以IRS2902S作D類功放驅動，以場效應管做功率放大，那么，柵極所串的二極管有什么作用？如果是為場效應管的柵極放電，但二極管D3，D4的正向電阻遠遠大于它們所并聯的4.7R電阻,有大俠解惑。
上傳時間： 2022-02-19
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文檔包含了解功率mos規格參數及特性介紹，有助于提升對mos的參數和特性的認知。
標簽： mos管
上傳時間： 2022-03-17
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這個封裝庫比較雜，包含除電阻電容電感以外的，我們常用的一些電子元器件。電池：CR1220和CR2032;貼片磁珠；整流橋:種類很齊全；保險管：貼片和直插均有；晶振：直插HC49、2*6、3*8等圓柱形，貼片0705等40種規格晶振；繼電器：包括歐姆龍和松下一些常用的型號的繼電器共36種，這個很難得的；變壓器：EI35RJ11和RJ45網口；sd卡座；USB座：A,B,C型都有；撥碼開關和按鍵：共90多種封裝形式；
上傳時間： 2022-04-25
上傳用戶：canderile
宏晶 STC15F2K60S2開發板配套軟件源碼 基礎例程30例/**********************基于STC15F2K60S2系列單片機C語言編程實現使用如下頭文件，不用另外再包含"REG51.H"#include <STC15F2K60S2.h>***********************/#include "STC15F2K60S2.H"//#include "REG51.H" //sfr P4 = 0xC0;#define uint unsigned int #define uchar unsigned char /**********************引腳別名定義***********************/sbit SEL=P4^3; // LED和數碼管選擇引腳 高：LED有效 低：數碼管有效 // SEL連接的單片機引腳必須為帶有上拉電阻的引腳 或將其直接連接VCC#define data P2 // 數據輸入定義 /**********************函數名稱：Delay_1ms功能描述：延時入口參數：unsigned int t 表示要延時t個1ms 出口參數：無備注：通過參數t，控制延時的時間長短***********************/void Delay_1ms(uint t){ uchar j; for(;t>0;t--) for(j=110;j>0;j--) ;}/**********************函數名稱：Led_test功能描述：對8個二極管進行測試，依次輪流點亮8個二極管入口參數：無出口參數：無備注： ***********************/void Led_test(){ uchar G_value=0x01; // 給變量賦初值 SEL=1; //高電平LED有效 while(1) { data=G_value; Delay_1ms(10000); G_value=G_value<<1; if(G_value==0x00) { data=G_value; Delay_1ms(10000); G_value=0x01; } }}/***********************主函數************************/void main(){ ///////////////////////////////////////////////// //注意: STC15W4K32S4系列的芯片,上電后所有與PWM相關的IO口均為 // 高阻態,需將這些口設置為準雙向口或強推挽模式方可正常使用 //相關IO: P0.6/P0.7/P1.6/P1.7/P2.1/P2.2 // P2.3/P2.7/P3.7/P4.2/P4.4/P4.5 ///////////////////////////////////////////////// P4M1=0x00; P4M0=0x00; P2M0=0xff; P2M1=0x00; //將P2設為推挽 Led_test(); }
標簽： STC15F2K60S2
上傳時間： 2022-05-03
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本文主要是基于氮化鋅（GaN）器件射頻功率放大電路的設計，在s波段頻率范圍內，應用CREE公司的氮化稼（GaN）高電子遷移速率品體管（CGH40010和CGH40045）進行的寬帶功率放大電路設計.主要工作有以下幾個方面：首先，設計功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內，對中間級和末級功放晶體管進行穩定性分析并設置其靜態工作點，繼而進行寬帶阻抗匹配電路的設計。本文采用雙分支平衡漸變線拓撲電路結構，使用ADS軟件對其進行仿真優化，設計出滿足指標要求的匹配電路。具體指標如下：通帶寬度為800MHz，在通帶范圍內的增益dB（S（2，1）>）10dB、駐波比VSWR1<2.VSWR2<2，3dB輸出功率壓縮點分別大于40dBm46dBm，效率大于40%.其次，設計功放偏置電源電路。電路要求是負電壓控制正電壓并帶有過流保護功能，借助Orcad模擬電路仿真軟件，設計出滿足要求的電源電路。最后，分別運用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制圖軟件，繪制了功率放大電路和偏置電源電路的印制電路板，并通過對硬件電路的調試，最終使得整體電路滿足了設計性能的要求。
上傳時間： 2022-06-20
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論文主要工作如下：一是從功率放大器的物理結構上分析了射頻功率放大器非線性特性產生的原因及其對通信系統的影響，討論了功率放大器的非線性分析模型，即冪級數分析模型，Volterra級數分析模型和諧波平衡分析模型，并簡要的說明了它們各自的特點，總結出了諧波平衡分析法的優點，指出它適合用于射頻功率放大器的大信號非線性分析.二是分析了射頻功率放大器偏置和匹配電路設計中的一些基本問題，比較了有源和無源偏置網絡的優缺點，討論了輸入、輸出匹配電路和級間匹配電路設計的重點問題。介紹了負載牽引設計方法，它是在具備功率管大信號模型的基礎上對負載和源進行牽引仿真，從而確定輸出、輸入阻抗。三是在射頻功率放大器的設計過程中，主要使用了ADS軟件進行輔助分析設計.正是通過對軟件功能的充分應用，替代了射頻功半放大器設計中許多原來需要人工進行的運算工作，提高了工作效率。從仿真結果來看，都達到了預期的設計目標，驗證說明了ADS仿真軟件在射頻功率放大電路設計方面的實用性與優越性，具有繼續進行深入研究的價值。
上傳時間： 2022-06-20
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隨著全控型器件（目前主要是功率MOSPET與IGBT）的廣泛使用以及脈寬調制技術的成熟，高頻軟開關電源也獲得了極快地發展。變換電能的電源是以滿足人們使用電源的要求為出發點的，根據不同的使用要求和特點對發出電能的電源再進行一次變換。這種變換是把種形態的電能變換為另一種形態的電能，它可以是交流電和直流電之間的變換，也可以是電壓或電流幅值的變換，或者是交流電的頻率、相位等變換，軟開關電源輸入和輸出都是電能，它屬于變換電能的電源。本論文研究了一種新型雙管正激軟開關DC/DC變換器電路拓撲。主功率器件采用IGBT元件，由功率二極管、電感、電容組成的諧振網絡改善IGBT的開關條件，克服了傳統開關在開通和閉合過程中會產生功率損耗，并且降低開關靈敏性的弊端。該論文對IGBT的軟開關電源進行了總體設計和仿真，最后設計出了一臺輸出電壓為48V、輸出功率為1.5kW、工作頻率為80kHz、諧振頻率為350kHz的開關電源理論模型。
上傳時間： 2022-06-21
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HLW8032 是一款高精度的電能計量 IC,它采用 CMOS 制造工藝，主要用于單相應用。它能夠測量線電壓和電流，并能計算有功功率，視在功率和功率因素。 該器件內部集成了兩個∑-Δ型 ADC 和一個高精度的電能計量內核。HLW8032 可以通過 UART口進行數據通訊，HLW8032 采用 5V 供電，內置 3.579M 晶振，8PIN 的 SOP 封裝。 HLW8032 具有精度高、功耗小、可靠性高、適用環境能力強等優點，適用于單相兩線制電力用戶的電能計量。
上傳時間： 2022-06-21
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本文把所研制的IGBT驅動保護電路應用在電磁感應加熱系統上，并且針對注塑機的特點設計了一款電磁感應加熱系統。其中包括整流濾波電路、半橋逆變電路、控制電路、驅動電路和溫度、電流等檢測電路。本文的另一個重點分析了IGBT對驅動保護電路的要求，并且研制了一種單管IGBT驅動保護電路和一種IGBT半橋模塊驅動保護電路。單管1GBT驅動電路的功能比較簡單，只具有軟關斷和過流保護功能。而IGBT半橋模塊驅動保護電路功能比較多，具有軟關斷、互鎖、電平轉換、錯誤信號電平轉換、過流保護、供電電壓監視、電源隔離和脈沖隔離電路等保護功能，適用于中大功率的IGBT半橋模塊驅動。在電磁感應加熱部分介紹了電磁感應加熱的工作原理，分析了串并聯諧振逆變器的拓撲結構和特點。根據注塑機的實際應用設計了兩款主電路的拓撲結構，一款是針對小功率部分加熱的拓撲結構，是單管IGBT的拓撲結構，另一款是針對中大功率加熱部分的半橋IGBT拓撲結構。另外介紹了電磁感應加熱的控制電路以及采用模糊PID算法對注塑機料筒進行溫度監控調節。最后通過對系統的仿真和實驗調試表明整個感應加熱系統滿足實際應用要求，運行可靠，適合于再注塑機行業中推廣。最后，總結了本文的研究內容，并在此基礎上對以后的工作做出了簡單的展望。
上傳時間： 2022-06-21
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電磁爐燒壞IGBT 功率管的八種因素在電磁爐維修中，功率管的損壞占有相當大的比例，若在沒有查明故障原因的情況下貿然更換功率管會引起再次燒毀。一：諧振電容和濾波電容損壞0.3uF/1200V 諧振電容、5uF/400V 濾波電容損壞或容量不足若0.3uF/1200V 諧振電容、5uF/400V 濾波電容容量變小、失效或特性不良，將導致電磁爐LC 振蕩電路頻率偏高，從而引起功率管IGBT管損壞，經查其他電路無異常時，我們必須將0.3uF 和5uF 電容一起更換。二：IGBT 管激勵電路異常振蕩電路輸出的脈沖信號不能直接控制IGBT 管飽和、導通與截至，必須通過激勵電路將脈沖信號放大來完成。如果激勵電路出現故障，高電壓就會加到IGBT 管的G 極，導致IGBT 管瞬間擊穿損壞。常見為驅動管S8050、S8550損壞。三：同步電路異常同步電路在電磁爐中的主要是保證加到IGBT G 極上的開關脈沖前沿與IGBT 管上VCE 脈沖后沿同步。當同步電路工作異常時， 導致IGBT管瞬間擊穿損壞。
上傳時間： 2022-06-22
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