三種方法讀取鍵值 使用者設計行列鍵盤介面，一般常採用三種方法讀取鍵值。 中斷式 在鍵盤按下時產生一個外部中斷通知CPU，並由中斷處理程式通過不同位址讀資料線上的狀態判斷哪個按鍵被按下。 本實驗採用中斷式實現使用者鍵盤介面。 掃描法 對鍵盤上的某一行送低電位，其他為高電位，然後讀取列值，若列值中有一位是低，表明該行與低電位對應列的鍵被按下。否則掃描下一行。 反轉法 先將所有行掃描線輸出低電位，讀列值，若列值有一位是低表明有鍵按下；接著所有列掃描線輸出低電位，再讀行值。 根據讀到的值組合就可以查表得到鍵碼。4x4鍵盤按4行4列組成如圖電路結構。按鍵按下將會使行列連成通路，這也是見的使用者鍵盤設計電路。 //-----------4X4鍵盤程序--------------// uchar keboard(void) { uchar xxa,yyb,i,key; if((PINC&0x0f)!=0x0f) //是否有按鍵按下 {delayms(1); //延時去抖動 if((PINC&0x0f)!=0x0f) //有按下則判斷 { xxa=~(PINC|0xf0); //0000xxxx DDRC=0x0f; PORTC=0xf0; delay_1ms(); yyb=~(PINC|0x0f); //xxxx0000 DDRC=0xf0; //復位 PORTC=0x0f; while((PINC&0x0f)!=0x0f) //按鍵是否放開 { display(data); } i=4; //計算返回碼 while(xxa!=0) { xxa=xxa>>1; i--; } if(yyb==0x80) key=i; else if(yyb==0x40) key=4+i; else if(yyb==0x20) key=8+i; else if(yyb==0x10) key=12+i; return key; //返回按下的鍵盤碼 } } else return 17; //沒有按鍵按下 }
上傳時間： 2013-11-12
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新茂單片機資料包20050225
上傳時間： 2013-11-24
上傳用戶：jisiwole
賽靈思選用 28nm 高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低 功耗技術，并將該技術與新型一體化 ASMBLTM 架構相結合，從而推出能降低功耗、提高性能的新一代FPGA。這些器件實現了前所未有的高集成度和高帶寬，為系統架構師和設計人員提供了一種可替代 ASSP和 ASIC 的全面可編程解決方案。
上傳時間： 2013-10-10
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通信工程施工新技術
上傳時間： 2013-11-06
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為了在數據加密工程中推進一步推廣AES標準，提高用AES標準加密數據的效率、安全性和靈活性，節省數據加密的軟硬件資源，本論文用邏輯代數、二進制數、模2四則運算知識和GF域的四則運算知識對按照AES的數據加密算法Rijndael的具體實現進行了深入仔細地分析研究，提出了實現Rijndael的新方法和新技術，并對相關技術用通俗明確的語句進行了說明。本論文提出的數據加密的實現方法可以應用到實際工程中，具有節省數據加密器的軟硬件資源的特點。
上傳時間： 2014-12-29
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J-Link V8個人使用經驗寫成的用戶手冊
上傳時間： 2013-10-07
上傳用戶：hulee
教你如何制作一個J-Link V8仿真器！ 已經成功！
上傳時間： 2013-10-15
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特點 精確度0.1%滿刻度 ±1位數 可量測 交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/荷重元/電阻 等信號 顯示范圍-1999-9999可任意規劃 具有異常值與異常次數記錄保留功能 異常信號過高或過低或范圍內或范圍外檢測可任意設定 報警繼電器復歸方式可任意設定 尺寸小,穩定性高 2.主要規格 精確度: 0.1% F.S. ±1 digit 0.2% F.S. ±1 digit(AC) 取樣時間: 16 cycles/sec. 顯示值范圍: -1999 - +9999 digit adjustable 啟動延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器復歸方式: Manual (N) / latch(L) can be modified 繼電器動作方向: HI /LO/GO/HL can be modified 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 過載顯示: "doFL" 溫度系數: 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 14.22mm(.56")(PV) Red high efficiency LEDs high 7.0mm(.276")(NO) 參數設定方式: Touch switches 記憶型式 : Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc(input/output 使用環境條件 : 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2013-11-02
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Atmel芯片新命名型號對照表
上傳時間： 2013-10-15
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本文將探討微控制器與 PSoC (可編程系統單晶片)在數位電視應用上的設計挑戰，並比較微控制器和 PSoC 架構在處理這些挑戰時的不同處，以有效地建置執行。
上傳時間： 2013-11-22
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