利用Multisim 10仿真軟件對共射極放大電路進行了計算機輔助設計和仿真。運用直流工作點對靜態(tài)工作點進行了分析和設定；利用波特圖示儀分析了電路的頻率特性；對電壓增益、輸入電阻和輸出電阻進行了仿真測試，測試結果和理論計算值基本一致。研究表明，Multisim 10仿真軟件具有強大的設計和仿真分析功能，可以縮短設計周期，保障操作安全，方便調試、節(jié)省成本和提高設計質量等。
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：dianxin61
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應力越小，電源效率也就越高。
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：jelenecheung
特點 最高輸入頻率 10KHz 計數(shù)速度 50/10000脈波/秒可選擇 四種輸入模式可選擇(加算,減算,加減算,90度相位差加減算) 90度相位差加減算具有提高解析度4倍功能 輸入脈波具有預設刻度功能 前置量設定功能(二段設定)可選擇 數(shù)位化指撥設定操作簡易 計數(shù)暫時停止功能 3組報警功能 2:主要規(guī)格 脈波輸入型式: Jump-pin selectable current sourcing(NPN) or current sinking (PNP) 脈波觸發(fā)電位: HI bias (CMOS) (VIH=7.5V, VIL=5.5V) LO bias (TTL) (VIH=3.7V, VIL=2.0V) 最高輸入頻率: <10KHz (up,down,up/down mode) <5KHz (quadrature mode) 輸出動作時間 : 0.1 to 99.9 second adjustable 輸出復歸方式: Manual(N) or automatic (R or C) can be modif 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 顯示值范圍: -199999 to 999999 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 9.2mm (.36") 參數(shù)設定方式: Touch switches 感應器電源: 12VDC +/-3%(<60mA) ( 感應器電源 ) 記憶方式: Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc (input/output) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：909000580
重點討論芯片級和PCB級射頻電路設計和測試中經常遇到的阻抗匹配、接地、單端到差分轉換、容差分析、噪聲與增益和靈敏度、非線性和雜散波等關鍵問題。
上傳時間： 2013-10-30
上傳用戶：924484786
微電腦型單相交流集合式電表（單相二線系統(tǒng)） 特點： 精確度0.25%滿刻度±1位數(shù) 可同時量測與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數(shù)/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數(shù)點可任意設定 瓦特單位W或KW可任意設定 CT比可任意設定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測試強度4仟伏特(1.2x50us) 數(shù)位RS-485界面 (Optional) 主要規(guī)格： 精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協(xié)議: Modbus RTU mode 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數(shù)設定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2015-01-03
上傳用戶：幾何公差
一個LCD燈的小程序。不是我寫的。我只負責了調試。適用在ACEXEP1K30QC208-3上。我跑了SIMULATOR，管腳連接標示了。我也下在電路板上試過了，沒有問題。要用到實驗板上的兄弟們把CLK1改到TESTOUT3或者0就好了。綫幫助新手，人人有責。
上傳時間： 2015-04-10
上傳用戶：330402686
GBSBEM(幾何單反射橢圓模型)可以用來仿真功率－延遲－角度（pda-圖）、功率延遲圖、時間－角度的聯(lián)合統(tǒng)計、波達方向的邊緣特征和窄帶衰落包絡。適用于低層系統(tǒng)，包括微小區(qū)和微微小區(qū)、雜波繞射基站天線、發(fā)射機到接收機之間以及發(fā)射機和接收機的周圍充斥著散射體的情形。由于其適用范圍廣泛且具有解析性質，揭示了空間無線信道不同特征間的相互聯(lián)系，是進行研究的理想模型。
上傳時間： 2013-12-17
上傳用戶：ynwbosss
用費涅爾波帶片模擬透鏡成像，光波衍射模擬
上傳時間： 2015-08-10
上傳用戶：songyue1991
長高44b0xi BIOS源碼 FS44B0II BIOS具有啟動、引導，下載、燒寫，設置日期、時間，設置工作頻率等多種功能，並且支持各種參數(shù)的存儲和自動調用。 可以用flashpgm等軟件將BIOS燒寫到Flash中去，BIOS的自身駐留地址位于NOR FLASH的0x1f0000處，系統(tǒng)參數(shù)保存在0x1ff000以上區(qū)域中。所以在燒寫完BIOS，上電復位后先要執(zhí)一定要執(zhí)行backup命令把BIOS本身拷貝到NOR FLASH的高端1f0000去。
上傳時間： 2013-12-25
上傳用戶：ainimao
