SPWM全橋逆變器主功率電路和控制電路設計
標簽： spwm 逆變器
上傳時間： 2022-04-04
上傳用戶：jason_vip1
該文檔為基于MATLAB的單相逆變器并網控制技術仿真研究總結文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
標簽： matlab 逆變器
上傳時間： 2022-04-06
本文介紹了50KW三相并網光伏逆變器的設計方案,分別從硬件電路設計和軟件設計進行介紹。硬件電路設計包括主電路設計和控制電路設計,主電路設計給出了組成主電路的主要元件的選型參數,控制電路介紹了各部分設計過程。軟件設計包括主程序和中斷程序兩部分及每部分的設計內容。
標簽： 光伏逆變器
上傳時間： 2022-04-13
上傳用戶：fliang
基于STM32單相逆變器的SPWM程序的資料，分享給大家一起看看。
標簽： stm32 逆變器 spwm 程序
上傳時間： 2022-05-04
上傳用戶：slq1234567890
TMS320F28335光伏離網并網逆變器設計原理圖+PCB+DSP軟件源碼，可做為你的設計參考。
標簽： tms320f28335 光伏 并網 逆變器
上傳時間： 2022-05-14
雙向正弦波逆變器,AD18,原理圖,PCB原創產品文件。SPWM正弦波逆變橋反向工作時兼做全橋開關；逆變升壓管充電時兼做同步整流管；包含本人的正弦波逆變器電路夢的專利技術（已申報）。絕對的原創作品！
標簽： 正弦波逆變器
上傳時間： 2022-05-15
上傳用戶：ttalli
1000W逆變器的PROTEL 99SE原理圖+PCB圖,Protel 99se 設計，包括原理圖及PCB印制板圖，可用Protel或 Altium Designer(AD)軟件打開或修改，可作為你產品設計的參考。
標簽： 逆變器 protel99se pcb
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本人對逆變器感興趣，參考各類資料后，經過兩次改版，制作了這一款純正弦波逆變器。設計功率在300W。從DC升壓到SPWM產生正弦波，均采用stm32c8t6（STM32C8T6數據手冊）作為主控芯片，并同時提供高壓，低壓，過功率，和短路保護功能。現開源。希望和喜歡做逆變的朋友交流，共同提高。 SPWM穩壓方式暫時采用310/DC求調制比的方式。從調試到現在已經燒毀了5片stm32都是cpu短路，等有空查查是什么原因。 本機帶載過手電鉆，豆漿機，電視機，和一臺臺式電腦。豆漿機空載沒問題，放上豆子后，幾秒鐘后會觸發保護。臺式電腦工作10分鐘后電瓶沒電了，就沒再試。
標簽： stm32 正弦波逆變器
上傳時間： 2022-06-10
電動汽車、混合動力汽車、燃料電池汽車為代表的新能源汽車是實現節能減排目標的重要行業之一。IGBT模塊作為新能源汽車的核心，其發展受到廣泛關注.IGBT模塊發展的關鍵在于改善封裝方式。本文指出了日前的封裝材料在電動汽車逆變器大功率IGBT模塊的封裝過程中存在的缺陷，引入了新型連接材料納米銀焊膏。為了驗證納米銀焊膏的連接性能，以確定其能否應用在所需的1GBT模塊的制作過程中，本文首先設計了單個模擬芯片的燒結連接實驗，通過微x射線斷層掃描儀、剪切實驗、1描電鏡等檢測手段，對燒結后的連接層進行了全方位的檢測，結果發現雖然連接層沒有發現明顯的缺陷，但是剪切強度較低，經過分析猜想可能是磁控濺射鍍層的質量并不十分可靠，因此又設計用真芯片和小塊鍍銀銅板的燒結連接實驗，連接傳況良好，剪切實驗的過程中，發現是芯片先出現破損，這證明了連接的質量是可靠的。因此可以將納米銀焊膏應用在IGBT模塊的制作中。本文重點介紹了整個IGBT模塊的制作方法。采用和之前單個芯片燒結相類似的操作過程，完成整個模塊的燒結。燒結完成后通過微 射線斷層掃描儀對燒結的質量進行了檢測，通過檢測發現連接層質量良好。模塊燒結連接之后，更做出最終成型的IGBT模塊，還需要經過外殼設計與制造、打線、灌度、組裝等工T藝，從而得到最終的成品，并通過晶體管特性測試儀對模塊的基本電性能進行了檢測。
標簽： 電動汽車 逆變器 igbt模塊 封裝
上傳時間： 2022-06-20
摘要：對幾種三相逆變器中常用的IGBT驅動專用集成電路進行了詳細的分析，對TLP250，EXB系列和M579系列進行了深入的討論，給出了它們的電氣特性參數和內部功能方框圖，還給出了它們的典型應用電路。討論了它們的使用要點及注意事項，對每種驅動芯片進行了IGBT的驅動實驗，通過有關的波形驗證了它們的特點，最后得出結論：IGBT驅動集成電路的發展趨勢是集過流保護、驅動信號放大功能、能夠外接電源且具有很強抗干擾能力等于一體的復合型電路。關鍵詞：絕緣柵雙極晶體管：集成電路；過流保護1前言電力電子變換技術的發展，使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發展.20世紀80年代，為了給高電壓應用環境提供一種高輸入阻抗的器件，有人提出了絕緣門極雙極型品體管（IGBT）[1].在IGBT中，用一個MoS門極區來控制寬基區的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸，這藏產生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優越通態特性相結合的非常誘人的器件，它具有控制功率小、開關速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源（UPS）和交流電機調速系統的設計中，它是日前最為常見的一種器件。
標簽： 三相逆變器 igbt 驅動電路
上傳時間： 2022-06-21
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