現代電機控制技術，王成元、夏加寬、孫宜標等編著
上傳時間： 2019-02-03
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基于NFOSM 轉速調節器 的PMSM 模型預測電流 控制
標簽： NFOSM PMSM 轉速 調節器 模型預測 電流控制
上傳時間： 2019-09-16
上傳用戶：sjjy930220
基于微震信號多重分形特征的巖石邊坡變形預警研究，很好的文章
上傳時間： 2020-12-31
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描述：空氣檢測儀主要用來測量空氣中的溫度、濕度、PM2.5、甲醛。PCB設計使用AD開發，主控芯片用STM32F103C8、溫濕度傳感器AM2302、PM2.5傳感器用夏普的GP2Y1051、甲醛傳感器采用DS-HCHO 模塊、一個2.4寸lcd，板載兩個按鍵。原理圖：PCB：
上傳時間： 2022-02-12
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上傳分享一份matlab學習的好資料，有需要的看看一下
上傳時間： 2022-04-24
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【第56講】思修電子STM8教程-主從機初始化流程及通信.zip - 11.61MB【第48講】思修電子STM8教程-單片機數據通信基礎B.zip - 152.49MB【第47講】思修電子STM8教程-單片機數據通信基礎A.zip - 156.30MB【第2講】思修電子STM8教程-初識STM8單片機家族.rar - 224.85MB【第1講】思修電子STM8教程-開門見山談單片機.rar - 201.34MB《深入淺出STM8單片機入門、進階與應用實例》書籍材料.zip - 101.99MB【第D講】思修電子STM8教程-小王子使用及測試.rar - 156.93MB【第C講】思修電子STM8教程-小王子平臺簡介.rar - 87.51MB【第B講】思修電子STM8教程-核心板使用及測試.rar - 172.49MB......
上傳時間： 2022-05-27
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朱志宇著，科學出版社。本書系統介紹粒子濾波算法的基本原理和關鍵技術，針對標準粒子濾波算法存在的粒子退化、計算量大的缺點介紹了多種改進的粒子濾波算法，包括基于重要性密度函數選擇的粒子濾波算法、基于重采樣技術的粒子濾波算法、基于智能優化思想的粒子濾波算法、自適應粒子濾波算法、流形粒子濾波算法等，并將粒子濾波算法應用于機動目標跟蹤、語音增強、傳感器故障診斷、人臉跟蹤等領域，最后探討了粒子濾波算法的硬件實現問題，給出了基于DSP和FPCA的粒子濾波算法實現方法。
標簽： 粒子濾波
上傳時間： 2022-05-28
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軟件第5階段 IOT-ARM體系結構與編程第4階段 項目實戰制作[vxia.net]第3階段 物聯網終端裸機開發試驗[vxia.net]第2階段 物聯網終端開發理論基礎第1階段 學前準備[vxia.net]微夏博客 vxia.net.url - 115bytesReadMe.txt - 1.38KB05 電子基礎元器件[vxia.net]04 嵌入式C語言高級---函數空間03 嵌入式C語言高級---內存空間[vxia.net]02 嵌入式C語言高級---語法概述01 C語言及程序設計快速入門[vxia.net]微夏博客 vxia.net.url - 115bytes
上傳時間： 2022-06-05
上傳用戶：shjgzh
在一般較低性能的三相電壓源逆變器中， 各種與電流相關的性能控制， 通過檢測直流母線上流入逆變橋的直流電流即可，如變頻器中的自動轉矩補償、轉差率補償等。同時， 這一檢測結果也可以用來完成對逆變單元中IGBT 實現過流保護等功能。因此在這種逆變器中， 對IGBT 驅動電路的要求相對比較簡單， 成本也比較低。這種類型的驅動芯片主要有東芝公司生產的TLP250，夏普公司生產的PC923等等。這里主要針對TLP250 做一介紹。TLP250 包含一個GaAlAs 光發射二極管和一個集成光探測器， 8腳雙列封裝結構。適合于IGBT 或電力MOSFET 柵極驅動電路。圖2為TLP250 的內部結構簡圖， 表1 給出了其工作時的真值表。TLP250 的典型特征如下：1） 輸入閾值電流（ IF） ： 5 mA（ 最大） ；2） 電源電流（ ICC） ： 11 mA（ 最大） ；3） 電源電壓（ VCC） ： 10～ 35 V；4） 輸出電流（ IO） ： ± 0.5 A（ 最小） ；5） 開關時間（ tPLH /tPHL ） ： 0.5 μ（ s 最 大 ） ；6） 隔離電壓： 2500 Vpms（最小）。表2 給出了TLP250 的開關特性，表3 給出了TLP250 的推薦工作條件。注： 使 用 TLP250 時 應 在 管 腳 8和 5 間 連 接 一 個 0.1 μ的 F 陶 瓷 電 容 來穩定高增益線性放大器的工作， 提供的旁路作用失效會損壞開關性能， 電容和光耦之間的引線長度不應超過1 cm。圖3 和圖4 給出了TLP250 的兩種典型的應用電路。
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-20
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CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現光電轉換后，以電荷的方式存貯并以電荷轉移的方式順序輸出，需要專用的工藝制程實現；CIS圖像感光單元為光電二極管，可在通用CMOS集成電路工藝制程中實現，除此之外還可將圖像處理電路集成，實現更高的集成度和更低的功耗。目前CCD幾乎被日系廠商壟斷，只有少數幾個廠商例如索尼、夏普、松下、富士、東芝等掌握這種技術。CIS是90年代興起的新技術，掌握該技術的公司較多，美國有OmniVision，Aptina；歐洲有ST；韓國的三星，SiliconFile，Hynix等；日本的SONY，東芝等；中國臺灣的晶像；大陸地區的比亞迪，格科微等公司。由于CCD技術出現早，相對成熟，前期占據了絕大部分的高端市場。早期CIS與CCD相比，僅功耗與成本優勢明顯，因此多用于手機，PCCamera等便攜產品。隨著CIS技術的不斷進步，性能不斷提升；而CCD技術提升空間有限，進步緩慢。目前CIS不僅占據幾乎全部的便攜設備市場，部分高端DSC（DigitalStil Camera）市場，更是向CCD傳統優勢市場——監控市場發起沖擊。下面就監控專用CIS與傳統CCD進行綜合對比。
上傳時間： 2022-06-23
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