2018專升本操作系統綜合實踐題目參考
上傳時間： 2019-06-17
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電力電子器件及應用技術電力電子器件及應用技電電力電子器件及應用技術力電子器件及應用技術術
標簽： 電力電子器件及應用技術
上傳時間： 2019-07-01
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在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
標簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
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2018年河南專升本高數真題 。。。。后續持續上傳中
標簽： 高數
上傳時間： 2021-09-17
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電磁兼容學科是一門綜合性交叉學科，實用性很強。本書注重從實際出發，結合強電類工程實際的特點，介紹了電磁兼容的基本知識，包括電磁干擾的產生和電磁兼容性的實現技術，以及一些常見的電磁干擾問題及其解決方法。
上傳時間： 2021-10-16
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電磁兼容學科是一門綜合性交叉學科，實用性很強。本書注重從實際出發，結合強電類工程實際的特點，介紹了電磁兼容的基本知識，包括電磁干擾的產生和電磁兼容性的實現技術，以及一些常見的電磁干擾問題及其解決方法。本書第1 章介紹了電磁兼容的基本概念和電磁干擾源及危害。第2 章介紹了傳導和輻射兩類干擾的產生機理。第3 章至第5 章介紹了接地、屏蔽和濾波等三種主要的電磁兼容性技術。第6 章介紹了電磁干擾的發射和敏感性測量技術。第7 至第9 章結合實際，具體介紹了靜電防護、電子系統的電磁兼容設計和浪涌抑制技術。第10 章介紹了與電力系統相關的一些典型的電磁兼容問題。
標簽： 電磁兼容
上傳時間： 2021-10-16
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BUCKBOOST電路原理分析uck變換器：也稱降壓式變換器，是一種輸出電壓小于輸入電壓的單管不隔離直流變換器。 圖中，Q為開關管，其驅動電壓一般為PWM(Pulse、width、modulation脈寬調制)信號，信號周期為Ts，則信號頻率為f=1/Ts，導通時間為Ton，關斷時間為Toff，則周期Ts=Ton+Toff，占空比Dy=、Ton/Ts。 Boost變換器：也稱升壓式變換器，是一種輸出電壓高于輸入電壓的單管不隔離直流變換器。 開關管Q也為PWM控制方式，但最大占空比Dy必須限制，不允許在Dy=1的狀態下工作。電感Lf在輸入側，稱為升壓電感。Boost變換器也有CCM和DCM兩種工作方式 Buck/Boost變換器：也稱升降壓式變換器，是一種輸出電壓既可低于也可高于輸入電壓的單管不隔離直流變換器，但其輸出電壓的極性與輸入電壓相反。Buck/Boost變換器可看做是Buck變換器和Bo
上傳時間： 2021-10-18
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設計高速電路必須考慮高速訊 號所引發的電磁干擾、阻抗匹配及串音等效應，所以訊號完整性 (signal integrity)將是考量設計電路優劣的一項重要指標，電路日異複雜必須仰賴可 靠的軟體來幫忙分析這些複雜的效應，才比較可能獲得高品質且可靠的設計， 因此熟悉軟體的使用也將是重要的研究項目之一。另外了解高速訊號所引發之 各種效應(反射、振鈴、干擾、地彈及串音等)及其克服方法也是研究高速電路 設計的重點之一。目前高速示波器的功能越來越多，使用上很複雜，必須事先 進修學習，否則無法全盤了解儀器之功能，因而無法有效發揮儀器的量測功能。 其次就是高速訊號量測與介面的一些測試規範也必須熟悉，像眼圖分析，探針 效應，抖動(jitter)測量規範及高速串列介面量測規範等實務技術，必須充分 了解研究學習，進而才可設計出優良之教學教材及教具。
標簽： 高速電路
上傳時間： 2021-11-02
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概述●TX6301 是一款寬輸入輸出電壓范圍的高精度、高效率的升降壓型 LED 恒 流驅動控制芯片。●芯片采用電流模閉環控制方式，可實現高精度的恒流驅動。●工作 頻率可通過外接電容調整。內置逐周期限流保護，軟啟動，過溫保護等功能，保證 系統可靠性。●內置調光腳，可通過 CE 腳加PWM 信號進行 LED 燈調光。●芯片具 有穩定可靠、動態響應快等優點，并能實現高精度、高效率升降壓恒流驅動。●內置 VDD 穩壓管,芯片采用 SOP8 封裝。
標簽： TX6301
上傳時間： 2021-11-05
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作者：何亮，劉揚論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 闊 的 市場前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術 路 線 ，其 中 結 型 柵 結 構 （p 型 柵 ）和 共 源 共 柵 級 聯 結 構 (C asco de)的 常 關 型 器 件 已 經 逐 步 實 現 產 業 化 ，并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領 域 得 到 應 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結 構 存 在 的 缺 點 ，業 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實用 化 ，仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩 定 性 方 面 的 挑 戰 。
上傳時間： 2021-12-08
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