該文提出一種新顆的三電平LLc串聯(lián)電流諧振型Dc，Dc變換器。每個(gè)主開關(guān)電壓應(yīng)力是輸入電壓的一半，并且全范圍實(shí)現(xiàn)zvs而不用附加任何電路。整流二極管工作在zcs狀態(tài)。該變換器通過(guò)_次諧振的手段使得以較小的頻率變化范圍就可以實(shí)現(xiàn)較大的輸入輸出調(diào)節(jié)范圍。整個(gè)變換器只需一顆磁元件。
標(biāo)簽： DC_DC 三電平 軟開關(guān) 諧振
上傳時(shí)間： 2013-10-16
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采用滯環(huán)電流控制方式,以TMS320F2812為控制器組建了電壓型PWM整流器雙閉環(huán)自動(dòng)控制系統(tǒng)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該系統(tǒng)具有良好的靜態(tài)、動(dòng)態(tài)性能。為設(shè)計(jì)PWM整流器提供了一定的理論依據(jù)。
上傳時(shí)間： 2013-10-30
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現(xiàn)階段對(duì)電流型二線制光照強(qiáng)度變送器的研究還相對(duì)較少，設(shè)計(jì)的光照強(qiáng)度變送器普遍存在精度不高，線性度不好，性能不夠穩(wěn)定，不能輸出標(biāo)準(zhǔn)4~20 mA電流信號(hào)的問(wèn)題。介紹了一種電流型二線制光照強(qiáng)度變送器的設(shè)計(jì)，其結(jié)構(gòu)由光照強(qiáng)度轉(zhuǎn)電壓電路、電壓范圍轉(zhuǎn)換電路、電壓轉(zhuǎn)電流電路以及穩(wěn)壓電源產(chǎn)生電路組成。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該變送器具有精度高、線性度好、功耗低，能夠穩(wěn)定可靠地輸出標(biāo)準(zhǔn)4~20 mA電流的特點(diǎn)。
上傳時(shí)間： 2013-11-08
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電壓驅(qū)動(dòng)型脈寬調(diào)制器TL494
標(biāo)簽： 494 TL 電壓 驅(qū)動(dòng)
上傳時(shí)間： 2013-10-28
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描述了一種簡(jiǎn)易的交流數(shù)字電壓表的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。系統(tǒng)以MSP430F448為核心，該單片機(jī)內(nèi)部集成了12位的A/D轉(zhuǎn)換器，轉(zhuǎn)換器帶有內(nèi)部參考源、采樣保持、自動(dòng)掃描特性，極大地簡(jiǎn)化了硬件設(shè)計(jì)。
上傳時(shí)間： 2014-12-22
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數(shù)字電壓表是大學(xué)物理教學(xué)和實(shí)驗(yàn)中的重要儀表，其數(shù)字化是指將連續(xù)的模擬電壓量轉(zhuǎn)換成不連續(xù)、離散的數(shù)字量并加以顯示。傳統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)用模擬電壓表功能單一、精度低、體積大，且存在讀數(shù)時(shí)的視差，長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)使用易引起視覺疲勞，使用中存在諸多不便。而目前數(shù)字萬(wàn)用表的內(nèi)部核心多是模/數(shù)轉(zhuǎn)換器，其精度很大程度上限制了整個(gè)表的準(zhǔn)確度，可靠性較差。
標(biāo)簽： 數(shù)字 電壓表設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-10-16
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符合全球標(biāo)準(zhǔn)的小巧電源•35～150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導(dǎo)軌安裝• 安全標(biāo)準(zhǔn) ： UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1
上傳時(shí)間： 2014-04-17
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AC通用輸入(100~240V AC)全球?qū)?yīng)型電源1
上傳時(shí)間： 2014-04-15
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本文針對(duì)6KV中壓電網(wǎng)三相平衡負(fù)載的無(wú)功功率補(bǔ)償，結(jié)合二極管箝位多電平逆變器和H橋級(jí)聯(lián)多電平逆變器的特點(diǎn)，提出了一種能夠直接并入電網(wǎng)的新型主從式的逆變器結(jié)構(gòu)：主逆變器采用二極管箝位三電平逆變器，從逆變器采用三個(gè)H橋(即全橋)逆變器。主逆變器和H橋逆變器采用級(jí)聯(lián)的形式連接，最后構(gòu)成一個(gè)五電平的混聯(lián)逆變器。從逆變器負(fù)責(zé)產(chǎn)生一個(gè)方波電壓，構(gòu)成輸?shù)A正弦電壓的基本成分：主逆變器產(chǎn)生輸出電壓的補(bǔ)償部分以及負(fù)責(zé)消除低次諧波。對(duì)于主逆變器直流側(cè)電容電壓的平衡問(wèn)題，本文提出了一種采用硬件電路平衡的方法，從而降低了PWM調(diào)制時(shí)控制方法的復(fù)雜性。因?yàn)榧砷T極換相晶閘管(IGCT)這種新型電力電子器件具有開關(guān)頻率高、無(wú)緩沖電路、耐壓高等優(yōu)點(diǎn)，主電路選用IGCT作為開關(guān)器件。本文詳細(xì)分析了用于STATCOM的主從型逆變器電路結(jié)構(gòu)，同時(shí)給出了電路參數(shù)的確定方法，并對(duì)STATCOM逆變器輸出電壓的諧波進(jìn)行了理論分析。根據(jù)本文提出的主從型逆交器結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，建立了基于瞬時(shí)無(wú)功理論的STATCOM系統(tǒng)動(dòng)態(tài)控制模型，并給出了一種解藕反饋控制方法。最后通過(guò)仿真結(jié)果證明了所提出的這種主從型逆變器STA’rC0^I結(jié)構(gòu)在消除諧波方面的優(yōu)越性。
標(biāo)簽： STATCOM IGCT 逆變器 中的應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-10-31
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采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽(yáng)能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長(zhǎng),電池制備過(guò)程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過(guò)調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽(yáng)能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過(guò)調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
標(biāo)簽： NIP 非晶硅 薄膜太陽(yáng)能電池
上傳時(shí)間： 2013-11-21
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