逆變器作為光伏陣列和電網(wǎng)接口的主要設(shè)備，它的性能決定著整個(gè)光伏發(fā)電系統(tǒng)的性能。為了將光伏陣列產(chǎn)生的電能最大限度地饋入電網(wǎng)，并提高其運(yùn)行的穩(wěn)定度、可靠性和精確度，必須對(duì)并網(wǎng)逆變器的主電路拓?fù)溥x擇、濾波器參數(shù)設(shè)計(jì)及其控制策略選取等進(jìn)行深入研究。 論文首先分析了光伏發(fā)電的國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀和應(yīng)用前景，對(duì)光伏并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)的種類、結(jié)構(gòu)和并網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了綜述。針對(duì)眾多適用于光伏并網(wǎng)的逆變器拓?fù)溥M(jìn)行了詳細(xì)的比較分析，最終確定了一臺(tái)單相滿載功率1kW、并網(wǎng)電壓220V的逆變器拓?fù)浼捌渲麟娐穮?shù)，對(duì)其輸出濾波器參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)，并對(duì)其進(jìn)行了幅頻特性分析。 其次，詳細(xì)分析和研究逆變器的并網(wǎng)控制策略，確定了在獨(dú)立工作模式下的瞬時(shí)電壓控制策略和在并網(wǎng)工作模式下的瞬時(shí)電流控制策略。根據(jù)選定的控制策略分別對(duì)其控制系統(tǒng)進(jìn)行了建模和閉環(huán)參數(shù)設(shè)計(jì)，并利用Sabet軟件進(jìn)行系統(tǒng)仿真，驗(yàn)證了系統(tǒng)建模和設(shè)計(jì)的正確性。 接著，在分析光伏陣列特性的基礎(chǔ)上，總結(jié)和比較了常用的幾種MPPT（Maximum Power Point Tracking）控制方法，通過擾動(dòng)觀測(cè)法對(duì)并網(wǎng)逆變器輸出電流的控制，實(shí)現(xiàn)了光伏陣列的MPPT，并給出了設(shè)計(jì)方案和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。 最后，根據(jù)以上分析結(jié)果，研制了一臺(tái)基于DSP控制的光伏并網(wǎng)逆變器的試驗(yàn)樣機(jī)，并詳述了其軟硬件的設(shè)計(jì)方案，給出了相關(guān)實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
標(biāo)簽： 單相 光伏并網(wǎng) 逆變器
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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本文致力于可并聯(lián)運(yùn)行的斬控式單相交流斬波變換器的研究。交交變換技術(shù)作為電力電子技術(shù)一個(gè)重要的領(lǐng)域一直得到人們的關(guān)注，但大都將目光投向AC-DC-AC兩級(jí)變換上面。AC/AC直接變換具有單級(jí)變換、功率密度高、拓?fù)渚o湊簡(jiǎn)單、并聯(lián)容易等優(yōu)勢(shì)，并且具有較強(qiáng)擴(kuò)展性，故而在工業(yè)加熱、調(diào)光電源、異步電機(jī)啟動(dòng)、調(diào)速等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。斬控式AC/AC 電壓變換是一種基于自關(guān)斷半導(dǎo)體開關(guān)器件及脈寬調(diào)制控制方式的新型交流調(diào)壓技術(shù)。 本文對(duì)全數(shù)字化的斬控式AC/AC 變換做了系統(tǒng)研究，工作內(nèi)容主要有：對(duì)交流斬波電路的拓?fù)浼捌銹WM方式做了詳細(xì)的推導(dǎo)，著重對(duì)不同拓?fù)涞乃绤^(qū)效應(yīng)進(jìn)行了分析，并且推導(dǎo)了不同負(fù)載情況對(duì)電壓控制的影響。重點(diǎn)推導(dǎo)了單相Buck型變換器和Buck-Boost 變換器的拓?fù)淠Ｐ停蜗嘞到y(tǒng)的拓?fù)溟_關(guān)模式推導(dǎo)到三相的情況，然后分別對(duì)單相、三相的情況進(jìn)行了Matlab仿真。建立了單相Buck 型拓?fù)涞拈_關(guān)周期平均意義下的大信號(hào)模型和小信號(hào)模型，指導(dǎo)控制器的設(shè)計(jì)。建立了適合電路工作的基于占空比前饋的電壓瞬時(shí)值環(huán)、電壓平均值環(huán)控制策略。在理論分析和仿真驗(yàn)證的基礎(chǔ)上，建立了一臺(tái)基于TMS320F2808數(shù)字信號(hào)處理器的實(shí)驗(yàn)樣機(jī)，完成樣機(jī)調(diào)試，并完成各項(xiàng)性能指標(biāo)的測(cè)試工作。
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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用一片CPLD實(shí)現(xiàn)數(shù)字鎖相環(huán),用VHDL或V語(yǔ)言
標(biāo)簽： CPLD VHDL 數(shù)字鎖相環(huán)
上傳時(shí)間： 2013-05-27
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蓄電池作為一種儲(chǔ)能設(shè)備，廣泛應(yīng)用于國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)部門。近幾年來，電動(dòng)汽車行業(yè)迅速發(fā)展，對(duì)于純電動(dòng)汽車蓄電池是唯一的動(dòng)力源，需要定期的滿充滿放的維護(hù)來提高電池性能，同時(shí)測(cè)量電池實(shí)際安時(shí)數(shù)。蓄電池的充放電技術(shù)與蓄電池相伴而生，與蓄電池的發(fā)展和應(yīng)用有著密切的關(guān)系。充放電系統(tǒng)性能直接影響著蓄電池的技術(shù)狀態(tài)，使用壽命，并決定著放電時(shí)對(duì)電網(wǎng)污染的程度。 目前，大功率蓄電池充放電系統(tǒng)仍大量采用晶閘管移相控制技術(shù)，該技術(shù)具有技術(shù)成熟，價(jià)格低廉的優(yōu)點(diǎn)，但網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)低，對(duì)電網(wǎng)的污染大。而消除電網(wǎng)諧波污染、提高功率因數(shù)是電力電子領(lǐng)域研究的重大課題之一。本文為大功率鋰離子蓄電池充放電設(shè)計(jì)的系統(tǒng)采用電壓型PWM整流器和雙向DC/DC變換器的結(jié)構(gòu)，在實(shí)現(xiàn)能量雙向流動(dòng)的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)網(wǎng)側(cè)電流波形的正弦化控制，具有節(jié)能，對(duì)電網(wǎng)污染小等優(yōu)點(diǎn)。 本文設(shè)計(jì)了主電路參數(shù)并在MATLAB/Simulink環(huán)境下進(jìn)行了仿真。本文還提出了以MC9S12D64為核心的雙向DC/DC變換器控制板和控制器的硬件、軟件的完整的設(shè)計(jì)方案。充電采用恒流充電和恒壓充電相結(jié)合的控制策略，實(shí)現(xiàn)單體電池電壓控制，提高了充放電控制性能和安全性。充放電系統(tǒng)樣機(jī)測(cè)試結(jié)果表明：滿載時(shí)，系統(tǒng)效率80％以上，功率因數(shù)99％以上，諧波含量5％以下，滿足設(shè)計(jì)要求，驗(yàn)證了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的可行性。
標(biāo)簽： 大功率 充放電系統(tǒng) 鋰離子蓄電池
上傳時(shí)間： 2013-06-27
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有機(jī)發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關(guān)注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點(diǎn)，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)柔性顯示，應(yīng)用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點(diǎn)和廣闊的商業(yè)前景，吸引了全球眾多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而，OLED也存在一些問題，特別是在發(fā)光機(jī)理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進(jìn)一步的研究。要達(dá)到這些目標(biāo)，除了器件的材料，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機(jī)理，結(jié)構(gòu)和封裝入手，首先，探討了作為陽(yáng)極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴(yán)重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能；ITO表面經(jīng)過氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大，明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次，針對(duì)光刻、曝光工藝技術(shù)進(jìn)行了一系列相關(guān)實(shí)驗(yàn)，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個(gè)重要因素，其厚度在1.2μm左右時(shí)，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結(jié)構(gòu)為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實(shí)驗(yàn)一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下用紫外冷光源照射1min進(jìn)行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進(jìn)行二次封裝。實(shí)驗(yàn)二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實(shí)驗(yàn)一的方法進(jìn)行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對(duì)兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進(jìn)行了測(cè)試與討論。通過對(duì)比，研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長(zhǎng)，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.3倍，研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標(biāo)等光電性能。最后，分別對(duì)三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進(jìn)行了研究。
上傳時(shí)間： 2013-07-11
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隨著通訊技術(shù)和電力系統(tǒng)的發(fā)展，對(duì)通訊用電源和電力操作電源的性能、重量、體積、效率和可靠性都提出了更高的要求。而應(yīng)用于中大功率場(chǎng)合的全橋變換器與軟開關(guān)的結(jié)合解決了這一問題。因此，對(duì)其進(jìn)行研究設(shè)計(jì)具有十分重要的意義。 首先，論文闡述PWM DC/DC變換器的軟開關(guān)技術(shù)，且根據(jù)移相控制PWM全橋變換器的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，選定適合于本論文的零電壓開關(guān)軟開關(guān)技術(shù)的電路拓?fù)洌?duì)其基本工作原理進(jìn)行闡述，同時(shí)給出ZVS軟開關(guān)的實(shí)現(xiàn)策略。 其次，對(duì)選定的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行電路設(shè)計(jì)，給出主電路中各參量的設(shè)計(jì)及參數(shù)的計(jì)算方法，包括輸入、輸出整流橋及逆變橋的器件的選型，輸入整流濾波電路的參數(shù)設(shè)計(jì)、高頻變壓器及諧振電感的參數(shù)設(shè)計(jì)以及輸出整流濾波電路的參數(shù)設(shè)計(jì)。 然后，論述移相控制電路的形成，對(duì)移相控制芯片進(jìn)行選擇，同時(shí)對(duì)移相控制芯片UC3875進(jìn)行詳細(xì)的分析和設(shè)計(jì)。對(duì)主功率管MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行分析和設(shè)計(jì)。 最后，基于理論計(jì)算，對(duì)系統(tǒng)主電路進(jìn)行仿真，研究其各部分設(shè)計(jì)的參數(shù)是否合乎實(shí)際電路。搭建移相控制ZV SDC/DC全橋變換器的實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，在系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)上做了大量的實(shí)驗(yàn)。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，論文所設(shè)計(jì)的DC/DC變換器能很好的實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)，提高效率，使輸出電壓得到穩(wěn)定控制，最后通過調(diào)整移相控制電路，可實(shí)現(xiàn)直流輸出的寬范圍調(diào)整，具有很好的工程實(shí)用價(jià)值。
上傳時(shí)間： 2013-08-04
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是電力電子技術(shù)，是這方面的泰斗極人物王兆安寫的，有很大的參考價(jià)值
標(biāo)簽： 兆
上傳時(shí)間： 2013-06-19
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書名:數(shù)字邏輯電路的ASIC設(shè)計(jì)/實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書 作者:（日）小林芳直 著，蔣民 譯，趙寶瑛 校 出版社：科學(xué)出版社 原價(jià)：30.00 出版日期：2004-9-1 ISBN：9787030133960 字?jǐn)?shù)：348000 頁(yè)數(shù)：293 印次： 版次：1 紙張：膠版紙 開本： 商品標(biāo)識(shí)：8901735 編輯推薦 -------------------------------------------------------------------------------- 內(nèi)容提要 -------------------------------------------------------------------------------- 本書是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一。本書以實(shí)現(xiàn)高速高可靠性的數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)為目標(biāo)，以完全同步式電路為基礎(chǔ)，從技術(shù)實(shí)現(xiàn)的角度介紹ASIC邏輯電路設(shè)計(jì)技術(shù)。內(nèi)容包括：邏輯門電路、邏輯壓縮、組合電路、Johnson計(jì)數(shù)器、定序器設(shè)計(jì)及應(yīng)用等，并介紹了實(shí)現(xiàn)最佳設(shè)計(jì)的各種工程設(shè)計(jì)方法。 本書可供信息工程、電子工程、微電子技術(shù)、計(jì)算技術(shù)、控制工程等領(lǐng)域的高等院校師生及工程技術(shù)人員、研制開發(fā)人員學(xué)習(xí)參考。 目錄 -------------------------------------------------------------------------------- 第1章 ASIC=同步式設(shè)計(jì)=更高可靠性設(shè)計(jì)方法的實(shí)現(xiàn) 1.1 面向高性能系統(tǒng)的設(shè)計(jì) 1.2 同步電路的不足 1.3 同步電路設(shè)計(jì) 1.4 ASIC機(jī)能設(shè)計(jì)方法有待思考的地方 第2章 邏輯門電路詳解 2.1 邏輯門電路的最基本的知識(shí) 2.2 加法電路及其構(gòu)成方法 2.3 其他輸入信號(hào)為３位的邏輯單元 2.4 復(fù)合邏輯門電路的調(diào)整 第3章 邏輯壓縮與奎恩·麥克拉斯基法 3.1 除去玻色項(xiàng)的方法 3.2 奎恩·麥克拉斯基法 第4章 組合電路設(shè)計(jì) 4.1 選擇器、解碼器、編碼器 4.2 比較和運(yùn)算電路的設(shè)計(jì) 第5章 計(jì)數(shù)器電路的設(shè)計(jì) 5.1 計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)的基礎(chǔ) 5.2 各種各樣的計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì) 5.3 LFSR(M系列發(fā)生器)的設(shè)計(jì) 第6章 江遜計(jì)數(shù)器 6.1 設(shè)計(jì)高可靠性的江遜計(jì)數(shù)器 6.2 沖刷順序的組成 第7章 定序器設(shè)計(jì) 7.1 定序器電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí) 7.2 把江遜計(jì)數(shù)器制作成狀態(tài)機(jī) 7.3 一比特?zé)嵛粻顟B(tài)機(jī)與江遜狀態(tài)機(jī) 7.4 跳躍動(dòng)作的設(shè)計(jì) 第8章 定序器的高可靠化技術(shù) 8.1 高可靠性定序器概述 8.2 關(guān)注高可靠性江遜狀態(tài)機(jī) 第9章 定序器的應(yīng)用設(shè)計(jì) 9.1 軟件處理與硬件處理 9.2 自動(dòng)扶梯的設(shè)計(jì) 9.3 信號(hào)機(jī)的設(shè)計(jì) 9.4 數(shù)碼存錢箱的設(shè)計(jì) 9.5 數(shù)字鎖相環(huán)的設(shè)計(jì) 第10章 實(shí)現(xiàn)最佳設(shè)計(jì)的方法 10.1 如何杜絕運(yùn)行錯(cuò)誤的產(chǎn)生 10.2 16位乘法器的電路整定 10.3 冒泡分類器（bubble sorter）的電路設(shè)定 參考文獻(xiàn)
標(biāo)簽： ASIC 數(shù)字邏輯電路
上傳時(shí)間： 2013-06-15
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現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)的發(fā)展已經(jīng)有二十多年，從最初的1200門發(fā)展到了目前數(shù)百萬(wàn)門至上千萬(wàn)門的單片F(xiàn)PGA芯片。現(xiàn)在，F(xiàn)PGA已廣泛地應(yīng)用于通信、消費(fèi)類電子和車用電子類等領(lǐng)域，但國(guó)內(nèi)市場(chǎng)基本上是國(guó)外品牌的天下。 在高密度FPGA中，芯片上時(shí)鐘分布質(zhì)量變的越來越重要，時(shí)鐘延遲和時(shí)鐘偏差已成為影響系統(tǒng)性能的重要因素。目前，為了消除FPGA芯片內(nèi)的時(shí)鐘延遲，減小時(shí)鐘偏差，主要有利用延時(shí)鎖相環(huán)(DLL)和鎖相環(huán)(PLL)兩種方法，而其各自又分為數(shù)字設(shè)計(jì)和模擬設(shè)計(jì)。雖然用模擬的方法實(shí)現(xiàn)的DLL所占用的芯片面積更小，輸出時(shí)鐘的精度更高，但從功耗、鎖定時(shí)間、設(shè)計(jì)難易程度以及可復(fù)用性等多方面考慮，我們更愿意采用數(shù)字的方法來實(shí)現(xiàn)。 本論文是以Xilinx公司Virtex-E系列FPGA為研究基礎(chǔ)，對(duì)全數(shù)字延時(shí)鎖相環(huán)(DLL)電路進(jìn)行分析研究和設(shè)計(jì)，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的模塊電路。 本文作者在一年多的時(shí)間里，從對(duì)電路整體功能分析、邏輯電路設(shè)計(jì)、晶體管級(jí)電路設(shè)計(jì)和仿真以及最后對(duì)設(shè)計(jì)好的電路仿真分析、電路的優(yōu)化等做了大量的工作，通過比較DLL與PLL、數(shù)字DLL與模擬DLL，深入的分析了全數(shù)字DLL模塊電路組成結(jié)構(gòu)和工作原理，設(shè)計(jì)出了符合指標(biāo)要求的全數(shù)字DLL模塊電路，為開發(fā)自我知識(shí)產(chǎn)權(quán)的FPGA奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。 本文先簡(jiǎn)要介紹FPGA及其時(shí)鐘管理技術(shù)的發(fā)展，然后深入分析對(duì)比了DLL和PLL兩種時(shí)鐘管理方法的優(yōu)劣。接著詳細(xì)論述了DLL模塊及各部分電路的工作原理和電路的設(shè)計(jì)考慮，給出了全數(shù)字DLL整體架構(gòu)設(shè)計(jì)。最后對(duì)DLL整體電路進(jìn)行整體仿真分析，驗(yàn)證電路功能，得出應(yīng)用參數(shù)。在設(shè)計(jì)中，用Verilog-XL對(duì)部分電路進(jìn)行數(shù)字仿真，Spectre對(duì)進(jìn)行部分電路的模擬仿真，而電路的整體仿真工具是HSIM。 本設(shè)計(jì)采用TSMC0.18μmCMOS工藝庫(kù)建模，設(shè)計(jì)出的DLL工作頻率范圍從25MHz到400MHz，工作電壓為1.8V，工作溫度為-55℃～125℃，最大抖動(dòng)時(shí)間為28ps，在輸入100MHz時(shí)鐘時(shí)的功耗為200MW，達(dá)到了國(guó)外同類產(chǎn)品的相應(yīng)指標(biāo)。最后完成了輸出電路設(shè)計(jì)，可以實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘占空比調(diào)節(jié)，2倍頻，以及1.5、2、2.5、3、4、5、8、16時(shí)鐘分頻等時(shí)鐘頻率合成功能。
標(biāo)簽： FPGA 全數(shù)字 延時(shí)
上傳時(shí)間： 2013-06-10
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安川變頻器的大功率逆變電路很有特色，它沒有采用負(fù)電源，值得大家學(xué)習(xí)。
上傳時(shí)間： 2013-07-28
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