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連接圖器件
上傳時間： 2013-10-16
上傳用戶：南國時代
數(shù)字與模擬電路設(shè)計技巧IC與LSI的功能大幅提升使得高壓電路與電力電路除外，幾乎所有的電路都是由半導(dǎo)體組件所構(gòu)成，雖然半導(dǎo)體組件高速、高頻化時會有EMI的困擾，不過為了充分發(fā)揮半導(dǎo)體組件應(yīng)有的性能，電路板設(shè)計與封裝技術(shù)仍具有決定性的影響。 模擬與數(shù)字技術(shù)的融合由于IC與LSI半導(dǎo)體本身的高速化，同時為了使機(jī)器達(dá)到正常動作的目的，因此技術(shù)上的跨越競爭越來越激烈。雖然構(gòu)成系統(tǒng)的電路未必有clock設(shè)計，但是毫無疑問的是系統(tǒng)的可靠度是建立在電子組件的選用、封裝技術(shù)、電路設(shè)計與成本，以及如何防止噪訊的產(chǎn)生與噪訊外漏等綜合考慮。機(jī)器小型化、高速化、多功能化使得低頻/高頻、大功率信號/小功率信號、高輸出阻抗/低輸出阻抗、大電流/小電流、模擬/數(shù)字電路，經(jīng)常出現(xiàn)在同一個高封裝密度電路板，設(shè)計者身處如此的環(huán)境必需面對前所未有的設(shè)計思維挑戰(zhàn)，例如高穩(wěn)定性電路與吵雜(noisy)性電路為鄰時，如果未將噪訊入侵高穩(wěn)定性電路的對策視為設(shè)計重點，事后反復(fù)的設(shè)計變更往往成為無解的夢魘。模擬電路與高速數(shù)字電路混合設(shè)計也是如此，假設(shè)微小模擬信號增幅后再將full scale 5V的模擬信號，利用10bit A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，由于分割幅寬祇有4.9mV，因此要正確讀取該電壓level并非易事，結(jié)果造成10bit以上的A/D轉(zhuǎn)換器面臨無法順利運作的窘境。另一典型實例是使用示波器量測某數(shù)字電路基板兩點相隔10cm的ground電位，理論上ground電位應(yīng)該是零，然而實際上卻可觀測到4.9mV數(shù)倍甚至數(shù)十倍的脈沖噪訊(pulse noise)，如果該電位差是由模擬與數(shù)字混合電路的grand所造成的話，要測得4.9 mV的信號根本是不可能的事情，也就是說為了使模擬與數(shù)字混合電路順利動作，必需在封裝與電路設(shè)計有相對的對策，尤其是數(shù)字電路switching時，ground vance noise不會入侵analogue ground的防護(hù)對策，同時還需充分檢討各電路產(chǎn)生的電流回路(route)與電流大小，依此結(jié)果排除各種可能的干擾因素。以上介紹的實例都是設(shè)計模擬與數(shù)字混合電路時經(jīng)常遇到的瓶頸，如果是設(shè)計12bit以上A/D轉(zhuǎn)換器時，它的困難度會更加復(fù)雜。
標(biāo)簽： 數(shù)字 模擬電路 設(shè)計技巧
上傳時間： 2013-11-16
上傳用戶：731140412
I2C總線器件在高抗干擾系統(tǒng)中的應(yīng)用: 摘要：本文先對I2C總線協(xié)議進(jìn)行了簡要敘述，然后介紹了一些常用的抗干擾措施，最后提供了一個利用I2C總線器件24WC01組成的高抗干擾應(yīng)用方案。 一、I2C總線概述 I2C總線是一雙線串行總線，它提供一小型網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)為總線上的電路共享公共的總線。總線上的器件有單片機(jī)LCD驅(qū)動器以及E2PROM器等。型號有：PCF8566T、SAA1064T、24WC01等。 兩根雙向線中，一根是串行數(shù)據(jù)線（SDA），另一根是串行時鐘線（SCL）。總線和器件間的數(shù)據(jù)傳送均由這根線完成。每一個器件都有一個唯一的地址，以區(qū)別總線上的其它器件。當(dāng)執(zhí)行數(shù)據(jù)傳送時，誰是主器件，誰是從器件詳見表1。主器件是啟動數(shù)據(jù)發(fā)送并產(chǎn)生時鐘信號的器件。被尋址的任何器件都可看作從器件。I2C總線是多主機(jī)總線，意思是可以兩個或更多的能夠控制總線的器件與總線連接。
標(biāo)簽： I2C 總線 器件 中的應(yīng)用
上傳時間： 2013-11-05
上傳用戶：1159797854
分析并設(shè)計實現(xiàn)了一種基于磁耦合諧振的無線電能傳輸系統(tǒng)。介紹了無線電能傳輸技術(shù)，闡述了磁耦合諧振式無線電能傳輸技術(shù)原理及其優(yōu)越性，分析了磁耦合諧振無線電能傳輸系統(tǒng)中傳輸距離d及負(fù)載阻值RL等相關(guān)參數(shù)對系統(tǒng)傳輸功率、效率的影響。對所提出的無線電能傳輸系統(tǒng)進(jìn)行實驗測試，實驗結(jié)果表明，需綜合考慮上述相關(guān)參數(shù)，以達(dá)到傳輸效率、傳輸功率的最優(yōu)化設(shè)計。同時驗證了理論分析的有效性。
上傳時間： 2014-01-04
上傳用戶：集美慧
開關(guān)電源并聯(lián)系統(tǒng)中往往存在兩個并聯(lián)電源性能參數(shù)不同甚至差異較大的情況，因此不能采用傳統(tǒng)的并聯(lián)均流方案來平均分?jǐn)傠娏鳎@就需要按各個電源模塊的輸出能力分擔(dān)輸出功率。基于這種靈活性的需要，本設(shè)計在采用主從設(shè)置法設(shè)計并聯(lián)均流開關(guān)電源的基礎(chǔ)上新增加了單片機(jī)控制模塊，實現(xiàn)了分流比可任意調(diào)節(jié)、各模塊電流可實時監(jiān)控的半智能化并聯(lián)開關(guān)電源系統(tǒng)。實測結(jié)果表明，該并聯(lián)開關(guān)電源系統(tǒng)分流比設(shè)置誤差小于0.5%，具有總過流和單路過流保護(hù)功能。
標(biāo)簽： 單片機(jī) 電流 并聯(lián) 電源設(shè)計
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：guojin_0704
利用四分之三波長折疊微帶線與四分之一波長微帶線級聯(lián)，并在輸入端口引入四分之一波長短路線，設(shè)計出一種新型的超寬帶功率分配器。采用奇偶模的方法進(jìn)行理論分析，導(dǎo)出設(shè)計參數(shù)方程，并通過HFSS進(jìn)行仿真優(yōu)化。仿真和測量結(jié)果表明， 輸入回波損耗從3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入損耗從2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB，從9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。輸出端口的回波損耗和隔離度從3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高頻的帶外抑制在14.2 GHz時達(dá)到20 dB。
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：1966649934
低功率LED設(shè)計的挑戰(zhàn)在于實現(xiàn)由監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定的電源調(diào)節(jié)、 由監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)指導(dǎo)的能量變換以及通常由市場接受度設(shè)定的有效負(fù)載控制（其中包括調(diào)光保真度）這三者的平衡。 FL7730和FL7732能較好地取得這種平衡，用一個電路即可執(zhí)行全部三項功能。
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：cherrytree6
介紹了由兩個DC/DC開關(guān)電源模塊并聯(lián)構(gòu)成的供電系統(tǒng)電路結(jié)構(gòu)和工作原理。該系統(tǒng)采用ARM芯片STM32為主控芯片產(chǎn)生驅(qū)動功率開關(guān)器件MOSFET的PWM脈沖[1]，對供電系統(tǒng)的輸出電壓和各個模塊的輸出電流均實現(xiàn)了全數(shù)字閉環(huán)PI控制。系統(tǒng)輸出電壓穩(wěn)定，能實現(xiàn)兩個模塊電流的比例分配，同時具有輸出負(fù)載短路及延時恢復(fù)功能。仿真和實驗結(jié)果驗證了控制技術(shù)的正確性和可行性。
標(biāo)簽： DC_DC 開關(guān)電源模塊 并聯(lián)供電系統(tǒng) 均流
上傳時間： 2013-11-20
上傳用戶：小碼農(nóng)lz
為研究功率型鋰離子電池性能，對某35 Ah功率型鋰離子電池單體進(jìn)行了充放電特性試驗和分析，由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內(nèi)阻特性和溫升特性。研究結(jié)果表明，低溫下電池的充放電內(nèi)阻較大，充放電性能衰減顯著；常溫下電池的內(nèi)阻較小，充放電溫升較小，大電流充放電的容量穩(wěn)定性好，質(zhì)量比能量高，作為電傳動車輛主要或輔助動力源具有良好的應(yīng)用前景。
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：清風(fēng)冷雨
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過程。
標(biāo)簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：dongqiangqiang
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