在當今激烈競爭的電池供電市場中,由于成本指標限制,設計人員常常使用雙面板。盡管多層板(4層、6層及8層)方案在尺寸、噪聲和性能方面具有明顯優勢,成本壓力卻促使工程師們重新考慮其布線策略,采用雙面板。在本文中,我們將討論自動布線功能的正確使用和錯誤使用,有無地平面時電流回路的設計策略,以及對雙面板元件布局的建議。
標簽: pcb布線
上傳時間: 2021-10-15
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電動汽車逆變器用于控制汽車主電機為汽車運行提供動力,IGBT功率模塊是電動汽車逆變器的核心功率器件,其驅動電路是發揮IGBT性能的關鍵電路。驅動電路的設計與工業通用變頻器、風能太陽能逆變器的驅動電路有更為苛刻的技術要求。其中的電源電路受到空間尺寸小、工作溫度高等限制,面臨諸多挑戰。介紹了一種驅動供電電源的設計,并通過實際測試證明其可用性。
上傳時間: 2021-10-27
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半導體制造技術的進步帶來的新應用繼續以驚人的速度增長。廣泛的新產品,從高性能處理器到各種低功耗便攜式設備,再到微型感應/通信/驅動芯片,促進了各種新的應用,這些應用已經改變并將繼續改變我們的日常生活。然而,隨著半導體行業向更小的特征尺寸發展,嵌入在超大規模集成電路(VLSI)中的晶體管數量持續增長,在高質量,可靠的產品上市的無時間壓力下半導體行業越來越依賴設計技術來實現設計收斂和滿足生產力目標。我們在這里提到的設計技術涵蓋了協助綜合,驗證所需的所有核心知識,軟件工具,算法,方法和基礎設施。測試和制造功能可靠的綜合電路。
上傳時間: 2021-11-06
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全志A33芯片資料A33核心板技術手冊硬件參考設計A33開發板CADENCE原理圖PADS PCB圖文件:A33 brief 20140522.pdfA33 Datasheet release1.0.pdfA33 user manual release 1.0.pdfA33-Core3引腳定義表.pdfA33-Core3核心板外圍電路設計參考.pdfA33-Core3核心板硬件手冊.pdfA33_Vstar3使用手冊VerC.pdf尺寸圖底板PCB圖開發底板原理圖PCB網卡電路參考設計說明.txtA33-Core3引腳圖.pdfA33-Vstar-LCD07-10.pdfRER-A33-DVK3-padslogic95.schRER-A33-DVK3-SCH.DSNRER-A33-DVK3-SCH.pdf第二版改MIPI座子
上傳時間: 2021-11-08
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mini 5500MHz低通濾波器技術資料,帶外抑制,插損指標。溫度特性。封裝尺寸
上傳時間: 2021-11-12
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7寸RGB接口電容觸摸屏GT911模塊軟硬件技術資料+STM32單片機軟件工程源碼:1-原理圖_尺寸圖_封裝庫2-配套程序3-參考資料5_7寸液晶屏與各開發板的接線方式.xls關于觸摸相關程序說明.pdf7.0-11SPEC(STD-TN92).pdfgt91x編程指南.pdf其他電容觸控芯片GT911_數據手冊2013.pdf觸摸屏主機端調試指南.pdf
上傳時間: 2021-12-08
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變壓器計算及磁芯對照表 增加ED和EDR磁芯 特別是磁芯型號非常齊全,有尺寸及部分參考設計功率,很好用,歡迎下載學習交流
上傳時間: 2021-12-10
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索尼最小CMOS圖像傳感器IMX415 日本東京索尼公司今年發布一款新型CMOS影像傳感器:IMX415,1/2.8 英寸堆疊式4K CMOS影像傳感器,刷新全球同類產品的小尺寸紀錄; 針對日益擴大的智慧城市相關的市場需求,索尼特別開發了這款新型的應用于安防攝像機的傳感器,以滿足安防攝像機在防盜、災難警報、交通監測系統或商業綜合體等多種監控應用領域的快速增長需求。目前,在各種場合安裝安防攝像機的需求正日益增多,而對于可以安裝在任何地方、具有更高圖像識別和檢測性能的緊湊型安防攝像機的需求也比以往任何時候都要大。未來,用于異常檢測和人工智能行為分析的圖像識別攝像機的需求也將顯著增長。 為了滿足這一需求,索尼推出了一系列緊湊型4K CMOS影像傳感器,能夠同時提供卓越的圖像識別和檢測性能,以及出色的低光性能表現——這是傳統技術難以實現的。索尼豐富的傳感器產品線,讓人們在多種場景下都能獲取高質量圖像,從而擴大了安防攝像機的應用范圍。IMX415堆疊式CMOS影像傳感器采用了索尼獨有的高靈敏度,低噪點技術,將像素尺寸縮至1.45平方微米,比前代產品*3縮小約80%,盡管該傳感器只有1/2.8英寸,其低光性能卻是前代產品的1.5倍*3。締造出破紀錄的 1/2.8英寸堆疊式4K CMOS影像傳感器,并具備卓越的低光性能。該傳感器采用低噪點電路堆疊式結構,即使在黑暗環境下也可以捕捉到清晰的圖像。由于它尺寸小,可適用于多種場景,在安防攝像機應用方面需求量很高。
上傳時間: 2021-12-13
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基于DSP設計的數字化大功率電源數字化全橋變換器電源ALTIUM設計硬件原理圖+PCB文件,包括主板和控制板2個硬件,均為4層板設計,ALTIUM設計的硬件工程文件,包括完整的原理圖和PCB文件,可以做為你的設計參考。主板原理圖器件如下:Library Component Count : 55Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------6CWQ09F Schottky Rectifier7416474HC16474LS1647805 7812 7815 7824 ACT45B 共模電感ARRESTER R27030059BAV99 R26010005BRIDGE R26060153CAPCB CD CON4 ConnectorComponent_1_1 D-1N5819 DiodeDEDIO-SMDELECTRO1 R21010742FUSE R27010205HOLHeader 3 Header, 3-PinHeader 6 Header, 6-PinHeader 7 Header, 7-PinIR1150S JQX-115F-I L0 L2 LBAV70 R26010012LM358MOSFET N NMOS-2 R26110100NPN R26080003OPTOISO1 R25030015PNP PNP TransistorR-NTCR20190006 R20190075R21020037 R21020037/工業B/消費C/瓷片電容/4700pF±20%/250Vac/Y2/Y5U/引腳間距7.5mmR26020054 R26020054/工業A/消費C/快恢復二極管/1000V/1A/1.7V/75ns/SMA/US1M-E3-61TR26030048 R26030048/工業A/消費B/肖特基二極管/1A/100V/0.79V/SMA/SS110LR26030097 R26030097/工業B/肖特基二極管/60V/1A/0.70V/SMA/B160R29030691 R29030691/防雷接地座/最大尺寸7.36*7*10/紫銅鍍錫RES R20190099RES2 RES_1Res3 ResistorTL431 TRANS01TRANS7-9 Transformer UCC3804VARISTOR R27030060ZENERu型槽3.5x7
標簽: tms320f28035 dsp 全橋變換器
上傳時間: 2021-12-22
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半導體云講堂——寬禁帶半導體(GaN、SiC)材料及器件測試寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導體材料, 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導體材料被稱為第三代半導體材料。四探針技術要求樣品為薄膜樣品或塊狀, 范德堡法為更通用的四探針測量技術,對樣品形狀沒有要求, 且不需要測量樣品所有尺寸, 但需滿足以下四個條件? 樣品必須具有均勻厚度的扁平形狀。? 樣品不能有任何隔離的孔。? 樣品必須是均質和各向同性的。? 所有四個觸點必須位于樣品的邊緣。
上傳時間: 2022-01-03
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