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單點(diǎn)定位

  • 基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    標簽: MOS N溝道 H橋驅動 電路設計

    上傳時間: 2014-08-01

    上傳用戶:1109003457

  • 采用歸零法的N進制計數器原理

    計數器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎,用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器,并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行,運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。

    標簽: 歸零法 N進制計數器原

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:gtzj

  • p-n結的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • 新一代高速定位模塊QD75M詳解

    電子發燒友網為大家提供了新一代高速定位模塊QD75M詳解,希望看完之后你對高速定位模塊QD75M有一個全面的認識。

    標簽: 75M QD 75 定位模塊

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:stvnash

  • pcb layout design(臺灣硬件工程師15年經驗

    PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:單、雙層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD,一般稱為散熱孔或導通孔。11. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點),其原則如下:1. 一般測試點大小均為30-35mil,元件分布較密時,測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上,避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

    標簽: layout design pcb 硬件工程師

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:pei5

  • 通過提升性能來縮減太陽能電池板的尺寸

    本設計要點介紹了兩款能夠增加太陽能電池板接收能量的簡單電路。在這兩款電路中,均由太陽能電池板給電池充電,再由電池在沒有陽光照射的情況下提供應用電路運作所需的電源。

    標簽: 性能 太陽能電池板 尺寸

    上傳時間: 2013-11-16

    上傳用戶:KSLYZ

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態壓降影響的研究

     N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降,得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構,N+緩沖層濃度及厚度存在最優值,只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。

    標簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

    經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

    標簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • (N+X)熱插拔模塊并聯逆變電源應用前景

    隨著我國通信、電力事業的發展,通信、電力網絡的規模越來越大,系統越來越復雜。與之相應的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網絡中,傳統的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術的進步、完善,(N+X)熱插拔模塊并聯逆變電源已經非常成熟、可靠;在歐美的通信、電力發達的國家,各大通信運營商、電力供應商、軍隊均大量應用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較,(N+X)熱插拔模塊并聯逆變電源具有以下明顯的優點。

    標簽: 熱插拔 模塊 并聯 應用前景

    上傳時間: 2014-03-24

    上傳用戶:alan-ee

  • 基于單片機的GPS定位系統設計

    有關GPS全球定位系統的單片機課程設計方案

    標簽: GPS 單片機 定位 系統設計

    上傳時間: 2013-11-08

    上傳用戶:leixinzhuo

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