設計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯和串聯兩種功率合成形式進行分析與比較，指出了匝數比、功率單元數目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設計方法，即采用多層金屬疊層并聯以及將功放單元內置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設計的變壓器在2～3 GHz頻段內的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應用。
上傳時間： 2014-12-24
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介紹了一款輸入級采用差分放大作倒相的推挽功放, 它的額定輸出功率為, 如果提高輸出級電源電壓, 還可在不變動電路條件下, 把輸出功率提高到, 可以滿足一些對功率要求比較高的發燒友需要。
上傳時間： 2013-11-08
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要延長低功率應用中的電池工作時間，采用一種經過優化設計的電源非常重要。首先，必須選擇正確的電源架構：其次，必須了解這些架構中有哪些特性可以優化。
上傳時間： 2013-11-24
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研究了超級電容快速充電方法，分析了恒功率快速充電的原理，并通過比較恒電流和恒功率兩種方法，證明了恒功率充電更有利于實現快速充電。根據恒功率充電原理，制作了快速充電樣機。實驗表明該樣機電路穩定，能夠實現快速充電要求，具有良好的實用前景。
上傳時間： 2013-11-17
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太陽能蓄電池與光照時間的關系 例如:有一塊單晶硅電池的組件,最大的輸出功率Pm(額定功率)為25W,峰值電壓(額定電壓)Ump為17.2V,峰值電流(額定電流)為1.45A,開路電壓為21V,短路電流為Isc為1.5A,某地區有效光照時間為12小時,求太陽能電池一天的發電量和所需的蓄電池的容量。 已知:Pm=25w ,h=12h ,U=17.2V ,太陽能電池的發電效率為:u=0.7,蓄電池的補償值為n=1.4 太陽能電池的發電量:M=Pm×h×u=25×12×0.7=210W 按上訴公式:C=Ph/U=25×12/17.2=17.44Ah 那么實際的蓄電池的有效容量要在C=17.44/1.40=12.46Ah以上 所以在實際中我們可以選擇14Ah左右容量的蓄電池。
上傳時間： 2013-11-08
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高功率因數、高效率、低噪音是電源裝置和用電設備普遍追求的品質。本文以單相有源功率因數校正控制器和高性能功率模塊的研制、開發為依托，對其從理論和應用開發兩個方面進行了較為全面的研究和討論。
上傳時間： 2014-01-22
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TSC系列可控硅動態無功功率補償器采用大功率可控硅組成的無觸點開關,對多級電容器組進 行快速無過渡投切,克服了傳統無功功率補償器因采用機械觸點燒損,對電容沖擊大等缺點。對各 種負荷均能起到良好的補償效果。 TSC-W型補償器采用的三相獨立控制技術解決了三相不平衡沖 擊負荷補償的技術難題,屬國內首創,填補了國內空白。
上傳時間： 2014-12-24
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廣州致遠電子有限公司近期推出了系列的工業級微功率DC-DC電源模塊，能夠廣泛應用于低頻模擬電路，大功率IGBT驅動,純數字電路,模擬前端隔離電路,RS232/RS485/D422隔離通訊接口，CAN-BUS隔離通訊接口，運算放大器電源和手持便攜儀表等多種場合。其全面性與成熟可靠的設計，可以解決用戶在電源和模擬前端部分設計中所遇到的較多難題，并可以節省開發時間，使用戶的產品更快推出市場.
上傳時間： 2013-10-17
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摘要:根據嵌入式系統電源的實際需求，以FSD200小功率單片開關電源集成電路為核心，結合可調式精密穩壓器TL431和線性光耦PC817等外圍器件，設計并實現了適合嵌入式系統使用的多路小功率開關電源。關鍵詞:嵌入式系統；FSD200；開關電源
上傳時間： 2013-12-07
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同步整流技術簡單介紹大家都知道，對于開關電源，在次級必然要有一個整流輸出的過程。作為整流電路的主要元件，通常用的是整流二極管（利用它的單向導電特性），它可以理解為一種被動式器件：只要有足夠的正向電壓它就開通，而不需要另外的控制電路。但其導通壓降較高，快恢復二極管（FRD）或超快恢復二極管（SRD）可達1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會產生大約0.6V的壓降。這個壓降完全是做的無用功，并且整流二極管是一種固定壓降的器件，舉個例子：如有一個管子壓降為0.7V，其整流為12V時它的前端要等效12.7V電壓，損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當其為3.3V整流時，損耗為0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可見此類器件在低壓大電流的工作環境下其損耗是何等地驚人。這就導致電源效率降低，損耗產生的熱能導致整流管進而開關電源的溫度上升、機箱溫度上升--------有時系統運行不穩定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個高溫所賜。隨著電腦硬件技術的飛速發展，如GeForce 8800GTX顯卡，其12V峰值電流為16.2A。所以必須制造能提供更大輸出電流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V輸出電流各高達24A）的電源轉換器。而當前世界的能源緊張問題的凸現，為廣大用戶提供更高轉換效率（如多核R80，完全符合80PLUS標準）的電源轉換器就是我們整個開關電源行業的不可回避的社會責任了。如何解決這些問題？尋找更好的整流方式、整流器件。同步整流技術和通態電阻（幾毫歐到十幾毫歐）極低的專用功率MOSFET就是在這個時刻走上開關電源技術發展的歷史舞臺了！作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件，功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導通時的伏安特性呈線性關系。因為用功率MOSFET做整流器時，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動式器件，必須要在其控制極（柵極）有一定電壓才能允許電流通過，這種復雜的控制要求得到的回報就是極小的電流損耗。在實際應用中，一般在通過20-30A電流時才有0.2-0.3V的壓降損耗。因為其壓降等于電流與通態電阻的乘積，故小電流時，其壓降和恒定壓降的肖特基不同，電流越小壓降越低。這個特性對于改善輕載效率（20%）尤為有效。這在80PLUS產品上已成為一種基本的解決方案了。對于以上提到的兩種整流方案，我們可以通過灌溉農田來理解：肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒有鋪水泥的灌溉用的水道，從源頭下來的水源在中途滲漏了很多，十方水可能只有七、八方到了農田里面。而同步整流技術就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道，除了一點點被太陽曬掉的損失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們日日賴以生存的糧食。我們的多核F1，多核R80，其3.3V整流電路采用了通態電阻僅為0.004歐的功率MOSFET，在通過24A峰值電流時壓降僅為20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作時的3.3V電流為10A，則其壓降損耗僅為10*0.004=0.04V，損耗比例為0.04/4=1%，比之于傳統肖特基加磁放大整流技術17.5%的損耗，其技術的進步已不僅僅是一個量的變化，而可以說是有了一個質的飛躍了。也可以說，我們為用戶修建了一條嚴絲合縫的灌溉電腦配件的供電渠道。
標簽： 同步整流
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：杏簾在望
