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定點(diǎn)乘法器

  • 基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作

    標(biāo)簽: MOS N溝道 H橋驅(qū)動 電路設(shè)計

    上傳時間: 2014-08-01

    上傳用戶:1109003457

  • FPU加法器的設(shè)計與實現(xiàn)

    浮點運算器的核心運算部件是浮點加法器,它是實現(xiàn)浮點指令各種運算的基礎(chǔ),其設(shè)計優(yōu)化對于提高浮點運算的速度和精度相當(dāng)關(guān)鍵。文章從浮點加法器算法和電路實現(xiàn)的角度給出設(shè)計方法,通過VHDL語言在QuartusII中進(jìn)行設(shè)計和驗證,此加法器通過狀態(tài)機控制運算,有效地降低了功耗,提高了速度,改善了性能。

    標(biāo)簽: FPU 加法器

    上傳時間: 2014-01-19

    上傳用戶:xauthu

  • 采用歸零法的N進(jìn)制計數(shù)器原理

    計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ),用歸零法設(shè)計N進(jìn)制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計了3種36進(jìn)制計數(shù)器,并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計算機仿真結(jié)果表明設(shè)計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進(jìn)制計數(shù)的功能?;诩捎嫈?shù)器的N進(jìn)制計數(shù)器設(shè)計方法簡單、可行,運用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。

    標(biāo)簽: 歸零法 N進(jìn)制計數(shù)器原

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:gtzj

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標(biāo)簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • 基于選擇進(jìn)位32位加法器的硬件電路實現(xiàn)

    為了縮短加法電路運行時間,提高FPGA運行效率,利用選擇進(jìn)位算法和差額分組算法用硬件電路實現(xiàn)32位加法器,差額分組中的加法單元是利用一種改進(jìn)的超前進(jìn)位算法實現(xiàn),選擇進(jìn)位算法可使不同的分組單元并行運算,利用低位的運算結(jié)果選擇高位的進(jìn)位為1或者進(jìn)位為零的運算結(jié)果,節(jié)省了進(jìn)位選擇等待的時間,最后利用XILINX進(jìn)行時序仿真,在FPGA上進(jìn)行驗證,可穩(wěn)定運行在高達(dá)50兆的頻率,理論分析與計算機仿真表明該算法切實可行、有效并且易于實現(xiàn)。

    標(biāo)簽: 進(jìn)位 加法器 硬件 電路實現(xiàn)

    上傳時間: 2013-12-19

    上傳用戶:jshailingzzh

  • 8位加法器和減法器設(shè)計實習(xí)報告

    8位加法器和減法器設(shè)計實習(xí)報告

    標(biāo)簽: 8位 加法器 減法器 實習(xí)報告

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:sjyy1001

  • 開關(guān)電源設(shè)計筆記-幾分鐘搞定一款LED電源

    開關(guān)電源設(shè)計筆記-幾分鐘搞定一款LED電源

    標(biāo)簽: LED 開關(guān)電源設(shè)計 電源

    上傳時間: 2013-10-14

    上傳用戶:wenwiang

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

  • 模糊參數(shù)自適應(yīng)自整定的逆變電源系統(tǒng)研究

    為了研究既簡單又具有優(yōu)良動、靜態(tài)性能的逆變電源控制方案,介紹一套全新的帶有自適應(yīng)功能的逆變電源模糊參數(shù)自整定系統(tǒng),并通過MATLAB/SIMULINK仿真實驗驗證了該方法能夠出色滿足各項苛刻性能指標(biāo)要求,具有十分廣闊的應(yīng)用前景。

    標(biāo)簽: 模糊 參數(shù)自適應(yīng) 自整定 系統(tǒng)研究

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:完瑪才讓

  • 變壓器差動保護(hù)整定-電力工程師須知

    差動保護(hù)整定范例一: 三圈變壓器參數(shù)如下表: 變壓器容量Se 31500KVA 變壓器接線方式 Yn,y,d11 變壓器變比Ue 110kV/35kV/10kV 110kV側(cè)TA變比nTA 300/5 35KV側(cè)TA變比nTA 1000/5 10KV側(cè)TA變比nTA 2000/5 TA接線 外部變換方式 一次接線 10kV側(cè)雙分支 調(diào)壓ΔU ±8×1.25% 電流互感器接線系數(shù)Kjx 當(dāng)為Y接線時為1,當(dāng)為Δ接線時為 區(qū)外三相最大短路電流 假設(shè)為1000A(此值需根據(jù)現(xiàn)場情況計算確定)   計算: 高壓側(cè)二次額定電流 中壓側(cè)二次額定電流 低壓側(cè)二次額定電流

    標(biāo)簽: 變壓器 差動保護(hù) 工程師 整定

    上傳時間: 2013-11-01

    上傳用戶:edisonfather

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