主要程序代碼有 單片機與LED數碼管接口 LED大屏幕顯示器和接口 字符LCD 液晶顯示和接口 單片機與鍵盤接口 A/D轉換器接口 D/A 轉換器接口 串行通信基礎 MCS-51的串行接口 MCS-51單片機雙機通信 RS-232C串行通信總線標準及其接口 存儲器的擴展 串行口的I/O口擴展 數字鐘的設計與制作 單片機溫度檢測記錄系統
上傳時間: 2013-08-01
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有機發光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes,OLEDs)作為下一代顯示器倍受關注,它具有輕、薄、高亮度、快速響應、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優點,完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件,OLED的最大優越性是能夠與塑料晶體管技術相結合實現柔性顯示,應用前景非常誘人。OLED如此眾多的優點和廣闊的商業前景,吸引了全球眾多研究機構和企業參與其研發和產業化。然而,OLED也存在一些問題,特別是在發光機理、穩定性和壽命等方面還需要進一步的研究。要達到這些目標,除了器件的材料,結構設計外,封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現有的材料,從綠光OLED器件制作工藝、發光機理,結構和封裝入手,首先,探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴重影響著光刻質量和器件的最終性能;ITO表面經過氧等離子處理后其表面功函數增大,明顯提高了器件的發光亮度和發光效率。 其次,針對光刻、曝光工藝技術進行了一系列相關實驗,在光刻工藝中,光刻膠的厚度是影響光刻質量的一個重要因素,其厚度在1.2μm左右時,光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝,摸索出了最佳工藝參數。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結構為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm):C545T(2.1%摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝,實驗一中,在封裝玻璃的四周涂上UV膠,放入手套箱,在氮氣保護氣氛下用紫外冷光源照射1min進行一次封裝,然后取出OLED片,在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠,真空下用紫外冷光源照射1min,固化進行二次封裝。實驗二中,在各功能層蒸鍍完成后,又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層,然后再按實驗一的方法進行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發光光譜及壽命等特性進行了測試與討論。通過對比,研究發現增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長,其中,Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍,Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多,Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍,研究還發現薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標等光電性能。最后,分別對三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進行了研究。
上傳時間: 2013-07-11
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:嵌入式應用技術基礎教程1 第1章 嵌入式應用技術概述 第2章 嵌入式應用技術的硬件基礎 第3章 高級語言的串行通信編程 第4章 Freescale 08系列單片機概述 第5章 HC08 CPU與匯編基礎 第6章 通用I/O與第一個匯編程序 第7章 08C語言 第8章 串行通信接口SCI與串行外設接口SPI 第9章 鍵盤中斷模塊與A/D轉換模塊 第10章 定時接口模塊
上傳時間: 2013-05-23
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激光打標是指利用高能量密度的激光束在物件表面作永久性標刻。激光打標以其“打標速度快、性能穩定、打標質量好”等優勢,獲得了日益廣泛的應用。傳統的激光打標系統一般是基于ISA總線或PCI總線的,運動控制卡必須插在計算機的PCI插槽內,且不支持熱捅拔,影響了控制卡的穩定性;以單片機為主控制器的激光打標控制卡雖然成本低、運行可靠,但由于其運算速度慢、存儲容量有限,限制了它的應用范圍。 運動控制卡是激光打標系統的核心組成部分。本文設計了一種新型的基于USB總線,以FPGA為主控單元的振鏡掃描式激光打標控制卡,它利用了USB總線高速、穩定、易用和FPGA資源豐富、處理能力強、易擴展等優點,將PC機強大的信息處理能力與運動控制卡的運動控制能力相結合,具有信息處理能力強、開放程度高、使用方便的特點。 本文首先介紹了激光打標的原理,激光打標技術的發展現狀以及激光打標系統的組成結構。在對USB總線技術作了簡要介紹后,詳細討論了激光打標控制卡的硬件電路設計,包括USB接口電路,FPGA主控單元電路,D/A單元電路,存儲器電路,I/O接口電路等。接著對USB接口單元的固件程序和FPGA中USB接口功能模塊、D/A寫控制功能模塊和SRAM讀寫控制功能模塊的程序做了詳細設計,通過軟硬件調試,控制卡實現了USB通信,輸出兩路模擬信號,SRAM數據讀寫,數字量輸入輸出等功能。
上傳時間: 2013-04-24
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詳細講述了D類和E類的功率放大器設計原理及其參數選擇方法
標簽: 功率放大器
上傳時間: 2013-06-15
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高溫超導(High Temperature Superconductor,HTS)磁陰電動機與傳統磁陰電動機相比,能夠以更小的體積和重量實現更大的輸出功率、更高的功率因數和效率.國外有關超導磁阻電動機的研究目前還處于初級階段,國內在這一領域更為滯后.論文以普通磁阻電動機的電磁關系為基礎,結合超導材料特殊的電磁特性,初步提出了超導磁阻電動機電磁設計的一般原則;并嘗試進行了一臺額定功率為150W的內反應式HTS磁阻電動機的電磁設計.論文以實際設計的一臺內反應式HTS磁阻電動機樣機作為分析實例,基于第二類超導體臨界態Kim模型和電磁場的有限元方法,提出了一般HTS磁阻電動機的內部磁場及交、直軸同步電抗的分析與計算方法.并在此基礎上進一步研究了如何借助HTS磁阻電動機的電抗曲線分析HTS磁阻電動機的穩態工作特性.論文對常規磁阻電動機與HTS磁阻電動機進行了比較.計算結果表明,在電機尺寸、結構不變的前提下,超導磁阻電動機比常規磁阻電動機明顯地提高了電機X/X值,因而以更小的尺寸獲得了更大的輸出轉矩、更高的效率和功率因數,同時電機的穩定運行區間也有所增大.計算結果還表明,采用抗磁性更強的YBCO塊材作為交軸阻磁介質,能夠保證轉子在獲得較大的直、交軸磁阻差異的同時不必犧牲較大的極孤系數和氣隙寬度,從而氣隙磁密有較好的波形,電機具有較好的同步性能.論文也對幾種具有相同定子但轉子結構不同的HTS磁阻電動機做了比較,比較結果顯示,ALA式HTS磁阻電動機比內反應式HTS磁阻電動機具有更大的輸出轉矩;當輸出功率較大時,ALA結構的HTS磁阻電動機還比內反應結構具有更好的穩態工作特性.另外發現,thin-zebra ALA式HTS磁阻電動機的同步性能比thick-zebra ALA式HTS磁阻電動機更好.在進行內反應式HTS磁阻電動機的設計時,內反應槽既要盡量阻隔交軸磁通,又要分布的比較均勻,這樣才能既獲得足夠的直、交軸同步電抗比,又削弱轉矩脈動,從而最終改善電機的同步性能.
上傳時間: 2013-04-24
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一種8 位I/O口的單片機顯示器和鍵盤接口
上傳時間: 2013-07-29
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介紹單電源、低功耗、高精度 A/D轉換器 AD7714的特點、內部寄存器結構和外部接口;詳細闡述 AD7714與單片機 AT89C51的接口技術。
上傳時間: 2013-06-30
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本文介紹一種多通道的 12 位串行A/D 轉換器TLV2543 的功能特點和工作過程,討論了軟件編程輸入數據對器件工作方式的選擇,簡要敘述了器件時的工作時序,并給出TLV2543 與8
上傳時間: 2013-07-23
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本論文研究了基于ARM+Linux的嵌入式測控系統。論文闡述了嵌入式測控系統的特點。結合目前比較流行的SOC硬件技術,嵌入式軟件技術,以及目前較前沿的無線傳感器網絡技術,對構建一個既能進行本地多傳感器信息采集又能進行數據處理以及具有人機交互界的嵌入式測控系統進行了架構設計,即采用ARM+Linux架構。 論文詳細介紹了系統的硬件設計,包括核心板設計和應用底板設計。其中核心板又包括微處理器的設計和存儲器的設計;對于應用板,介紹了基于CS8900A的網絡模塊的設計,基于RS232和RS485的串行總線設計,以及基于ZigBee的無線模塊設計。同時,本論文詳細的介紹了系統的軟件設計。結合本系統所采用的U-Boot介紹了嵌入式Bootloader設計,并針對本系統的板級硬件對U-Boot進行了移植。結合本系統采用的Linux操作系統介紹了嵌入式操作系統的概念,并對Linux進行了板級移植。在分析研究嵌入式文件系統的特點的基礎上,確定Cramfs作為本系統的根文件系統,并結合現有的開源軟件Busybox搭建了一個完整的根文件系統命令集。 在本系統硬、軟件平臺上,研究了終端應用層上的開發。并完成了在終端上的嵌入式圖形用戶界面QT的移植,并且為系統開發出相應的I/O和A/D設備驅動驅動程序。 論文在最后介紹了本系統的一個簡單應用,即利用QT圖形庫和多線程編程技術,在現有的硬件平臺上設計出了一個溫度和濕度的無線數據采集程序。顯示直觀,界面友好,體現了本平臺具有一定的應用前景。
上傳時間: 2013-07-06
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