本書系統介紹電磁兼容技術的基本知識、概念，以及國內、外電磁兼容技術標準，著重從工程實踐角度闡述電磁兼容技術的原理、應用方法及應注意事項。全書共分10章，內容包括：屏蔽技術、濾波技術、接地技術、線路板設計、電纜設計、瞬態干擾抑制、電磁干擾診斷與解決技術以及在無線電通信系統和計算機系統中的EMC技術。 第2章 屏蔽技術 第3章 濾波技術
標簽： 電磁兼容 設計技術
上傳時間： 2013-06-22
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【人郵出版社，2004，楊克俊編著】 本書系統介紹電磁兼容技術的基本知識、概念，以及國內、外電磁兼容技術標準，著重從工程實踐角度闡述電磁兼容技術的原理、應用方法及應注意事項。全書共分10章，內容包括：屏蔽技術、濾波技術、接地技術、線路板設計、電纜設計、瞬態干擾抑制、電磁干擾診斷與解決技術以及在無線電通信系統和計算機系統中的EMC技術。 第4章 接地和搭接技術 第5章 線路板設計
上傳時間： 2013-07-02
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【人郵出版社，2004，楊克俊編著】 本書系統介紹電磁兼容技術的基本知識、概念，以及國內、外電磁兼容技術標準，著重從工程實踐角度闡述電磁兼容技術的原理、應用方法及應注意事項。全書共分10章，內容包括：屏蔽技術、濾波技術、接地技術、線路板設計、電纜設計、瞬態干擾抑制、電磁干擾診斷與解決技術以及在無線電通信系統和計算機系統中的EMC技術。 第6章 電纜設計
上傳時間： 2013-06-28
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【人郵出版社，2004，楊克俊編著】 本書系統介紹電磁兼容技術的基本知識、概念，以及國內、外電磁兼容技術標準，著重從工程實踐角度闡述電磁兼容技術的原理、應用方法及應注意事項。全書共分10章，內容包括：屏蔽技術、濾波技術、接地技術、線路板設計、電纜設計、瞬態干擾抑制、電磁干擾診斷與解決技術以及在無線電通信系統和計算機系統中的EMC技術。 第7章 瞬態干擾的抑制
上傳時間： 2013-06-10
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【人郵出版社，2004，楊克俊編著】 本書系統介紹電磁兼容技術的基本知識、概念，以及國內、外電磁兼容技術標準，著重從工程實踐角度闡述電磁兼容技術的原理、應用方法及應注意事項。全書共分10章，內容包括：屏蔽技術、濾波技術、接地技術、線路板設計、電纜設計、瞬態干擾抑制、電磁干擾診斷與解決技術以及在無線電通信系統和計算機系統中的EMC技術。 第8章 電磁干擾的診斷與解決技術
上傳時間： 2013-06-27
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【人郵出版社，2004，楊克俊編著】 本書系統介紹電磁兼容技術的基本知識、概念，以及國內、外電磁兼容技術標準，著重從工程實踐角度闡述電磁兼容技術的原理、應用方法及應注意事項。全書共分10章，內容包括：屏蔽技術、濾波技術、接地技術、線路板設計、電纜設計、瞬態干擾抑制、電磁干擾診斷與解決技術以及在無線電通信系統和計算機系統中的EMC技術。 第9章 無線電通信系統中的電磁兼容技術
上傳時間： 2013-04-24
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【人郵出版社，2004，楊克俊編著】 本書系統介紹電磁兼容技術的基本知識、概念，以及國內、外電磁兼容技術標準，著重從工程實踐角度闡述電磁兼容技術的原理、應用方法及應注意事項。全書共分10章，內容包括：屏蔽技術、濾波技術、接地技術、線路板設計、電纜設計、瞬態干擾抑制、電磁干擾診斷與解決技術以及在無線電通信系統和計算機系統中的EMC技術。 第10章 計算機系統中的電磁兼容技術 附錄A-F
上傳時間： 2013-07-23
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·內容簡介本書由淺入深、全面系統地介紹了DSP芯片的基本原理、開發和應用。首先介紹了目前廣泛應用的DSP芯片的基本結構和特征，以及定點和浮點DSP處理中的一些關鍵問題；其次介紹了目前應用最廣的TI DSP芯片中的TMS320C5000系列及其硬件結構、匯編指令和尋址方式；然后介紹了基于C和匯編語言的開發方法、芯片的開發工具及使用，重點介紹了CCS集成開發環境：較為詳細地介紹了DSP系統的軟硬件設計方
標簽： DSP 芯片
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開關電源基本原理與設計介紹，臺達的資料，很好的
標簽： 開關 電源基本
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對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。
標簽： CoolMos 制造
上傳時間： 2013-11-11
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