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  • 本文是以數位訊號處理器DSP（Digital Singal Processor）之核心架構為主體的數位式溫度控制器開發

    本文是以數位訊號處理器DSP（Digital Singal Processor）之核心架構為主體的數位式溫度控制器開發，而其主要分為硬體電路與軟體程式兩部分來完成。而就硬體電路來看分為量測電路模組、DSP周邊電路及RS232通訊模組、輸出模組三個部分，其中在輸出上可分為電流輸出、電壓輸出以及binary command給加熱驅動裝置, RS232 除了可以與PC聯絡外也可以與具有CPU的熱能驅動器做命令傳輸。在計畫中分析現有工業用加熱驅動裝置和溫度曲線的關係，並瞭解其控制情況。軟體方面即是溫控器之中央處理器程式，亦即DSP控制程式，其中包括控制理論、感測器線性轉換程式、I/O介面及通訊協定相關程式。在控制法則上，提出一個新的加熱體描述模型，然後以前饋控制為主並輔以PID控制，得到不錯的控制結果。

    標簽： Processor Digital Singal DSP

    上傳時間： 2013-12-24

    上傳用戶：zjf3110

  • 程式描述：使用Cypress的Cy7C68013A晶片進行設計

    程式描述：使用Cypress的Cy7C68013A晶片進行設計，通過外接EEPROM來進行供電時的重列舉。程式包括USB韌體端的程式以及電腦端的程式。 安裝：把來源程式碼複製到硬碟特定目錄下，使用Keil C編譯器和Visual C++ 6.0運行即可。 注意：可以首先使用Cypress的測試工具進行韌體程式的測試，以確保韌體程式的正確性。

    標簽： Cypress 68013A C68013 68013

    上傳時間： 2017-02-10

    上傳用戶：waitingfy

  • 可替代整合型MOSFET的獨立元件

    在電源設計中，工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題，或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 MOSFET 積體電路驅動器解決方案，但因為成本考量，工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。

    標簽： MOSFET 獨立元件

    上傳時間： 2013-11-19

    上傳用戶：阿譚電器工作室

  • 折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

    透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數比以及各種電壓與電流應力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應力越小，電源效率也就越高。

    標簽： 輸入電容 電流

    上傳時間： 2013-11-11

    上傳用戶：jelenecheung

  • 這程式是用J2ME撰寫而成

    這程式是用J2ME撰寫而成，裡面所放置的jar檔經過手機測試，可以利用手機的藍芽功能搜尋連接到有支援藍芽的電腦，由手機取得電腦的資料。

    標簽： J2ME 程式

    上傳時間： 2014-12-03

    上傳用戶：guanliya

  • 使用8051的chip來讀取mouse資料

    使用8051的chip來讀取mouse資料，讀完後從RS232送出去給電腦判讀。必須配合software來顯示mouse資料

    標簽： mouse 8051 chip

    上傳時間： 2016-07-17

    上傳用戶：1159797854

  • 安裝 winxp sp3 後

    安裝 winxp sp3 後，我的電腦右鍵無法開啟裝置管理員與服務的問題解決

    標簽： winxp sp3

    上傳時間： 2016-11-21

    上傳用戶：siguazgb

  • 串列傳輸模擬

    串列傳輸模擬，利用89C51配合電腦來傳輸資料

    標簽： 模

    上傳時間： 2017-05-09

    上傳用戶：410805624

  • 樂透選號小程式

    樂透選號小程式，分為人工選號以及電腦選號，可自選所要的組數，並加入氣泡排序以及不重複出現的功能，最後可得到所中的號碼，有需要作相關的人可以下載並照自已的需求修改

    標簽： 程式

    上傳時間： 2013-12-23

    上傳用戶：z754970244

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程

    標簽： Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時間： 2020-06-05

    上傳用戶：shancjb

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