)流向、在有限范圍內(nèi)波特率自適應(yīng)、底層用戶群體易于理解和掌控等特點(diǎn)。給出了基本實(shí)驗(yàn)電路和脈沖變壓器的主要設(shè)計(jì)依據(jù)。基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器,尤其適合工業(yè)環(huán)境下半雙工的A、B兩線制RS485通信網(wǎng)的升級(jí)改造,其基本思想也適用于全雙工的W、X、Y、Z四線制RS485/RS422通信網(wǎng)。

    標(biāo)簽: 485 RS 脈沖變壓器 總線式

    上傳時(shí)間: 2013-10-07

    上傳用戶:lizx30340

  • 艾默生開關(guān)電源基礎(chǔ)

    艾默生開關(guān)電源基礎(chǔ)

    標(biāo)簽: 開關(guān)電源

    上傳時(shí)間: 2013-10-11

    上傳用戶:sjy1991

  • X電容和Y電容

    X電容和Y電容的使用及注意方法

    標(biāo)簽: X電容 Y電容

    上傳時(shí)間: 2013-11-22

    上傳用戶:sevenbestfei

  • 介紹X,Y電容的通俗易懂的資料

    介紹X,Y電容的一片通俗易懂的資料

    標(biāo)簽: 電容

    上傳時(shí)間: 2013-10-30

    上傳用戶:teddysha

  • 佳生CCFL可調(diào)光護(hù)眼燈電路原理分析

    理想的閱讀光源應(yīng)具備白色光、無閃爍、亮度可調(diào)及光照均勻等特性,佳生護(hù)眼燈是一款亮度在600-1300LX范圍內(nèi)六擋可調(diào),采用全新冷陰極熒光燈管(即CCFL),壽命可達(dá)15000小時(shí)的護(hù)眼燈,依實(shí)物測(cè)繪的原理圖見附圖所示,供參考。

    標(biāo)簽: CCFL 可調(diào)光 護(hù)眼燈

    上傳時(shí)間: 2013-10-17

    上傳用戶:3到15

  • FR-E500-CH變頻用戶手冊(cè)

    本內(nèi)容提供了FR-E500-CH變頻用戶手冊(cè)

    標(biāo)簽: FR-E 500 CH 用戶手冊(cè)

    上傳時(shí)間: 2013-11-13

    上傳用戶:xhz1993

  • 電源濾波設(shè)計(jì)精華

    找一塊電源仔細(xì)看一下,在電源部分中,跨接L-N之間的小方塊(單位是μF)電容就是X電容,通常在是電源入口的第一個(gè);同樣,在電源部分的跨接L-PE和N-PE之間的藍(lán)色的安規(guī)電容(單位pF)就是Y電容,通常是成對(duì)出現(xiàn)的。   或者你可以形象的看,X電容具有2個(gè)輸入端,2個(gè)輸出端,很象X;Y電容具有一個(gè)輸入端,一個(gè)輸出端以及一個(gè)公共的大地,很象一個(gè)Y   沒有什么概念的,一個(gè)在差模回路上,一個(gè)在共模回路上,X、Y的名稱純粹是一個(gè)稱呼,就象是X和Y軸一樣   X電容主要用于流電源線路中,此時(shí)當(dāng)電容失時(shí)不致產(chǎn)生線間放電。X電容器的測(cè)試條件是:在交流電壓的有效值*1.5的電壓下工作100Hour;再加上1KV的高壓測(cè)試。Y電容器在一旦失效會(huì)導(dǎo)致放電危險(xiǎn)(尤其是對(duì)外殼)時(shí)是強(qiáng)制使用的。Y類型電容器的測(cè)試條件是:在交流電壓的有效值*1.7的電壓下工作100Hour,加上2KV高壓測(cè)試。如果電容器用于不接地的II類產(chǎn)品中,則要增加至4KV。

    標(biāo)簽: 電源 濾波設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-10-24

    上傳用戶:1583264429

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