利用Multisim 10仿真軟件對(duì)共射極放大電路進(jìn)行了計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)和仿真。運(yùn)用直流工作點(diǎn)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)進(jìn)行了分析和設(shè)定；利用波特圖示儀分析了電路的頻率特性；對(duì)電壓增益、輸入電阻和輸出電阻進(jìn)行了仿真測(cè)試，測(cè)試結(jié)果和理論計(jì)算值基本一致。研究表明，Multisim 10仿真軟件具有強(qiáng)大的設(shè)計(jì)和仿真分析功能，可以縮短設(shè)計(jì)周期，保障操作安全，方便調(diào)試、節(jié)省成本和提高設(shè)計(jì)質(zhì)量等。
標(biāo)簽： Multisim 共射 仿真 放大器設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：dianxin61
介紹由傳輸線變壓器(又稱為魔T 混合網(wǎng)絡(luò)) 構(gòu)成功率合成和功率分配的工作原理以及在射頻大功率放大器中的應(yīng)用。
標(biāo)簽： 傳輸線變壓器 中的應(yīng)用 射頻功率放大器
上傳時(shí)間： 2014-08-15
上傳用戶：ghostparker
射頻遙控在家電遙控器中的應(yīng)用電路圖
標(biāo)簽： 射頻遙控 家電遙控器 中的應(yīng)用 電路圖
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶：erkuizhang
利用MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計(jì)出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達(dá)1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實(shí)用結(jié)果表明，該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠
上傳時(shí)間： 2013-11-17
上傳用戶：waitingfy
射頻電路PCB設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-01-13
上傳用戶：a1054751988
PCB 設(shè)計(jì)對(duì)于電路設(shè)計(jì)而言越來(lái)越重要。但不少設(shè)計(jì)者往往只注重原理設(shè)計(jì),而對(duì)PCB 板的設(shè)計(jì)布局考慮不多,因此在完成的電路設(shè)計(jì)中常會(huì)出現(xiàn)EMC 問(wèn)題。文中從射頻電路的特性出發(fā),闡述了射頻電路PCB 設(shè)計(jì)中需要注意的一些問(wèn)題。
上傳時(shí)間： 2013-10-24
上傳用戶：jiangxiansheng
介紹了采用protel 99se進(jìn)行射頻電路pcb設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)流程為了保證電路的性能。在進(jìn)行射頻電路pcb設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)考慮電磁兼容性，因而重點(diǎn)討論了元器件的布局與布線原則來(lái)達(dá)到電磁兼容的目的.關(guān)鍵詞 射頻電路 電磁兼容 布局
上傳時(shí)間： 2013-11-14
上傳用戶：竺羽翎2222
基于DDS AD9835的高壓射頻信號(hào)源的設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： 9835 DDS AD 射頻信號(hào)源
上傳時(shí)間： 2013-10-23
上傳用戶：woshiayin
【摘要】電力直流系統(tǒng)是變電站安全運(yùn)行的基礎(chǔ)，隨著變電站數(shù)字化、智能化程度的不斷提高，對(duì)站用電源的管理也提出了新的、更高的要求。而管理的的基礎(chǔ)，就是設(shè)備能準(zhǔn)確、高速的反應(yīng)當(dāng)前設(shè)備的電壓、電流、開(kāi)關(guān)狀態(tài)等信息。做到設(shè)備不死機(jī)，不停機(jī)，干擾不誤報(bào)等。隨著微電子技術(shù)、計(jì)算機(jī)和通訊技術(shù)的飛速發(fā)展，新器件的研制、生產(chǎn)周期的日益縮短。為了滿足工業(yè)自動(dòng)化，新技術(shù)、新器件不斷應(yīng)用到新產(chǎn)品中。模擬量采集包括直流電壓和電流。開(kāi)關(guān)量采集包括開(kāi)關(guān)的分合，繼電器的投入切除等。
標(biāo)簽： 電力直流系統(tǒng) 模擬量 開(kāi)關(guān)量 采集
上傳時(shí)間： 2013-11-02
上傳用戶：陽(yáng)光少年2016
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
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