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器件選型

  • S8JX開關(guān)電源(35/50/100/150-W型)

    符合全球標(biāo)準(zhǔn)的小巧電源•35~150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導(dǎo)軌安裝• 安全標(biāo)準(zhǔn)  :  UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1

    標(biāo)簽: S8JX 100 150 35

    上傳時(shí)間: 2014-04-17

    上傳用戶:fklinran

  • 高精度直流傳感器DCCT標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試系統(tǒng)

    摘要:在北京正負(fù)電子對(duì)撞機(jī)二期改造工程(BEPC2),磁鐵電源系統(tǒng)大量使用了電流型直流傳感器(DCCT)作為電源的反饋和回采器件.

    標(biāo)簽: DCCT 高精度 直流傳感器 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試

    上傳時(shí)間: 2013-10-19

    上傳用戶:Amygdala

  • AC通用輸入(100~240V AC)全球?qū)?yīng)型電源1

    AC通用輸入(100~240V AC)全球?qū)?yīng)型電源1

    標(biāo)簽: 100 240 AC 輸入

    上傳時(shí)間: 2014-04-15

    上傳用戶:u789u789u789

  • NIP型非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的研究

    采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽(yáng)能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長(zhǎng),電池制備過(guò)程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過(guò)調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽(yáng)能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過(guò)調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。

    標(biāo)簽: NIP 非晶硅 薄膜太陽(yáng)能電池

    上傳時(shí)間: 2013-11-21

    上傳用戶:wanqunsheng

  • 光無(wú)源器件常見問(wèn)題解答

    什么叫光無(wú)源器件?光無(wú)源器件是一種不必借助外部的任何光或電的能量,由自身能夠完成某種光學(xué)功能的光學(xué)元器件,其工作原理遵守幾何光學(xué)理論和物理光學(xué)理論,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)、各種計(jì)算公式和各種測(cè)試方法與纖維光學(xué)和集成光學(xué)息息相關(guān)。

    標(biāo)簽: 無(wú)源器件

    上傳時(shí)間: 2013-11-01

    上傳用戶:BIBI

  • 級(jí)聯(lián)型高壓變頻調(diào)速系統(tǒng)共模電壓分析

    了解高壓變頻系統(tǒng)共模電壓及其特點(diǎn),對(duì)整個(gè)變頻系統(tǒng)的設(shè)計(jì)具有重要意義。文中較詳細(xì)地分析了級(jí)聯(lián)型多電平高壓變頻系統(tǒng)共模電壓的產(chǎn)生機(jī)理,對(duì)兩種電壓胞脈寬調(diào)制(PWM) 方法引起的共模電壓進(jìn)行了比較,提出了采用電壓胞異相調(diào)制和3 次諧波注入法減小變頻系統(tǒng)共模電壓的策略。仿真計(jì)算表明,該方法既能減小變頻系統(tǒng)輸出共模電壓,又不致降低直流電壓利用率。

    標(biāo)簽: 級(jí)聯(lián)型 共模電壓 高壓變頻

    上傳時(shí)間: 2013-11-23

    上傳用戶:nairui21

  • 三相電壓源型PWM整流器的DSP控制

    描述了三相電壓源型PWM整流器的工作原理,基于整流器網(wǎng)側(cè)電流矢量推導(dǎo)出同步旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系下系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型,給出了一種電流前饋解耦控制算法。同時(shí)詳細(xì)介紹了基于電流前饋解耦的PWM整流器雙環(huán)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法。并且應(yīng)用TMS320LF2407A建立了PWM整流器的DSP數(shù)字化實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該整流器能獲得單位功率因數(shù)的正弦輸入電流、穩(wěn)定的直流輸出電壓和快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)。

    標(biāo)簽: PWM DSP 三相 電壓源

    上傳時(shí)間: 2013-10-11

    上傳用戶:asdfasdfd

  • 基于UC3844的變頻器IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)

    利用電流型PWM控制器UC3844設(shè)計(jì)單端反激式IGBT驅(qū)動(dòng)電源。介紹了電壓型PWM控制器和電流型PWM控制器的區(qū)別并詳細(xì)說(shuō)明電流型PWM控制器UC3844的工作原理,給出了單端反激式驅(qū)動(dòng)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu), 并詳細(xì)介紹外圍電路的搭建和器件選取數(shù)值計(jì)算過(guò)程。最后給出樣機(jī)實(shí)驗(yàn)波形, 該驅(qū)動(dòng)電源經(jīng)長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行, 各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)符合變頻器IGBT驅(qū)動(dòng)的要求, 表明該設(shè)計(jì)方案正確、可靠, 在工程應(yīng)用中具有一定的參考價(jià)值。

    標(biāo)簽: 3844 IGBT UC 變頻器

    上傳時(shí)間: 2013-10-14

    上傳用戶:wangzeng

  • 半導(dǎo)體激光電源簡(jiǎn)介

    半導(dǎo)體激光器是一種高功率密度并具有極高量子效率的器件,微小的電流變化將導(dǎo)致光功率輸出的極大變化和器件參數(shù)(如激射波長(zhǎng)、噪聲性能、模式跳動(dòng))的變化,這些變化直接影響器件的安全工作和應(yīng)用要求。 本公司設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的半導(dǎo)體激光電源LDD-AAVV-T是連續(xù)可調(diào)恒流電源,采用了目前國(guó)際先進(jìn)的半導(dǎo)體激光電源方案,選用優(yōu)質(zhì)元器件生產(chǎn)。具有輸出噪聲小、恒流特性好、電流穩(wěn)定、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),并具有防過(guò)沖、反沖和反浪涌的穩(wěn)壓、恒流雙重保護(hù)電路,保證激光器的穩(wěn)定工作和使用壽命。LDD-AAVV型半導(dǎo)體激光電源采用單片機(jī)管理和控制,是一種智能化高精度恒流型開關(guān)電源,可作為半導(dǎo)體激光打標(biāo)機(jī)的配套電源。針對(duì)激光打標(biāo)設(shè)備的特點(diǎn),電源還可管理水泵、指示光、振鏡和Q開關(guān)幾部分的開關(guān)。電源有LCD液晶顯示,能提供電源工作的各個(gè)參數(shù)及其工作狀態(tài)的顯示,具備過(guò)壓、過(guò)流、水溫和水壓報(bào)警功能,實(shí)為半導(dǎo)體激光器的理想電源。本電源還可以作為其它高精度恒流源,供設(shè)備使用。

    標(biāo)簽: 半導(dǎo)體 激光電源

    上傳時(shí)間: 2013-11-10

    上傳用戶:lifangyuan12

  • 高穩(wěn)定度穩(wěn)壓電源(GWE-1型)的研制

    摘要:本文簡(jiǎn)要介紹了GWE-1型穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)原理,已研制出樣機(jī),電勢(shì)差計(jì)使用此電源比它用于電池要節(jié)約數(shù)千元.此電源值得推廣應(yīng)用.關(guān)鍵詞:穩(wěn)壓電源;電流;電阻

    標(biāo)簽: GWE 高穩(wěn)定 穩(wěn)壓電源

    上傳時(shí)間: 2014-04-17

    上傳用戶:star_in_rain

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