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經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
標簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間： 2014-09-08
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十天學會單片機和C51_視頻教程的種子文件
標簽： 51 單片機 視頻教程
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值得一看，郭天祥單片機教程習題整理。
標簽： 單片機教程
上傳時間： 2013-11-01
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十天學會單片機和C語言編程
標簽： 單片機 C語言編程
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郭天祥十天學會單片機TX-1原理圖
標簽： TX 單片機 原理圖
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郭天祥老師講解的單片機，從零學起，非常詳細
標簽： 單片機 語言
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郭天祥源視頻教程源程序
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郭天祥單片機課件 學要的可以看看
標簽： 單片機
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郭天祥51單片機開發板原理圖
標簽： 51單片機 開發板原理圖
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郭天祥老師的TX-1C增強版原理圖
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