現(xiàn)代的電子設(shè)計(jì)和芯片制造技術(shù)正在飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品的復(fù)雜度、時(shí)鐘和總線頻率等等都呈快速上升趨勢(shì)，但系統(tǒng)的電壓卻不斷在減小，所有的這一切加上產(chǎn)品投放市場的時(shí)間要求給設(shè)計(jì)師帶來了前所未有的巨大壓力。要想保證產(chǎn)品的一次性成功就必須能預(yù)見設(shè)計(jì)中可能出現(xiàn)的各種問題，并及時(shí)給出合理的解決方案，對(duì)于高速的數(shù)字電路來說，最令人頭大的莫過于如何確保瞬時(shí)跳變的數(shù)字信號(hào)通過較長的一段傳輸線，還能完整地被接收，并保證良好的電磁兼容性，這就是目前頗受關(guān)注的信號(hào)完整性（SI）問題。本章就是圍繞信號(hào)完整性的問題，讓大家對(duì)高速電路有個(gè)基本的認(rèn)識(shí)，并介紹一些相關(guān)的基本概念。 第一章 高速數(shù)字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來的問題及設(shè)計(jì)流程剖析...............................................................61.3 相關(guān)的一些基本概念...................................................................................8第二章 傳輸線理論...............................................................................................122.1 分布式系統(tǒng)和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線的RLCG 模型和電報(bào)方程...............................................................132.3 傳輸線的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質(zhì).................................................................................142.3.2 特征阻抗相關(guān)計(jì)算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對(duì)信號(hào)完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線電報(bào)方程及推導(dǎo).............................................................................182.5 趨膚效應(yīng)和集束效應(yīng).................................................................................232.6 信號(hào)的反射.................................................................................................252.6.1 反射機(jī)理和電報(bào)方程.........................................................................252.6.2 反射導(dǎo)致信號(hào)的失真問題.................................................................302.6.2.1 過沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩：.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負(fù)載的匹配.................................................................................41第三章 串?dāng)_的分析...............................................................................................423.1 串?dāng)_的基本概念.........................................................................................423.2 前向串?dāng)_和后向串?dāng)_.................................................................................433.3 后向串?dāng)_的反射.........................................................................................463.4 后向串?dāng)_的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對(duì)串?dāng)_的影響.................................................................483.6 連接器的串?dāng)_問題.....................................................................................513.7 串?dāng)_的具體計(jì)算.........................................................................................543.8 避免串?dāng)_的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產(chǎn)生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號(hào)的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設(shè)計(jì)中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線RLC 參數(shù)和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設(shè)計(jì)抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過孔對(duì)回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線規(guī)則.................................................................................79第五章 電源完整性理論基礎(chǔ)...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設(shè)計(jì).............................................................................................855.3 同步開關(guān)噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內(nèi)部開關(guān)噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開關(guān)噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應(yīng)用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質(zhì)和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯(lián)特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章 系統(tǒng)時(shí)序.................................................................................................1006.1 普通時(shí)序系統(tǒng)...........................................................................................1006.1.1 時(shí)序參數(shù)的確定...............................................................................1016.1.2 時(shí)序約束條件...................................................................................1066.2 源同步時(shí)序系統(tǒng).......................................................................................1086.2.1 源同步系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)...................................................................1096.2.2 源同步時(shí)序要求...............................................................................110第七章 IBIS 模型................................................................................................1137.1 IBIS 模型的由來...................................................................................... 1137.2 IBIS 與SPICE 的比較.............................................................................. 1137.3 IBIS 模型的構(gòu)成...................................................................................... 1157.4 建立IBIS 模型......................................................................................... 1187.4 使用IBIS 模型......................................................................................... 1197.5 IBIS 相關(guān)工具及鏈接..............................................................................120第八章 高速設(shè)計(jì)理論在實(shí)際中的運(yùn)用.............................................................1228.1 疊層設(shè)計(jì)方案...........................................................................................1228.2 過孔對(duì)信號(hào)傳輸?shù)挠绊?..........................................................................1278.3 一般布局規(guī)則...........................................................................................1298.4 接地技術(shù)...................................................................................................1308.5 PCB 走線策略............................................................................................134
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數(shù)字制造
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AHCI串行ATA高級(jí)主控接口
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USB轉(zhuǎn)串行口電路原理圖及PCB文件PL2303 USB轉(zhuǎn)串行口電路原理圖及PCB文件PL2303 USB轉(zhuǎn)串行口電路原理圖及PCB文件PL2303
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25針及9針串行口各針意義
標(biāo)簽： 串行口
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pcie基本概念及其工作原理介紹：PCI Express®（或稱PCIe®），是一項(xiàng)高性能、高帶寬，此標(biāo)準(zhǔn)由互連外圍設(shè)備專業(yè)組（PCI-SIG）制 訂，用于替代PCI、PCI Extended (PCI-X)等基于總線的通訊體系架構(gòu)以及圖形加速端口（AGP）。 轉(zhuǎn)向PCIe主要是為了實(shí)現(xiàn)顯著增強(qiáng)系統(tǒng)吞吐量、擴(kuò)容性和靈活性的目標(biāo)，同時(shí)還要降低制造成本，而這 些都是基于總線的傳統(tǒng)互連標(biāo)準(zhǔn)所達(dá)不到的。PCI Express標(biāo)準(zhǔn)在設(shè)計(jì)時(shí)著眼于未來，并且能夠繼續(xù)演 進(jìn)，從而為系統(tǒng)提供更大的吞吐量。第一代PCIe規(guī)定的吞吐量是每秒2.5千兆比特（Gbps），第二代規(guī) 定的吞吐量是5.0 Gbps，而最近公布PCIe 3.0標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)支持8.0 Gbps的吞吐量。在PCIe標(biāo)準(zhǔn)繼續(xù)充分利 用最新技術(shù)來提供不斷加大的吞吐量的同時(shí)，采用分層協(xié)議也便于PCI向PCIe的演進(jìn)，并保持了與現(xiàn)有 PCI應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)程序軟件兼容性。 雖然最初的目標(biāo)是計(jì)算機(jī)擴(kuò)展卡以及圖形卡，但PCIe目前也廣泛適用于涵蓋更廣的應(yīng)用門類，包括網(wǎng)絡(luò) 組建、通信、存儲(chǔ)、工業(yè)電子設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品。 本白皮書的目的在于幫助讀者進(jìn)一步了解PCI Express以及成功PCIe成功應(yīng)用。 PCI Express基本工作原理 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 本節(jié)介紹了PCIe協(xié)議的基本工作原理以及當(dāng)今系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)和支持PCIe協(xié)議所需要的各個(gè)組成部分。本節(jié) 的目標(biāo)在于提供PCIe的相關(guān)工作知識(shí)，并未涉及到PCIe協(xié)議的具體復(fù)雜性。 PCIe的優(yōu)勢(shì)就在于降低了復(fù)雜度所帶來的成本。PCIe屬于一種基于數(shù)據(jù)包的串行連接協(xié)議，它的復(fù)雜度 估計(jì)在PCI并行總線的10倍以上。之所以有這樣的復(fù)雜度，部分是由于對(duì)以千兆級(jí)的速度進(jìn)行并行至串 行的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的需要，部分是由于向基于數(shù)據(jù)包實(shí)現(xiàn)方案的轉(zhuǎn)移。 PCIe保留了PCI的基本載入-存儲(chǔ)體系架構(gòu)，包括支持以前由PCI-X標(biāo)準(zhǔn)加入的分割事務(wù)處理特性。此 外，PCIe引入了一系列低階消息傳遞基元來管理鏈路（例如鏈路級(jí)流量控制），以仿真?zhèn)鹘y(tǒng)并行總線的 邊帶信號(hào)，并用于提供更高水平的健壯性和功能性。此規(guī)格定義了許多既支持當(dāng)今需要又支持未來擴(kuò)展 的特性，同時(shí)還保持了與PCI軟件驅(qū)動(dòng)程序的兼容性。PCI Express的先進(jìn)特性包括：自主功率管理； 先進(jìn)錯(cuò)誤報(bào)告；通過端對(duì)端循環(huán)冗余校驗(yàn)（ECRC）實(shí)現(xiàn)的端對(duì)端可靠性，支持熱插拔；以及服務(wù)質(zhì)量（QoS）流量分級(jí)。
標(biāo)簽： pcie_cn pcie 基本概念 工作原理
上傳時(shí)間： 2013-11-29
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介紹了串行磁盤接口SATA,SAS的技術(shù)要點(diǎn)。串行接口由于數(shù)據(jù)傳送方式額突破，傳輸頻率可作極高的提升，信號(hào)的抗干擾能力強(qiáng)，可長距離傳輸
標(biāo)簽： 計(jì)算機(jī)存儲(chǔ) 接口 串行
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串行NOR Flash是用串口進(jìn)行連續(xù)數(shù)據(jù)存取的小尺寸、低功耗Flash存儲(chǔ)器；相對(duì)于并行Flash，它用更少的引腳傳送數(shù)據(jù)，這降低了系統(tǒng)空間、功耗、成本。它內(nèi)部的地址空間是線性的，隨機(jī)訪問速度快；它的傳輸效率高，在1~ 4MB的小容量時(shí)具有很高的性價(jià)比。更重要的是，串行NOR Flash的讀寫操作十分簡單。這些優(yōu)勢(shì)使得串行NOR Flash被廣泛地用于微型、低功耗的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。串行NOR Flash 可通過SPI進(jìn)行操作。用戶根據(jù)NOR Flash芯片自定義的協(xié)議，通過SPI發(fā)送命令到芯片，并接收NOR Flash芯片返回的狀態(tài)信息和數(shù)據(jù)信息。此外，用戶在使用串行NOR Flash時(shí)需要注意其支持哪些類型的SPI操作方式。
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128Mb以上的串行閃存被認(rèn)為是電子產(chǎn)品滿足市場需求、增加更多功能的一個(gè)主要障礙，針對(duì)需要128Mb以上串行閃存的應(yīng)用要求，美光科技 (Micron Technology)推出一個(gè)簡單的獨(dú)一無二的擴(kuò)容解決方案。這個(gè)解決方案可以把存儲(chǔ)容量輕松地?cái)U(kuò)大到4G或更大，完全兼容現(xiàn)有的串行外設(shè)接口(SPI)協(xié)議，無需重新設(shè)計(jì)主芯片的硬件。該解決方案優(yōu)于市場上現(xiàn)有的要求創(chuàng)建一個(gè)新的32位尋址模式的解決方案，因?yàn)閯?chuàng)建新的尋址模式可能強(qiáng)迫設(shè)計(jì)人員修改軟硬件。
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計(jì)算源程序行數(shù)的軟件
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