ADM2582E/ADM2587E是具備±15 kV ESD保護功能的完全集成式隔離數據收發器,適合用于多點傳輸線路上的高速通信應用。ADM2582E/ADM2587E包含一個集成式隔離DC-DC電源,不再需要外部DC/DC隔離模塊。 該器件針對均衡的傳輸線路而設計,符合ANSI TIA/EIA-485-A-98和ISO 8482:1987(E)標準。 它采用ADI公司的iCoupler®技術,在單個封裝內集成了一個三通道隔離器、一個三態差分線路驅動器、一個差分輸入接收器和一個isoPower DC/DC轉換器。該器件采用5V或3.3V單電源供電,從而實現了完全集成的信號和電源隔離RS-485解決方案。 ADM2582E/ADM2587E驅動器帶有一個高電平有效使能電路,并且還提供一個高電平接收機有效禁用電路,可使接收機輸出進入高阻抗狀態。 該器件具備限流和熱關斷特性,能夠防止輸出短路。 隔離的RS-485/RS-422收發器,可配置成半雙工或全雙工模式 isoPower™集成式隔離DC/DC轉換器 在RS-485輸入/輸出引腳上提供±15 kV ESD保護功能 符合ANSI/TIA/EIA-485-A-98和ISO 8482:1987(E)標準 ADM2587E數據速率: 500 kbps 5 V或3.3V電源供電 總線上擁有256個節點 開路和短路故障安全接收機輸入 高共模瞬態抑制能力: >25 kV/μs 熱關斷保護
標簽: 2582E 2582 ADM 集成式
上傳時間: 2013-10-27
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1.1_SHOT : 10個雜項器件,其中有54,74,CD的 2.7400~74S : 74系列的器件 3.AA_IGBT : IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET 4.AA_MISC : 雜項DIODE MOSFET ...............................
標簽: Pspice 元件庫
上傳時間: 2013-11-03
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COOLMOS ICE2A165/265/365是Infineon technologies 公司推出的系列PWM+MOSFET二合一芯片,其突出特點是由其組成的開關電源,在市電電網中工作時,無需外加散熱器即可輸出20~50W的輸出功率;且能自動降低空載時的工作頻率,從而降低待機狀態的損耗;同時還具有過、欠壓保護、過熱保護、過流保護以及自恢復功能,因而在中小功率開關電源中有著廣泛 的應用前景
標簽: COOLMOS 組合式 器件 中的應用
上傳時間: 2013-10-17
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闡述了IGBT 驅動電路的基本特點, 針對模塊器件的特點, 設計了一緊湊、實用的驅動電路板, 解決了功率電子電路中電源多的問題L 試驗證明, 此電路可靠, 具有可拓展性和保護功能.
標簽: IGBT 模塊 分 驅動電路
上傳時間: 2014-12-24
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提出了一種固定開關頻率的三電平PWM整流器的直接功率控制方法。該方法基于空間電壓矢量調制,實現了動態過程中有功功率和無功功率的解耦控制。
標簽: PWM 開關頻率 三電平 功率控制
上傳時間: 2013-11-07
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對不穩定風和陣風進行風速預測,以平穩風為例,根據實際風電功率和對應時序風速的關系建模,得到了風電功率隨風速變化的各類模型下的擬合參數。為了提高風電功率的預測精度,通過從分段函數和整體建模兩個角度比較各種模型的準確程度,得到了適宜于作為風電功率特性曲線的函數模型。
標簽: 灰色模型 功率預測 風速 風電
上傳時間: 2013-10-08
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隨著功率開關器件的發展,電力電子裝置日益小型化和高頻化,電氣性能大幅提高,但是隨之產生的高次諧波卻對電網造成嚴重污染。在電力電子設備中,整流器(AC/DC變流器)占有較大的比例,是主要的污染源。由于固態感應加熱電源對于電網呈現非線性特性,從電網中輸出的電流就不是標準的正弦曲線。高頻諧波電流對電力設施產生過熱或其他危害。 Boost電路應用到功率因數校正方面已經較為成熟,對于幾百瓦小功率的功率因數校正,常規的電路是可以實現的。但是對于大功率諸如感應加熱電源,還存在很多的實際問題。為了解決開關器件由于二極管反向恢復時產生的沖擊電流而易損壞的情況,減少開關器件在高頻下的開關損耗,本文采用一種無源無損緩沖電路取代傳統的LC濾波電路。在分析了軟開關電路的工作原理以及逆變模塊的分時-移相功率控制策略后,應用Matlab軟件進行了仿真,并通過實驗結果驗證了理論分析的正確性。
標簽: APFC 軟開關 倍頻 感應加熱電源
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單開關(或稱單晶體管)正激轉換器是一種最基本類型的基于變壓器的隔離降壓轉換器,廣泛用于需要大降壓比的應用。這種轉換器的優點包括只需單顆接地參考晶體管,及非脈沖輸出電流減小輸出電容的均方根紋波電流含量等。但這種轉換器的功率能力小于半橋或全橋拓撲結構,且變壓器需要磁芯復位,使這種轉換器的最大占空比限制在約50%。此外,金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)開關的漏電壓變化達輸入電壓的兩倍或更多,使這種拓撲結構較難于用在較高輸入電壓的應用。
標簽: 雙開關 正激轉換器 應用設計
上傳時間: 2013-12-22
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移相控制的全橋PWM變換器是最常用的中大功率DC/DC變換電路拓撲形式之一。移相PWM控制方式利用開關管的結電容和高頻變壓器的漏電感或原邊串聯電感作為諧振元件,使開關管能進行零電壓開通和關斷,從而有效地降低了電路的開關損耗和開關噪聲,減少了器件開關過程中產生的電磁干擾,為變換器提高開關頻率、提高效率、減小尺寸及減輕質量提供了良好的條件。然而,傳統的移相全橋變換器的輸出整流二極管存在反向恢復過程,會引起寄生振蕩,二極管上存在很高的尖峰電壓,需增加阻容吸收回路進行抑制,文獻提出了兩種帶箝位二極管的拓撲,可以很好地抑制寄生振蕩。本文采取文獻提出的拓撲結構,設計了一臺280 W移相全橋軟開關DC/DC變換器,該變換器輸入電壓為194~310 V,輸出電壓為76V。
標簽: 280W 移相全橋 軟開關
上傳時間: 2014-08-30
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功率場效應晶體管由于具有諸多優點而得到廣泛的應用;但它承受短時過載的能力較弱,使其應用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅動與保護電路的設計要求;計算了MOSFET驅動器的功耗及MOSFET驅動器與MOSFET的匹配;設計了基于IR2130驅動模塊的MOSFET驅動保護電路。該電路具有結構簡單,實用性強,響應速度快等特點。在驅動無刷直流電機的應用中證明,該電路驅動能力及保護功能效果良好。
標簽: MOSFET 驅動保護電路
上傳時間: 2013-12-18
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