電源測(cè)量與分析入門手冊(cè) 本入門手冊(cè)將主要介紹如何使用示波器和專用軟件進(jìn)行開關(guān)電源設(shè)計(jì)測(cè)量。兩個(gè)不同版本。都是中文的。 目錄 簡(jiǎn)介 電源設(shè)計(jì)中的問題以及測(cè)量要求 示波器與電源測(cè)量 開關(guān)電源基礎(chǔ) 準(zhǔn)備進(jìn)行電源測(cè)量 在一次采集中同時(shí)測(cè)量100 伏和100 毫伏電壓 消除電壓探頭和電流探頭之間的時(shí)間偏差 消除探頭零偏和噪聲 電源測(cè)量中記錄長(zhǎng)度的作用 識(shí)別真正的Ton 與Toff 轉(zhuǎn)換 有源器件測(cè)量：開關(guān)元件 開關(guān)器件的功率損耗理論 截止損耗 開通損耗 詳細(xì)了解SMPS 的功率損耗 安全工作區(qū) 動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻 di/dt dv/dt 無源器件測(cè)量：磁性元件 電感基礎(chǔ) 用示波器進(jìn)行電感測(cè)量 磁性元件功率損耗基礎(chǔ) 用示波器進(jìn)行磁性元件功率損耗測(cè)量 磁特性基礎(chǔ) 用示波器測(cè)量磁性元件特性 輸入交流供電測(cè)量 電源質(zhì)量測(cè)量基礎(chǔ) SMPS 的電源質(zhì)量測(cè)量 用示波器測(cè)量電源質(zhì)量 使用正確的工具 用示波器進(jìn)行電源質(zhì)量測(cè)量
上傳時(shí)間： 2013-07-03
上傳用戶：jjj0202
文章首先分析比較了光伏并網(wǎng)逆變器的各種主電路結(jié)構(gòu)優(yōu)缺點(diǎn)，提出適合小 功率光伏系統(tǒng)的兩級(jí)式并網(wǎng)結(jié)構(gòu)，并對(duì)前級(jí)DC-DC電路和后級(jí)DC-AC分別進(jìn)行 了電路結(jié)構(gòu)的選擇。
上傳時(shí)間： 2013-06-14
上傳用戶：jjj0202
為解決PWM功率放大器輸出長(zhǎng)線傳輸引發(fā)的波形畸變，可能傷及力矩電動(dòng)機(jī)的問題，對(duì)實(shí)際系統(tǒng)結(jié)構(gòu)進(jìn)行了理論分析，找出了可能引發(fā)波形畸變的原因，并給出了3種解決方法。實(shí)際試驗(yàn)結(jié)果證實(shí)所給方法的有效性。
標(biāo)簽： PWM 功率放大器 長(zhǎng)線傳輸 波形
上傳時(shí)間： 2013-10-20
上傳用戶：fujiura
分析了對(duì)功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)要求；設(shè)計(jì)了基于EXB841驅(qū)動(dòng)模塊的功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在電渦流測(cè)功機(jī)勵(lì)磁線圈驅(qū)動(dòng)電路中的實(shí)際應(yīng)用證明，該電路驅(qū)動(dòng)能力及保護(hù)功能效果良好。
標(biāo)簽： MOSFET 功率 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路 方案
上傳時(shí)間： 2014-01-25
上傳用戶：hz07104032
本課題主要研究對(duì)象為數(shù)字預(yù)失真技術(shù)中的功放模型的建立及數(shù)字預(yù)失真算法的研究。功放的數(shù)學(xué)模型主要分為無記憶模型和記憶模型，分析了不同模型的參數(shù)估計(jì)的方法。針對(duì)以往常見的模型反轉(zhuǎn)數(shù)字預(yù)失真算法，課題分析并使用了新穎的間接學(xué)習(xí)(indirect learning)數(shù)字預(yù)失真算法，從而有效避免了無法對(duì)功放模型進(jìn)行求逆的缺陷，并在此架構(gòu)下仿真了不同功放模型的參數(shù)估計(jì)對(duì)于數(shù)字預(yù)失真效果的影響。針對(duì)WCDMA移動(dòng)通信基站系統(tǒng)中使用的寬帶功率放大器，使用ADS和MATLAB軟件聯(lián)合仿真的形式來評(píng)估整個(gè)DPD系統(tǒng)的性能并使用實(shí)際功放進(jìn)行了測(cè)試。
標(biāo)簽： 寬帶 射頻功率放大器 數(shù)字預(yù)失真 技術(shù)研究
上傳時(shí)間： 2013-10-12
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在本課題中，兼顧了效率及線性度，采用自適應(yīng)預(yù)失真前饋復(fù)合線性化系統(tǒng)來改善高功率放大器的線性度。由于加入自適應(yīng)控制模塊，射頻電路不受溫度、時(shí)漂、輸入功率等的影響，可始終處于較佳工作狀態(tài)，這使得整個(gè)放大系統(tǒng)更為實(shí)用，也更具有拓展價(jià)值。
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：xauthu
本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡(jiǎn)要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了參數(shù)計(jì)算并且選擇應(yīng)用了實(shí)用可靠的驅(qū)動(dòng)電路。此外，對(duì)功率MOSFET在兆赫級(jí)并聯(lián)山于不同的參數(shù)影響而引起的電流分配不均衡問題做了仿真研究及分析。
標(biāo)簽： MOSFET 高頻 功率 驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：lijinchuan
電路分析基礎(chǔ)電路分析基礎(chǔ)Fundamentals of Electric CircuitsFundamentals of Electric Circuits多媒體教學(xué)課件多媒體教學(xué)課件北京理工大學(xué)北京理工大學(xué)Beijing Institute of TechnologyBeijing Institute of Technology 目錄•第一章集總電路中電壓、電流的約束關(guān)系•第二章運(yùn)用獨(dú)立電流、電壓變量的分析方法•第四章分解法及單口網(wǎng)絡(luò)•第三章疊加方法與網(wǎng)絡(luò)函數(shù)•第六章電容元件和電感元件•第七章一階電路•第八章二階電路•第十章正弦穩(wěn)態(tài)功率和能量三相電路•第九章阻抗與導(dǎo)納•第十一章電路的頻率響應(yīng)•第十二章耦合電感和理想變壓器
標(biāo)簽： 電路分析基礎(chǔ)
上傳時(shí)間： 2013-11-10
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利用四分之三波長(zhǎng)折疊微帶線與四分之一波長(zhǎng)微帶線級(jí)聯(lián)，并在輸入端口引入四分之一波長(zhǎng)短路線，設(shè)計(jì)出一種新型的超寬帶功率分配器。采用奇偶模的方法進(jìn)行理論分析，導(dǎo)出設(shè)計(jì)參數(shù)方程，并通過HFSS進(jìn)行仿真優(yōu)化。仿真和測(cè)量結(jié)果表明， 輸入回波損耗從3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入損耗從2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB，從9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。輸出端口的回波損耗和隔離度從3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高頻的帶外抑制在14.2 GHz時(shí)達(dá)到20 dB。
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：1966649934
設(shè)計(jì)了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對(duì)變壓器的并聯(lián)和串聯(lián)兩種功率合成形式進(jìn)行分析與比較，指出了匝數(shù)比、功率單元數(shù)目以及寄生電阻對(duì)變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設(shè)計(jì)方法，即采用多層金屬疊層并聯(lián)以及將功放單元內(nèi)置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設(shè)計(jì)變壓器時(shí)面臨的寄生電阻過大及有效耦合長(zhǎng)度不足等困難。設(shè)計(jì)的變壓器在2～3 GHz頻段內(nèi)的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達(dá)76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應(yīng)用。
標(biāo)簽： CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術(shù)
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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