知識(shí)_熱轉(zhuǎn)印PCB制板過(guò)程實(shí)錄熱轉(zhuǎn)印做PCB板的
標(biāo)簽： PCB 熱轉(zhuǎn)印 過(guò)程
上傳時(shí)間： 2013-10-14
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PCB 被動(dòng)組件的隱藏特性解析 傳統(tǒng)上，EMC一直被視為「黑色魔術(shù)（black magic）」。其實(shí)，EMC是可以藉由數(shù)學(xué)公式來(lái)理解的。不過(guò)，縱使有數(shù)學(xué)分析方法可以利用，但那些數(shù)學(xué)方程式對(duì)實(shí)際的EMC電路設(shè)計(jì)而言，仍然太過(guò)復(fù)雜了。幸運(yùn)的是，在大多數(shù)的實(shí)務(wù)工作中，工程師并不需要完全理解那些復(fù)雜的數(shù)學(xué)公式和存在于EMC規(guī)范中的學(xué)理依據(jù)，只要藉由簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)模型，就能夠明白要如何達(dá)到EMC的要求。本文藉由簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)公式和電磁理論，來(lái)說(shuō)明在印刷電路板（PCB）上被動(dòng)組件（passivecomponent）的隱藏行為和特性，這些都是工程師想讓所設(shè)計(jì)的電子產(chǎn)品通過(guò)EMC標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，事先所必須具備的基本知識(shí)。導(dǎo)線和PCB走線導(dǎo)線（wire）、走線（trace）、固定架……等看似不起眼的組件，卻經(jīng)常成為射頻能量的最佳發(fā)射器（亦即，EMI的來(lái)源）。每一種組件都具有電感，這包含硅芯片的焊線（bond wire）、以及電阻、電容、電感的接腳。每根導(dǎo)線或走線都包含有隱藏的寄生電容和電感。這些寄生性組件會(huì)影響導(dǎo)線的阻抗大小，而且對(duì)頻率很敏感。依據(jù)LC 的值（決定自共振頻率）和PCB走線的長(zhǎng)度，在某組件和PCB走線之間，可以產(chǎn)生自共振（self-resonance），因此，形成一根有效率的輻射天線。在低頻時(shí)，導(dǎo)線大致上只具有電阻的特性。但在高頻時(shí)，導(dǎo)線就具有電感的特性。因?yàn)樽兂筛哳l后，會(huì)造成阻抗大小的變化，進(jìn)而改變導(dǎo)線或PCB 走線與接地之間的EMC 設(shè)計(jì)，這時(shí)必需使用接地面（ground plane）和接地網(wǎng)格（ground grid）。導(dǎo)線和PCB 走線的最主要差別只在于，導(dǎo)線是圓形的，走線是長(zhǎng)方形的。導(dǎo)線或走線的阻抗包含電阻R和感抗XL = 2πfL，在高頻時(shí)，此阻抗定義為Z = R + j XL j2πfL，沒(méi)有容抗Xc = 1/2πfC存在。頻率高于100 kHz以上時(shí)，感抗大于電阻，此時(shí)導(dǎo)線或走線不再是低電阻的連接線，而是電感。一般而言，在音頻以上工作的導(dǎo)線或走線應(yīng)該視為電感，不能再看成電阻，而且可以是射頻天線。
標(biāo)簽： PCB 被動(dòng)組件
上傳時(shí)間： 2013-10-09
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2014-01-20
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高頻變壓器繞制方法
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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怎樣繞制高頻變壓器
標(biāo)簽： 高頻變壓器
上傳時(shí)間： 2013-12-25
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變壓器的繞制
標(biāo)簽： 輸出變壓器
上傳時(shí)間： 2013-10-15
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現(xiàn)階段對(duì)電流型二線制光照強(qiáng)度變送器的研究還相對(duì)較少，設(shè)計(jì)的光照強(qiáng)度變送器普遍存在精度不高，線性度不好，性能不夠穩(wěn)定，不能輸出標(biāo)準(zhǔn)4~20 mA電流信號(hào)的問(wèn)題。介紹了一種電流型二線制光照強(qiáng)度變送器的設(shè)計(jì)，其結(jié)構(gòu)由光照強(qiáng)度轉(zhuǎn)電壓電路、電壓范圍轉(zhuǎn)換電路、電壓轉(zhuǎn)電流電路以及穩(wěn)壓電源產(chǎn)生電路組成。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該變送器具有精度高、線性度好、功耗低，能夠穩(wěn)定可靠地輸出標(biāo)準(zhǔn)4~20 mA電流的特點(diǎn)。
上傳時(shí)間： 2013-11-08
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如何對(duì)STM8S的閃存存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)EEPROM編程
標(biāo)簽： EEPROM STM8S 閃存 存儲(chǔ)器
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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8位2進(jìn)制對(duì)照表
上傳時(shí)間： 2013-11-14
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本書從應(yīng)用的角度，詳細(xì)地介紹了MCS-51單片機(jī)的硬件結(jié)構(gòu)、指令系統(tǒng)、各種硬件接口設(shè)計(jì)、各種常用的數(shù)據(jù)運(yùn)算和處理程序及接口驅(qū)動(dòng)程序的設(shè)計(jì)以及MCS-51單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，并對(duì)MCS-51單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的抗干擾技術(shù)以及各種新器件也作了詳細(xì)的介紹。本書突出了選取內(nèi)容的實(shí)用性、典型性。書中的應(yīng)用實(shí)例，大多來(lái)自科研工作及教學(xué)實(shí)踐，且經(jīng)過(guò)檢驗(yàn)，內(nèi)容豐富、翔實(shí)。 本書可作為工科院校的本科生、研究生、專科生學(xué)習(xí)MCS-51單片機(jī)課程的教材，也可供從事自動(dòng)控制、智能儀器儀表、測(cè)試、機(jī)電一體化以及各類從事MCS-51單片機(jī)應(yīng)用的工程技術(shù)人員參考。 第一章 單片微型計(jì)等機(jī)概述 1.1 單片機(jī)的歷史及發(fā)展概況 1.2 單片機(jī)的發(fā)展趨勢(shì) 1.3 單片機(jī)的應(yīng)用 1.3.1 單片機(jī)的特點(diǎn) 1.3.2 單片機(jī)的應(yīng)用范圍 1.4 8位單片機(jī)的主要生產(chǎn)廠家和機(jī)型 1.5 MCS-51系列單片機(jī) 第二章 MCS-51單片機(jī)的硬件結(jié)構(gòu) 2.1 MCS-51單片機(jī)的硬件結(jié)構(gòu) 2.2 MCS-51的引腳 2.2.1 電源及時(shí)鐘引腳 2.2.2 控制引腳 2.2.3 I/O口引腳 2.3 MCS-51單片機(jī)的中央處理器（CPU） 2.3.1 運(yùn)算部件 2.3.2 控制部件 2.4 MCS-51存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu) 2.4.1 程序存儲(chǔ)器 2.4.2 內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 2.4.3 特殊功能寄存器（SFR） 2.4.4 位地址空間 2.4.5 外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 2.5 I/O端口 2.5.1 I/O口的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 2.5.2 I／O口的讀操作 2.5.3 I／O口的寫操作及負(fù)載能力 2.6 復(fù)位電路 2.6.1 復(fù)位時(shí)各寄存器的狀態(tài) 2.6.2 復(fù)位電路 2.7 時(shí)鐘電路 2.7.1 內(nèi)部時(shí)鐘方式 2.7.2 外部時(shí)鐘方式 2.7.3 時(shí)鐘信號(hào)的輸出 第三章 MCS-51的指令系統(tǒng) 3.1 MCS-51指令系統(tǒng)的尋址方式 3.1.1 寄存器尋址 3.1.2 直接尋址 3.1.3 寄存器間接尋址 3.1.4 立即尋址 3.1.5 基址寄存器加變址寄存器間址尋址 3.2 MCS-51指令系統(tǒng)及一般說(shuō)明 3.2.1 數(shù)據(jù)傳送類指令 3.2.2 算術(shù)操作類指令 3.2.3 邏輯運(yùn)算指令 3.2.4 控制轉(zhuǎn)移類指令 3.2.5 位操作類指令 第四章 MCS-51的定時(shí)器/計(jì)數(shù)器 4.1 定時(shí)器／計(jì)數(shù)器的結(jié)構(gòu) 4.1.1 工作方式控制寄存器TMOD 4.1.2 定時(shí)器／計(jì)數(shù)器控制寄存器TCON 4.2 定時(shí)器／計(jì)數(shù)器的四種工作方式 4.2.1 方式0 4.2.2 方式1 4.2.3 方式2 4.2.4 方式3 4.3 定時(shí)器／計(jì)數(shù)器對(duì)輸入信號(hào)的要求 4.4 定時(shí)器／計(jì)數(shù)器編程和應(yīng)用 4.4.1 方式o應(yīng)用（1ms定時(shí)） 4.4.2 方式1應(yīng)用 4.4.3 方式2計(jì)數(shù)方式 4.4.4 方式3的應(yīng)用 4.4.5 定時(shí)器溢出同步問(wèn)題 4.4.6 運(yùn)行中讀定時(shí)器／計(jì)數(shù)器 4.4.7 門控制位GATE的功能和使用方法（以T1為例） 第五章 MCS-51的串行口 5.1 串行口的結(jié)構(gòu) 5.1.1 串行口控制寄存器SCON 5.1.2 特殊功能寄存器PCON 5.2 串行口的工作方式 5.2.1 方式0 5.2.2 方式1 5.2.3 方式2 5.2.4 方式3 5.3 多機(jī)通訊 5.4 波特率的制定方法 5.4.1 波特率的定義 5.4.2 定時(shí)器T1產(chǎn)生波特率的計(jì)算 5.5 串行口的編程和應(yīng)用 5.5.1 串行口方式1應(yīng)用編程（雙機(jī)通訊） 5.5.2 串行口方式2應(yīng)用編程 5.5.3 串行口方式3應(yīng)用編程（雙機(jī)通訊） 第六章 MCS-51的中斷系統(tǒng) 6.1 中斷請(qǐng)求源 6.2 中斷控制 6.2.1 中斷屏蔽 6.2.2 中斷優(yōu)先級(jí)優(yōu) 6.3 中斷的響應(yīng)過(guò)程 6.4 外部中斷的響應(yīng)時(shí)間 6.5 外部中斷的方式選擇 6.5.1 電平觸發(fā)方式 6.5.2 邊沿觸發(fā)方式 6.6 多外部中斷源系統(tǒng)設(shè)計(jì) 6.6.1 定時(shí)器作為外部中斷源的使用方法 6.6.2 中斷和查詢結(jié)合的方法 6.6.3 用優(yōu)先權(quán)編碼器擴(kuò)展外部中斷源 第七章 MCS-51單片機(jī)擴(kuò)展存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì) 7.1 概述 7.1.1 只讀存儲(chǔ)器 7.1.2 可讀寫存儲(chǔ)器 7.1.3 不揮發(fā)性讀寫存儲(chǔ)器 7.1.4 特殊存儲(chǔ)器 7.2 存儲(chǔ)器擴(kuò)展的基本方法 7.2.1 MCS-51單片機(jī)對(duì)存儲(chǔ)器的控制 7.2.2 外擴(kuò)存儲(chǔ)器時(shí)應(yīng)注意的問(wèn)題 7.3 程序存儲(chǔ)器EPROM的擴(kuò)展 7.3.1 程序存儲(chǔ)器的操作時(shí)序 7.3.2 常用的EPROM芯片 7.3.3 外部地址鎖存器和地址譯碼器 7.3.4 典型EPROM擴(kuò)展電路 7.4 靜態(tài)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的器擴(kuò)展 7.4.1 外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的操作時(shí)序 7.4.2 常用的SRAM芯片 7.4.3 64K字節(jié)以內(nèi)SRAM的擴(kuò)展 7.4.4 超過(guò)64K字節(jié)SRAM擴(kuò)展 7.5 不揮發(fā)性讀寫存儲(chǔ)器擴(kuò)展 7.5.1 EPROM擴(kuò)展 7.5.2 SRAM掉電保護(hù)電路 7.6 特殊存儲(chǔ)器擴(kuò)展 7.6.1 雙口RAMIDT7132的擴(kuò)展 7.6.2 快擦寫存儲(chǔ)器的擴(kuò)展 7.6.3 先進(jìn)先出雙端口RAM的擴(kuò)展 第八章 MCS-51擴(kuò)展I/O接口的設(shè)計(jì) 8.1 擴(kuò)展概述 8.2 MCS-51單片機(jī)與可編程并行I／O芯片8255A的接口 8.2.1 8255A芯片介紹 8.2.2 8031單片機(jī)同8255A的接口 8.2.3 接口應(yīng)用舉例 8.3 MCS-51與可編程RAM/IO芯片8155H的接口 8.3.1 8155H芯片介紹 8.3.2 8031單片機(jī)與8155H的接口及應(yīng)用 8.4 用MCS-51的串行口擴(kuò)展并行口 8.4.1 擴(kuò)展并行輸入口 8.4.2 擴(kuò)展并行輸出口 8.5 用74LSTTL電路擴(kuò)展并行I/O口 8.5.1 用74LS377擴(kuò)展一個(gè)8位并行輸出口 8.5.2 用74LS373擴(kuò)展一個(gè)8位并行輸入口 8.5.3 MCS-51單片機(jī)與總線驅(qū)動(dòng)器的接口 8.6 MCS-51與8253的接口 8.6.1 邏輯結(jié)構(gòu)與操作編址 8.6.2 8253工作方式和控制字定義 8.6.3 8253的工作方式與操作時(shí)序 8.6.4 8253的接口和編程實(shí)例 第九章 MCS-51與鍵盤、打印機(jī)的接口 9.1 LED顯示器接口原理 9.1.1 LED顯示器結(jié)構(gòu) 9.1.2 顯示器工作原理 9.2 鍵盤接口原理 9.2.1 鍵盤工作原理 9.2.2 單片機(jī)對(duì)非編碼鍵盤的控制方式 9.3 鍵盤/顯示器接口實(shí)例 9.3.1 利用8155H芯片實(shí)現(xiàn)鍵盤／顯示器接口 9.3.2 利用8031的串行口實(shí)現(xiàn)鍵盤／顯示器接口 9.3.3 利用專用鍵盤／顯示器接口芯片8279實(shí)現(xiàn)鍵盤／顯示器接口 9.4 MCS-51與液晶顯示器（LCD）的接口 9.4.1 LCD的基本結(jié)構(gòu)及工作原理 9.4.2 點(diǎn)陣式液晶顯示控制器HD61830介紹 9.5 MCS-51與微型打印機(jī)的接口 9.5.1 MCS-51與TPμp－40A/16A微型打印機(jī)的接口 9.5.2 MCS-51與GP16微型打印機(jī)的接口 9.5.3 MCS-51與PP40繪圖打印機(jī)的接口 9.6 MCS-51單片機(jī)與BCD碼撥盤的接口設(shè)計(jì) 9.6.1 BCD碼撥盤 9.6.2 BCD碼撥盤與單片機(jī)的接口 9.6.3 撥盤輸出程序 9.7 MCS-51單片機(jī)與CRT的接口 9.7.1 SCIBCRT接口板的主要特點(diǎn)及技術(shù)參數(shù) 9.7.2 SCIB接口板的工作原理 9.7.3 SCIB與MCS-51單片機(jī)的接口 9.7.4 SCIB的CRT顯示軟件設(shè)計(jì)方法 第十章 MCS-51與D/A、A/D的接口 10.1 有關(guān)DAC及ADC的性能指標(biāo)和選擇要點(diǎn) 10.1.1 性能指標(biāo) 10.1.2 選擇ABC和DAC的要點(diǎn) 10.2 MCS-51與DAC的接口 10.2.1 MCS-51與DAC0832的接口 10.2.2 MCS-51同DAC1020及DAC1220的接口 10.2.3 MCS-51同串行輸入的DAC芯片AD7543的接口 10.3 MCS-51與ADC的接口 10.3.1 MCS-51與5G14433（雙積分型）的接口 10.3.2 MCS-51與ICL7135（雙積分型）的接口 10.3.3 MCS-51與ICL7109（雙積分型）的接口 10.3.4 MCS-51與ADC0809（逐次逼近型）的接口 10.3.5 8031AD574（逐次逼近型）的接口 10.4 V/F轉(zhuǎn)換器接口技術(shù) 10.4.1 V／F轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)A／D轉(zhuǎn)換的方法 10.4.2 常用V／F轉(zhuǎn)換器LMX31簡(jiǎn)介 10.4.3 V／F轉(zhuǎn)換器與MCS-51單片機(jī)接口 10.4.4 LM331應(yīng)用舉例 第十一章 標(biāo)準(zhǔn)串行接口及應(yīng)用 11.1 概述 11.2 串行通訊的接口標(biāo)準(zhǔn) 11.2.1 RS-232C接口 11.2.2 RS-422A接口 11.2.3 RS-485接口 11.2.4 各種串行接口性能比較 11.3 雙機(jī)串行通訊技術(shù) 11.3.1 單片機(jī)雙機(jī)通訊技術(shù) 11.3.2 PC機(jī)與8031單片機(jī)雙機(jī)通訊技術(shù) 11.4 多機(jī)串行通訊技術(shù) 11.4.1 單片機(jī)多機(jī)通訊技術(shù) 11.4.2 IBM-PC機(jī)與單片機(jī)多機(jī)通訊技術(shù) 11.5 串行通訊中的波特率設(shè)置技術(shù) 11.5.1 IBM－PC/XT系統(tǒng)中波特率的產(chǎn)生 11.5.2 MCS-51單片機(jī)串行通訊波特率的確定 11.5.3 波特率相對(duì)誤差范圍的確定方法 11.5.4 SMOD位對(duì)波特率的影響 第十二章 MCS-51的功率接口 12.1 常用功率器件 12.1.1 晶閘管 12.1.2 固態(tài)繼電器 12.1.3 功率晶體管 12.1.4 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 12.2 開(kāi)關(guān)型功率接口 12.2.1 光電耦合器驅(qū)動(dòng)接口 12.2.2 繼電器型驅(qū)動(dòng)接口 12.2.3 晶閘管及脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)接口 第十三章 MCS-51單片機(jī)與日歷的接口設(shè)計(jì) 13.1 概述 13.2 MCS-51單片機(jī)與實(shí)時(shí)日歷時(shí)鐘芯片MSM5832的接口設(shè)計(jì) 13.2.1 MSM5832性能及引腳說(shuō)明 13.2.2 MSM5832時(shí)序分析 13.2.3 8031單片機(jī)與MSM5832的接口設(shè)計(jì) 13.3 MCS-51單片機(jī)與實(shí)時(shí)日歷時(shí)鐘芯片MC146818的接口設(shè)計(jì) 13.3.1 MC146818性能及引腳說(shuō)明 13.3.2 MC146818芯片地址分配及各單元的編程 13.3.3 MC146818的中斷 13.3.4 8031單片機(jī)與MC146818的接口電路設(shè)計(jì) 13.3.5 8031單片機(jī)與MC146818的接口軟件設(shè)計(jì) 第十四章 MCS-51程序設(shè)計(jì)及實(shí)用子程序 14.1 查表程序設(shè)計(jì) 14.2 散轉(zhuǎn)程序設(shè)計(jì) 14.2.1 使用轉(zhuǎn)移指令表的散轉(zhuǎn)程序 14.2.2 使用地地址偏移量表的散轉(zhuǎn)程序 14.2.3 使用轉(zhuǎn)向地址表的散轉(zhuǎn)程序 14.2.4 利用RET指令實(shí)現(xiàn)的散轉(zhuǎn)程序 14.3 循環(huán)程序設(shè)計(jì) 14.3.1 單循環(huán) 14.3.2 多重循環(huán) 14.4 定點(diǎn)數(shù)運(yùn)算程序設(shè)計(jì) 14.4.1 定點(diǎn)數(shù)的表示方法 14.4.2 定點(diǎn)數(shù)加減運(yùn)算 14.4.3 定點(diǎn)數(shù)乘法運(yùn)算 14.4.4 定點(diǎn)數(shù)除法 14.5 浮點(diǎn)數(shù)運(yùn)算程序設(shè)計(jì) 14.5.1 浮點(diǎn)數(shù)的表示 14.5.2 浮點(diǎn)數(shù)的加減法運(yùn)算 14.5.3 浮點(diǎn)數(shù)乘除法運(yùn)算 14.5.4 定點(diǎn)數(shù)與浮點(diǎn)數(shù)的轉(zhuǎn)換 14.6 碼制轉(zhuǎn)換 ……
標(biāo)簽： MCS 51 單片機(jī) 應(yīng)用設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-06
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