射頻遙控在家電遙控器中的應用電路圖
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：erkuizhang
利用MOS場效應管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術，設計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調試及實用結果表明，該放大器工作穩定，性能可靠
上傳時間： 2013-11-17
上傳用戶：waitingfy
DAC34H84 是一款由德州儀器（TI）推出的四通道、16 比特、采樣1.25GSPS、功耗1.4W 高性能的數模轉換器。支持625MSPS 的數據率，可用于寬帶與多通道系統的基站收發信機。由于無線通信技術的高速發展與各設備商基站射頻拉遠單元（RRU/RRH）多種制式平臺化的要求，目前收發信機單板支持的發射信號頻譜越來越寬，而中頻頻率一般沒有相應提高，所以中頻發射DAC 發出中頻（IF）信號的二次諧波（HD2）或中頻與采樣頻率Fs 混疊產生的信號（Fs-2*IF）離主信號也越來越近，因此這些非線性雜散越來越難被外部模擬濾波器濾除。這些子進行pcb設計布局，能取得較好的信號完整性效果，可以在pcb打樣后，更放心。這些雜散信號會降低發射機的SFDR 性能，優化DAC 輸出的二次諧波性能也就變得越來越重要。
上傳時間： 2013-10-23
上傳用戶：lalalal
射頻電路PCB設計
上傳時間： 2014-01-13
上傳用戶：a1054751988
PCB 設計對于電路設計而言越來越重要。但不少設計者往往只注重原理設計,而對PCB 板的設計布局考慮不多,因此在完成的電路設計中常會出現EMC 問題。文中從射頻電路的特性出發,闡述了射頻電路PCB 設計中需要注意的一些問題。
上傳時間： 2013-10-24
上傳用戶：jiangxiansheng
介紹了采用protel 99se進行射頻電路pcb設計的設計流程為了保證電路的性能。在進行射頻電路pcb設計時應考慮電磁兼容性，因而重點討論了元器件的布局與布線原則來達到電磁兼容的目的.關鍵詞 射頻電路 電磁兼容 布局
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：竺羽翎2222
基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設計
上傳時間： 2013-10-23
上傳用戶：woshiayin
6 GEMS壓力變送器3000系列-超高壓變送器 GEMS壓力變送器3000的行業應用： 船舶、工程機械 產品特點： ■工作壓力可高達10,000PSI ■高精度-在整個應用過程中,精度在±0.15%之內 ■高穩定性-長期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震動性能-采用了薄膜濺射式設計,取消了易破的連接線 GEMS壓力變送器3000的性能參數 精度 0.15%FS 重復性 0.03%FS 長期穩定性 0.06%F.S/年 壓力范圍 0-500、1000、2000、3000、5000、6000、7500、10,000psi 耐壓 2xF.S,15,000PSI,Max. 破裂壓力 7xFS 4xFS,對于10,000psi 疲勞壽命 108次滿量程循環 零點公差 0.5%F.S 量程公差 0.5%F.S,響應時間0.5毫秒 溫度影響 溫漂 1.5%FS(-20℃到80℃) 2%FS(-40℃到100℃) 2.7%FS(-55℃到120℃) GEMS壓力變送器3000的環境參數 振動 正弦曲線,峰值70g,5～5000HZ(根據MIL-STD810,514.2方法程序I) EMC 30V/m(100V/m Survivability) 電壓輸出 電路 見PDF文件(3線) 激勵 高于滿程電壓1.5VDC,最大到35VDC@6mA 最小環路電阻 (FS輸出/2)Kohms 供電靈敏度 0.01%FS/Volt 電流輸出 電路 2線 環路供電電壓 24VDC(7-35VDC) 輸出 4-20mA 最大環路電阻 (Vs-7)x50Ω 供電靈敏度 0.01%FS/V 比率輸出 輸出 0.5v到4.5v(3線)@5VDC供電 輸出激勵電壓 5VDC(4.75V-7VDC) GEMS壓力變送器3000的物理參數 殼體 IP65代碼G(NEMA4);IP67代碼F(NEMA6) 接液部件 17-4和15-5不銹鋼 電氣連接 見訂貨指南 壓力連接 1/4″NPT或G1/4 重量(約) 110g(電纜重量另加:75g/m) 機械震動 1000g/MIL-STD810,方法516.2,程序Ⅳ 加速度 在任意方向施加100g的穩定加速度時1bar(15psi)量程變送器的輸出會波動0.032%FS/g,量程增大到400bar(6000psi)時輸出波動會按對數遞減至0.0007%FS/g. 認證等級 CE
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：sdfsdfs1
設計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯和串聯兩種功率合成形式進行分析與比較，指出了匝數比、功率單元數目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設計方法，即采用多層金屬疊層并聯以及將功放單元內置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設計的變壓器在2～3 GHz頻段內的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應用。
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：ewtrwrtwe
四位數碼管從一數到F,LED就向下移一位c語言代碼
上傳時間： 2014-12-25
上傳用戶：1214209695
<input id="yiqws"></input>