在本課題中,兼顧了效率及線性度,采用自適應(yīng)預(yù)失真前饋復(fù)合線性化系統(tǒng)來(lái)改善高功率放大器的線性度。由于加入自適應(yīng)控制模塊,射頻電路不受溫度、時(shí)漂、輸入功率等的影響,可始終處于較佳工作狀態(tài),這使得整個(gè)放大系統(tǒng)更為實(shí)用,也更具有拓展價(jià)值。
上傳時(shí)間: 2013-11-21
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設(shè)計(jì)了水聲信號(hào)發(fā)生系統(tǒng)中的功率放大電路,可將前級(jí)電路產(chǎn)生的方波信號(hào)轉(zhuǎn)換為正弦信號(hào),同時(shí)進(jìn)行濾波、功率放大,使其滿足換能器對(duì)輸入信號(hào)的要求。該電路以單片機(jī)AT89C52,集成6階巴特沃思低通濾波芯片MF6以及大功率運(yùn)算放大器LM12為核心,通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)RS232接口與PC進(jìn)行通信,實(shí)現(xiàn)信號(hào)增益的程控調(diào)節(jié),對(duì)干擾信號(hào)具有良好的抑制作用。經(jīng)調(diào)試該電路工作穩(wěn)定正常,輸出波形無(wú)失真,在輸出功率以及放大增益、波紋系數(shù)等方面均滿足設(shè)計(jì)要求。 This paper presented a design and implementation of underwater acoustic power amplifer. This circuit converted the rectangle signal generated by frontend circuit into the sine signal, then filtered and power amplification, it meets the requirements of the transducer.Included AT89C52, 6th order Butterworth filter MF6, hipower amplififier LM12.Communication with PC through the RS232 port. The signal gain is adjustable and could be remote controlled. It has a good inhibitory effect on the interference signal. After debugged, this circuit works stable, the output waveform has no distortion, it meets the design requirement in outprt power, amplifier gain and ripple factor.
上傳時(shí)間: 2013-11-20
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利用MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),采取AB類推挽式功率放大方式,采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù),設(shè)計(jì)出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊,其輸出脈沖功率達(dá)1200W,工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實(shí)用結(jié)果表明,該放大器工作穩(wěn)定,性能可靠
上傳時(shí)間: 2013-11-17
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本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡(jiǎn)要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性,然后根據(jù)功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求,對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了參數(shù)計(jì)算并且選擇應(yīng)用了實(shí)用可靠的驅(qū)動(dòng)電路。此外,對(duì)功率MOSFET在兆赫級(jí)并聯(lián)山于不同的參數(shù)影響而引起的電流分配不均衡問(wèn)題做了仿真研究及分析。
標(biāo)簽: MOSFET 高頻 功率 驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間: 2013-11-22
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利用四分之三波長(zhǎng)折疊微帶線與四分之一波長(zhǎng)微帶線級(jí)聯(lián),并在輸入端口引入四分之一波長(zhǎng)短路線,設(shè)計(jì)出一種新型的超寬帶功率分配器。采用奇偶模的方法進(jìn)行理論分析,導(dǎo)出設(shè)計(jì)參數(shù)方程,并通過(guò)HFSS進(jìn)行仿真優(yōu)化。仿真和測(cè)量結(jié)果表明, 輸入回波損耗從3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入損耗從2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB,從9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。輸出端口的回波損耗和隔離度從3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高頻的帶外抑制在14.2 GHz時(shí)達(dá)到20 dB。
上傳時(shí)間: 2013-11-08
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低功率LED設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)在于實(shí)現(xiàn)由監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定的電源調(diào)節(jié)、 由監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)指導(dǎo)的能量變換以及通常由市場(chǎng)接受度設(shè)定的有效負(fù)載控制(其中包括調(diào)光保真度)這三者的平衡。 FL7730和FL7732能較好地取得這種平衡,用一個(gè)電路即可執(zhí)行全部三項(xiàng)功能。
上傳時(shí)間: 2013-11-13
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為研究功率型鋰離子電池性能,對(duì)某35 Ah功率型鋰離子電池單體進(jìn)行了充放電特性試驗(yàn)和分析,由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內(nèi)阻特性和溫升特性。研究結(jié)果表明,低溫下電池的充放電內(nèi)阻較大,充放電性能衰減顯著;常溫下電池的內(nèi)阻較小,充放電溫升較小,大電流充放電的容量穩(wěn)定性好,質(zhì)量比能量高,作為電傳動(dòng)車輛主要或輔助動(dòng)力源具有良好的應(yīng)用前景。
上傳時(shí)間: 2013-11-13
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結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài),論述了功率MOSFET管分別在過(guò)電流和過(guò)電壓條件下?lián)p壞的模式,并說(shuō)明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因,也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過(guò)程中發(fā)生失效形態(tài)的差別,從而為失效在關(guān)斷或在開通過(guò)程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測(cè)試過(guò)電流和過(guò)電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動(dòng)態(tài)老化測(cè)試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長(zhǎng)時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后,結(jié)合實(shí)際應(yīng)用,論述了功率MOSFET通常會(huì)產(chǎn)生過(guò)電流和過(guò)電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過(guò)程。
標(biāo)簽: MOSFET 開關(guān)電源 功率 分
上傳時(shí)間: 2013-11-14
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功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)技術(shù)
標(biāo)簽: MOSFET 功率 保護(hù)技術(shù) 驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間: 2013-10-22
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德州儀器功率電池管理解決方案
上傳時(shí)間: 2013-10-26
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