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射頻調(diào)(diào)制

  • 射頻電路PCB設計中注意問題

      PCB 設計對于電路設計而言越來越重要。但不少設計者往往只注重原理設計,而對PCB 板的設計布局考慮不多,因此在完成的電路設計中常會出現(xiàn)EMC 問題。文中從射頻電路的特性出發(fā),闡述了射頻電路PCB 設計中需要注意的一些問題。

    標簽： PCB 射頻電路

    上傳時間： 2013-10-24

    上傳用戶：jiangxiansheng

  • protel 99se進行射頻電路PCB設計的流程

    介紹了采用protel 99se進行射頻電路pcb設計的設計流程為了保證電路的性能。在進行射頻電路pcb設計時應考慮電磁兼容性，因而重點討論了元器件的布局與布線原則來達到電磁兼容的目的.關鍵詞 射頻電路 電磁兼容 布局

    標簽： protel PCB 99 se

    上傳時間： 2013-11-14

    上傳用戶：竺羽翎2222

  • 被動組件之電感設計與分析

    隨著高頻微波在日常生活上的廣泛應用，例如行動電話、無線個人計算機、無線網(wǎng)絡等，高頻電路的技術也日新月異。良好的高頻電路設計的實現(xiàn)與改善，則建立在于精確的組件模型的基礎上。被動組件如電感、濾波器等的電路模型與電路制作的材料、制程有緊密的關系，而建立這些組件等效電路模型的方法稱為參數(shù)萃取。 早期的電感制作以金屬繞線為主要的材料與技術，而近年來，由于高頻與高速電路的應用日益廣泛，加上電路設計趨向輕薄短小，電感制作的材質(zhì)與技術也不斷的進步。例如射頻機體電路（RFIC）運用硅材質(zhì)，微波集成電路則廣泛的運用砷化鎵（GaAs）技術；此外，在低成本的無線通訊射頻應用上，如混合（Hybrid）集成電路則運用有機多芯片模塊（MCMs）結合傳統(tǒng)的玻璃基板制程，以及低溫共燒陶瓷（LTCC）技術，制作印刷式平面電感等，以提升組件的質(zhì)量與效能，并減少體積與成本。 本章的重點包涵探討電感的原理與專有名詞，以及以常見的電感結構，并分析影響電感效能的主要因素與其電路模型，最后將以電感的模擬設計為例，說明電感參數(shù)的萃取。

    標簽： 被動組件 電感 設計與分析

    上傳時間： 2013-11-20

    上傳用戶：yuanxiaoqiang

  • 高頻變壓器繞制方法

    高頻變壓器繞制方法

    標簽： 高頻變壓器 繞制方法

    上傳時間： 2014-12-24

    上傳用戶：xhz1993

  • 基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設計

    基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設計

    標簽： 9835 DDS AD 射頻信號源

    上傳時間： 2013-10-23

    上傳用戶：woshiayin

  • 怎樣繞制高頻變壓器

    怎樣繞制高頻變壓器

    標簽： 高頻變壓器

    上傳時間： 2013-12-25

    上傳用戶：我干你啊

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

    標簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間： 2014-09-08

    上傳用戶：swing

  • 關于輸出變壓器的繞制

    變壓器的繞制

    標簽： 輸出變壓器

    上傳時間： 2013-10-15

    上傳用戶：dbs012280

  • 電流型二線制光照強度變送器的設計

    現(xiàn)階段對電流型二線制光照強度變送器的研究還相對較少，設計的光照強度變送器普遍存在精度不高，線性度不好，性能不夠穩(wěn)定，不能輸出標準4~20 mA電流信號的問題。介紹了一種電流型二線制光照強度變送器的設計，其結構由光照強度轉電壓電路、電壓范圍轉換電路、電壓轉電流電路以及穩(wěn)壓電源產(chǎn)生電路組成。實驗結果表明該變送器具有精度高、線性度好、功耗低，能夠穩(wěn)定可靠地輸出標準4~20 mA電流的特點。

    標簽： 電流型 二線制 光照 變送器

    上傳時間： 2013-11-08

    上傳用戶：star_in_rain

  • CMOS射頻功率放大器中的變壓器合成技術

    設計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯(lián)和串聯(lián)兩種功率合成形式進行分析與比較，指出了匝數(shù)比、功率單元數(shù)目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設計方法，即采用多層金屬疊層并聯(lián)以及將功放單元內(nèi)置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設計的變壓器在2～3 GHz頻段內(nèi)的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應用。

    標簽： CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術

    上傳時間： 2014-12-24

    上傳用戶：ewtrwrtwe

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