TI公司經(jīng)典
標(biāo)簽： TI 運(yùn)算放大器 設(shè)計(jì)指南 有源濾波器
上傳時(shí)間： 2013-11-07
上傳用戶：yyq123456789
TI-公司msp430開(kāi)發(fā)板原理圖
標(biāo)簽： 430 msp TI 開(kāi)發(fā)板原理圖
上傳時(shí)間： 2013-12-23
上傳用戶：digacha
TI封裝
標(biāo)簽： 封裝技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-10-30
上傳用戶：waitingfy
運(yùn)用PROTEL DXP 2004設(shè)計(jì)的項(xiàng)目“單管放大”視頻教學(xué)，完整展現(xiàn)了從原理圖到PCB的過(guò)程
標(biāo)簽： PCB 單管放大 原理圖
上傳時(shí)間： 2013-11-25
上傳用戶：龍飛艇
創(chuàng)建PCB元件管腳封裝
標(biāo)簽： PCB 元件 管腳 封裝
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：chenjjer
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過(guò)電流和過(guò)電壓條件下?lián)p壞的模式，并說(shuō)明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測(cè)試過(guò)電流和過(guò)電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動(dòng)態(tài)老化測(cè)試中慢速開(kāi)通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長(zhǎng)時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會(huì)產(chǎn)生過(guò)電流和過(guò)電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過(guò)程。
標(biāo)簽： MOSFET 開(kāi)關(guān)電源 功率 分
上傳時(shí)間： 2013-11-14
上傳用戶：dongqiangqiang
帶數(shù)碼管顯示的 移動(dòng)電源原理圖
標(biāo)簽： 移動(dòng)電源 原理圖 數(shù)碼管
上傳時(shí)間： 2013-10-21
上傳用戶：拔絲土豆
通俗易懂的介紹MOS管和使用方法
標(biāo)簽： MOS N溝道
上傳時(shí)間： 2014-08-23
上傳用戶：woshinimiaoye
開(kāi)關(guān)電源，電機(jī)驅(qū)動(dòng)用MOS管：2SK2843
標(biāo)簽： 2843 MOS 2SK SK
上傳時(shí)間： 2013-10-27
上傳用戶：wsf950131
SCR三相調(diào)壓觸發(fā)電路已有不少設(shè)計(jì)與應(yīng)用，文中提出了一種簡(jiǎn)化的基于STM32的調(diào)壓觸發(fā)電路設(shè)計(jì)方案，并完成了系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)主要采用了光電隔離并利用三相電源自身的相間換流特性，只用三組觸發(fā)信號(hào)就可以達(dá)到控制六只晶閘管導(dǎo)通角的作用。軟件部分采用了STM32芯片多個(gè)高性能定時(shí)器及周邊AD接口，完成了高精度觸發(fā)信號(hào)發(fā)生、PID控制調(diào)壓等功能。通過(guò)實(shí)驗(yàn)表明該系統(tǒng)簡(jiǎn)便可靠，達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。
標(biāo)簽： STM 32 晶閘管 三相調(diào)壓電路
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