設(shè)計了水聲信號發(fā)生系統(tǒng)中的功率放大電路，可將前級電路產(chǎn)生的方波信號轉(zhuǎn)換為正弦信號，同時進(jìn)行濾波、功率放大，使其滿足換能器對輸入信號的要求。該電路以單片機(jī)AT89C52，集成6階巴特沃思低通濾波芯片MF6以及大功率運(yùn)算放大器LM12為核心，通過標(biāo)準(zhǔn)RS232接口與PC進(jìn)行通信，實(shí)現(xiàn)信號增益的程控調(diào)節(jié)，對干擾信號具有良好的抑制作用。經(jīng)調(diào)試該電路工作穩(wěn)定正常，輸出波形無失真，在輸出功率以及放大增益、波紋系數(shù)等方面均滿足設(shè)計要求。 This paper presented a design and implementation of underwater acoustic power amplifer. This circuit converted the rectangle signal generated by frontend circuit into the sine signal， then filtered and power amplification， it meets the requirements of the transducer.Included AT89C52， 6th order Butterworth filter MF6， hipower amplififier LM12.Communication with PC through the RS232 port. The signal gain is adjustable and could be remote controlled. It has a good inhibitory effect on the interference signal. After debugged， this circuit works stable， the output waveform has no distortion， it meets the design requirement in outprt power， amplifier gain and ripple factor.
上傳時間： 2013-11-20
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利用MOS場效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達(dá)1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實(shí)用結(jié)果表明，該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠
上傳時間： 2013-11-17
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電子學(xué)名詞1、 電阻率---又叫電阻系數(shù)或叫比電阻。是衡量物質(zhì)導(dǎo)電性能好壞的一個物理量，以字母ρ表示，單位為歐姆*毫米平方/米。在數(shù)值上等于用那種物質(zhì)做的長1米截面積為1平方毫米的導(dǎo)線，在溫度20C時的電阻值，電阻率越大，導(dǎo)電性能越低。則物質(zhì)的電阻率隨溫度而變化的物理量，其數(shù)值等于溫度每升高1C時，電阻率的增加與原來的電阻電阻率的比值，通常以字母α表示，單位為1/C。2、 電阻的溫度系數(shù)----表示物質(zhì)的電阻率隨溫度而變化的物理量，其數(shù)值等于溫度每升高1C時，電阻率的增加量與原來的電阻率的比值，通常以字母α表示，單位為1/C。3、 電導(dǎo)----物體傳導(dǎo)電流的本領(lǐng)叫做電導(dǎo)。在直流電路里，電導(dǎo)的數(shù)值就是電阻值的倒數(shù)，以字母ɡ表示，單位為歐姆。4、 電導(dǎo)率----又叫電導(dǎo)系數(shù)，也是衡量物質(zhì)導(dǎo)電性能好壞的一個物理量。大小在數(shù)值上是電阻率的倒數(shù)，以字母γ表示，單位為米/歐姆*毫米平方。5、 電動勢----電路中因其他形式的能量轉(zhuǎn)換為電能所引起的電位差，叫做電動勢或者簡稱電勢。用字母E表示，單位為伏特。6、 自感----當(dāng)閉合回路中的電流發(fā)生變化時，則由這電流所產(chǎn)生的穿過回路本身磁通也發(fā)生變化，因此在回路中也將感應(yīng)電動勢，這現(xiàn)象稱為自感現(xiàn)象，這種感應(yīng)電動勢叫自感電動勢。7、 互感----如果有兩只線圈互相靠近，則其中第一只線圈中電流所產(chǎn)生的磁通有一部分與第二只線圈相環(huán)鏈。當(dāng)?shù)谝痪€圈中電流發(fā)生變化時，則其與第二只線圈環(huán)鏈的磁通也發(fā)生變化，在第二只線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電動勢。這種現(xiàn)象叫做互感現(xiàn)象。8、 電感----自感與互感的統(tǒng)稱。9、 感抗----交流電流過具有電感的電路時，電感有阻礙交流電流過的作用，這種作用叫做感抗，以Lx表示，Lx=2πfL。10、容抗----交流電流過具有電容的電路時，電容有阻礙交流電流過的作用，這種作用叫做容抗，以Cx表示，Cx=1/12πfc。11、脈動電流----大小隨時間變化而方向不變的電流，叫做脈動電流。12、振幅----交變電流在一個周期內(nèi)出現(xiàn)的最大值叫振幅。13、平均值----交變電流的平均值是指在某段時間內(nèi)流過電路的總電荷與該段時間的比值。正弦量的平均值通常指正半周內(nèi)的平均值，它與振幅值的關(guān)系：平均值=0.637*振幅值。14、有效值----在兩個相同的電阻器件中，分別通過直流電和交流電，如果經(jīng)過同一時間，它們發(fā)出的熱量相等，那么就把此直流電的大小作為此交流電的有效值。正弦電流的有效值等于其最大值的0.707倍。15、有功功率----又叫平均功率。交流電的瞬時功率不是一個恒定值，功率在一個周期內(nèi)的平均值叫做有功功率，它是指在電路中電阻部分所消耗的功率，以字母P表示，單位瓦特。16、視在功率----在具有電阻和電抗的電路內(nèi)，電壓與電流的乘積叫做視在功率，用字母Ps來表示，單位為瓦特。17、無功功率----在具有電感和電容的電路里，這些儲能元件在半周期的時間里把電源能量變成磁場（或電場）的能量存起來，在另半周期的時間里對已存的磁場（或電場）能量送還給電源。它們只是與電源進(jìn)行能量交換，并沒有真正消耗能量。我們把與電源交換能量的速率的振幅值叫做無功功率。用字母Q表示，單位為芝。
標(biāo)簽： 電子學(xué)
上傳時間： 2013-11-23
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本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動電路和在動態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求，對驅(qū)動電路進(jìn)行了參數(shù)計算并且選擇應(yīng)用了實(shí)用可靠的驅(qū)動電路。此外，對功率MOSFET在兆赫級并聯(lián)山于不同的參數(shù)影響而引起的電流分配不均衡問題做了仿真研究及分析。
標(biāo)簽： MOSFET 高頻 功率 驅(qū)動電路
上傳時間： 2013-11-22
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數(shù)字與模擬電路設(shè)計技巧IC與LSI的功能大幅提升使得高壓電路與電力電路除外，幾乎所有的電路都是由半導(dǎo)體組件所構(gòu)成，雖然半導(dǎo)體組件高速、高頻化時會有EMI的困擾，不過為了充分發(fā)揮半導(dǎo)體組件應(yīng)有的性能，電路板設(shè)計與封裝技術(shù)仍具有決定性的影響。 模擬與數(shù)字技術(shù)的融合由于IC與LSI半導(dǎo)體本身的高速化，同時為了使機(jī)器達(dá)到正常動作的目的，因此技術(shù)上的跨越競爭越來越激烈。雖然構(gòu)成系統(tǒng)的電路未必有clock設(shè)計，但是毫無疑問的是系統(tǒng)的可靠度是建立在電子組件的選用、封裝技術(shù)、電路設(shè)計與成本，以及如何防止噪訊的產(chǎn)生與噪訊外漏等綜合考慮。機(jī)器小型化、高速化、多功能化使得低頻/高頻、大功率信號/小功率信號、高輸出阻抗/低輸出阻抗、大電流/小電流、模擬/數(shù)字電路，經(jīng)常出現(xiàn)在同一個高封裝密度電路板，設(shè)計者身處如此的環(huán)境必需面對前所未有的設(shè)計思維挑戰(zhàn)，例如高穩(wěn)定性電路與吵雜(noisy)性電路為鄰時，如果未將噪訊入侵高穩(wěn)定性電路的對策視為設(shè)計重點(diǎn)，事后反復(fù)的設(shè)計變更往往成為無解的夢魘。模擬電路與高速數(shù)字電路混合設(shè)計也是如此，假設(shè)微小模擬信號增幅后再將full scale 5V的模擬信號，利用10bit A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，由于分割幅寬祇有4.9mV，因此要正確讀取該電壓level并非易事，結(jié)果造成10bit以上的A/D轉(zhuǎn)換器面臨無法順利運(yùn)作的窘境。另一典型實(shí)例是使用示波器量測某數(shù)字電路基板兩點(diǎn)相隔10cm的ground電位，理論上ground電位應(yīng)該是零，然而實(shí)際上卻可觀測到4.9mV數(shù)倍甚至數(shù)十倍的脈沖噪訊(pulse noise)，如果該電位差是由模擬與數(shù)字混合電路的grand所造成的話，要測得4.9 mV的信號根本是不可能的事情，也就是說為了使模擬與數(shù)字混合電路順利動作，必需在封裝與電路設(shè)計有相對的對策，尤其是數(shù)字電路switching時，ground vance noise不會入侵analogue ground的防護(hù)對策，同時還需充分檢討各電路產(chǎn)生的電流回路(route)與電流大小，依此結(jié)果排除各種可能的干擾因素。以上介紹的實(shí)例都是設(shè)計模擬與數(shù)字混合電路時經(jīng)常遇到的瓶頸，如果是設(shè)計12bit以上A/D轉(zhuǎn)換器時，它的困難度會更加復(fù)雜。
標(biāo)簽： 數(shù)字 模擬電路 設(shè)計技巧
上傳時間： 2013-11-16
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利用四分之三波長折疊微帶線與四分之一波長微帶線級聯(lián)，并在輸入端口引入四分之一波長短路線，設(shè)計出一種新型的超寬帶功率分配器。采用奇偶模的方法進(jìn)行理論分析，導(dǎo)出設(shè)計參數(shù)方程，并通過HFSS進(jìn)行仿真優(yōu)化。仿真和測量結(jié)果表明， 輸入回波損耗從3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入損耗從2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB，從9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。輸出端口的回波損耗和隔離度從3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高頻的帶外抑制在14.2 GHz時達(dá)到20 dB。
上傳時間： 2013-11-08
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低功率LED設(shè)計的挑戰(zhàn)在于實(shí)現(xiàn)由監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定的電源調(diào)節(jié)、 由監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)指導(dǎo)的能量變換以及通常由市場接受度設(shè)定的有效負(fù)載控制（其中包括調(diào)光保真度）這三者的平衡。 FL7730和FL7732能較好地取得這種平衡，用一個電路即可執(zhí)行全部三項(xiàng)功能。
上傳時間： 2013-11-13
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為研究功率型鋰離子電池性能，對某35 Ah功率型鋰離子電池單體進(jìn)行了充放電特性試驗(yàn)和分析，由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內(nèi)阻特性和溫升特性。研究結(jié)果表明，低溫下電池的充放電內(nèi)阻較大，充放電性能衰減顯著；常溫下電池的內(nèi)阻較小，充放電溫升較小，大電流充放電的容量穩(wěn)定性好，質(zhì)量比能量高，作為電傳動車輛主要或輔助動力源具有良好的應(yīng)用前景。
上傳時間： 2013-11-13
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結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過程。
標(biāo)簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
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功率MOSFET的驅(qū)動電路和保護(hù)技術(shù)
標(biāo)簽： MOSFET 功率 保護(hù)技術(shù) 驅(qū)動電路
上傳時間： 2013-10-22
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