可編程邏輯器件使用參考資料。 解答可編程器件使用中的常見問題。 供參考。
標(biāo)簽： 可編程器件 應(yīng)用技巧
上傳時(shí)間： 2013-05-19
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有機(jī)發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關(guān)注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點(diǎn)，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)柔性顯示，應(yīng)用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點(diǎn)和廣闊的商業(yè)前景，吸引了全球眾多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而，OLED也存在一些問題，特別是在發(fā)光機(jī)理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進(jìn)一步的研究。要達(dá)到這些目標(biāo)，除了器件的材料，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機(jī)理，結(jié)構(gòu)和封裝入手，首先，探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴(yán)重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能；ITO表面經(jīng)過氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大，明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次，針對(duì)光刻、曝光工藝技術(shù)進(jìn)行了一系列相關(guān)實(shí)驗(yàn)，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個(gè)重要因素，其厚度在1.2μm左右時(shí)，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結(jié)構(gòu)為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實(shí)驗(yàn)一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下用紫外冷光源照射1min進(jìn)行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進(jìn)行二次封裝。實(shí)驗(yàn)二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實(shí)驗(yàn)一的方法進(jìn)行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對(duì)兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進(jìn)行了測(cè)試與討論。通過對(duì)比，研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長(zhǎng)，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.3倍，研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標(biāo)等光電性能。最后，分別對(duì)三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進(jìn)行了研究。
上傳時(shí)間： 2013-07-11
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GAL器件的開發(fā)與應(yīng)用.rar GAL器件的開發(fā)與應(yīng)用.rar
上傳時(shí)間： 2013-07-14
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本文提出了一種適合于嵌入式SoC的USB器件端處理器的硬件實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)。并主要研究了USB器件端處理器的RTL級(jí)實(shí)現(xiàn)及FPGA原型驗(yàn)證、和ASIC實(shí)現(xiàn)研究，包括從模型建立、算法仿真、各個(gè)模塊的RTL級(jí)設(shè)計(jì)及仿真、FPGA的下載測(cè)試和ASIC的綜合分析。它的速度滿足預(yù)定的48MHz，等效門面積不超過1萬門，完全可應(yīng)用于SOC設(shè)計(jì)中。 本文重點(diǎn)對(duì)嵌入式USB器件端處理器的FPGA實(shí)現(xiàn)作了研究。為了準(zhǔn)確測(cè)試本處理器的運(yùn)行情況，本文應(yīng)用串口傳遞測(cè)試數(shù)據(jù)入FPGA開發(fā)板，測(cè)試模塊讀入測(cè)試數(shù)據(jù)，發(fā)送入PC機(jī)的主機(jī)端。通過NI-VISA充當(dāng)軟件端，檢驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù)的正確。
上傳時(shí)間： 2013-07-24
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07電子設(shè)計(jì)大賽論文 2007年全國電子設(shè)計(jì)大賽論文（A~J題）
標(biāo)簽： 2007 全國電子 設(shè)計(jì)大賽 論文
上傳時(shí)間： 2013-05-26
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easy，51pro，3.0編程器在2.0的基礎(chǔ)上增加了更多的芯片器件
上傳時(shí)間： 2013-07-25
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I2C總線規(guī)范與I2C器件C51讀寫程序 本文簡(jiǎn)要介紹了I2C總線，并給出了I2C器件的C51讀寫程序，極大的方便了大家對(duì)I2C總線的學(xué)習(xí)和設(shè)計(jì)應(yīng)用。程序設(shè)計(jì)采用模塊化設(shè)計(jì)，方便
上傳時(shí)間： 2013-06-22
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光電子器件模型與OEIC模擬 作者：陳維友;楊樹人;劉式墉 本書是作者多年來在光電子器件電路模型和光電集成回路計(jì)算機(jī)輔助分析研究方面的工作總結(jié)。
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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FPGA是一種可通過用戶編程來實(shí)現(xiàn)各種數(shù)字電路的集成電路器件。用FPGA設(shè)計(jì)數(shù)字系統(tǒng)有設(shè)計(jì)靈活、低成本，低風(fēng)險(xiǎn)、面市時(shí)間短等好處。本課題在結(jié)合國際上FPGA器件方面的各種研究成果基礎(chǔ)上，對(duì)FPGA器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行了深入的探討，重點(diǎn)對(duì)FPGA的互連結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析與優(yōu)化。FPGA器件速度和面積上相對(duì)于ASIC電路的不足很大程度上是由可編程布線結(jié)構(gòu)造成的，F(xiàn)PGA一般用大量的可編程傳輸管開關(guān)和通用互連線段實(shí)現(xiàn)門器件的連接，而全定制電路中僅用簡(jiǎn)單的金屬線實(shí)現(xiàn)，傳輸管開關(guān)帶來很大的電阻和電容參數(shù)，因而速度要慢于后者。這也說明，通過優(yōu)化可編程連接方式和布線結(jié)構(gòu)，可大大改善電路的性能。本文研究了基于SRAM編程技術(shù)的FPGA器件中邏輯模塊、互連資源等對(duì)FPGA性能和面積的影響。論文中在介紹FPGA器件的體系構(gòu)架后，首先對(duì)開關(guān)矩陣進(jìn)行了研究，結(jié)合Wilton開關(guān)矩陣和Disioint開關(guān)矩陣的特點(diǎn)，得到一個(gè)連接更加靈活的開關(guān)矩陣，提高了FPGA器件的可布線性，接著本課題中又對(duì)通用互連線長(zhǎng)度、通用互連線間的連接方式和布線通道的寬度等進(jìn)行了探討，并針對(duì)本課題中的FPGA器件，得出了一套適合于中小規(guī)模邏輯器件的通用互連資源結(jié)構(gòu)，仿真顯示新的互連方案有較好的速度和面積性能，在互連資源的面積和性能上達(dá)到一個(gè)很好的折中。 接下來課題中對(duì)FPGA電路的可編程邏輯資源進(jìn)行了研究，得到了一種邏輯規(guī)模適中的粗粒度邏輯塊簇，該邏輯塊簇采用類似Xilinx 公司的FPGA產(chǎn)品的LUT加觸發(fā)器結(jié)構(gòu)，使邏輯塊簇內(nèi)部基本邏輯單元的聯(lián)系更加緊密，提高了邏輯資源的功能和利用率。隨后我們還研究了IO模塊數(shù)目的確定和分布式SRAM結(jié)構(gòu)中編程電路結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，并簡(jiǎn)單介紹了SRAM單元的晶體管級(jí)設(shè)計(jì)原理。最后，在對(duì)FPGA構(gòu)架研究基礎(chǔ)上，完成了一款FPGA電路的設(shè)計(jì)并設(shè)計(jì)了相應(yīng)的電路測(cè)試方案，該課題結(jié)合CETC58研究所的一個(gè)重要項(xiàng)目進(jìn)行，目前已成功通過CSMC0.6μm 2P2M工藝成功流片，測(cè)試結(jié)果顯示其完全達(dá)到了預(yù)期的性能。
標(biāo)簽： SRAM FPGA 器件設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ) 電子入門到精通
標(biāo)簽： 半導(dǎo)體器件 物理
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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