找一塊電源仔細看一下,在電源部分中,跨接L-N之間的小方塊(單位是μF)電容就是X電容,通常在是電源入口的第一個;同樣,在電源部分的跨接L-PE和N-PE之間的藍色的安規電容(單位pF)就是Y電容,通常是成對出現的。 或者你可以形象的看,X電容具有2個輸入端,2個輸出端,很象X;Y電容具有一個輸入端,一個輸出端以及一個公共的大地,很象一個Y 沒有什么概念的,一個在差模回路上,一個在共模回路上,X、Y的名稱純粹是一個稱呼,就象是X和Y軸一樣 X電容主要用于流電源線路中,此時當電容失時不致產生線間放電。X電容器的測試條件是:在交流電壓的有效值*1.5的電壓下工作100Hour;再加上1KV的高壓測試。Y電容器在一旦失效會導致放電危險(尤其是對外殼)時是強制使用的。Y類型電容器的測試條件是:在交流電壓的有效值*1.7的電壓下工作100Hour,加上2KV高壓測試。如果電容器用于不接地的II類產品中,則要增加至4KV。
上傳時間: 2013-10-24
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摘要:為改善傳統EMI濾波器的濾波性能,分析并采用了合成扼流圈來替代傳統分立扼流圈,并根據濾波器阻抗失配原理,通過分析LISN網絡與噪聲源的阻抗特性,分別對共差模等效電路進行分析與設計,提出了基于合成扼流圈的開關電源EMI濾波器設計方法。試驗結果證明,此方法是有效的,并已成功地應用在燃料電池轎車用DC/DC變換器的控制電路板設計中。關鍵詞:開關電源;電磁干擾;合成扼流圈;共模電感
上傳時間: 2013-10-17
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/*--------- 8051內核特殊功能寄存器 -------------*/ sfr ACC = 0xE0; //累加器 sfr B = 0xF0; //B 寄存器 sfr PSW = 0xD0; //程序狀態字寄存器 sbit CY = PSW^7; //進位標志位 sbit AC = PSW^6; //輔助進位標志位 sbit F0 = PSW^5; //用戶標志位0 sbit RS1 = PSW^4; //工作寄存器組選擇控制位 sbit RS0 = PSW^3; //工作寄存器組選擇控制位 sbit OV = PSW^2; //溢出標志位 sbit F1 = PSW^1; //用戶標志位1 sbit P = PSW^0; //奇偶標志位 sfr SP = 0x81; //堆棧指針寄存器 sfr DPL = 0x82; //數據指針0低字節 sfr DPH = 0x83; //數據指針0高字節 /*------------ 系統管理特殊功能寄存器 -------------*/ sfr PCON = 0x87; //電源控制寄存器 sfr AUXR = 0x8E; //輔助寄存器 sfr AUXR1 = 0xA2; //輔助寄存器1 sfr WAKE_CLKO = 0x8F; //時鐘輸出和喚醒控制寄存器 sfr CLK_DIV = 0x97; //時鐘分頻控制寄存器 sfr BUS_SPEED = 0xA1; //總線速度控制寄存器 /*----------- 中斷控制特殊功能寄存器 --------------*/ sfr IE = 0xA8; //中斷允許寄存器 sbit EA = IE^7; //總中斷允許位 sbit ELVD = IE^6; //低電壓檢測中斷控制位 8051
上傳時間: 2013-10-30
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#include<iom16v.h> #include<macros.h> #define uint unsigned int #define uchar unsigned char uint a,b,c,d=0; void delay(c) { for for(a=0;a<c;a++) for(b=0;b<12;b++); }; uchar tab[]={ 0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90,
上傳時間: 2013-10-21
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RS-485的傳輸線如何合理屏蔽為了減少電磁耦合,防止大的共模干擾損壞器件,傳輸線最好加屏蔽。屏蔽接法如下,其中電容為幾μF。
上傳時間: 2013-10-15
上傳用戶:momofiona
摘要: 串行傳輸技術具有更高的傳輸速率和更低的設計成本, 已成為業界首選, 被廣泛應用于高速通信領域。提出了一種新的高速串行傳輸接口的設計方案, 改進了Aurora 協議數據幀格式定義的弊端, 并采用高速串行收發器Rocket I/O, 實現數據率為2.5 Gbps的高速串行傳輸。關鍵詞: 高速串行傳輸; Rocket I/O; Aurora 協議 為促使FPGA 芯片與串行傳輸技術更好地結合以滿足市場需求, Xilinx 公司適時推出了內嵌高速串行收發器RocketI/O 的Virtex II Pro 系列FPGA 和可升級的小型鏈路層協議———Aurora 協議。Rocket I/O支持從622 Mbps 至3.125 Gbps的全雙工傳輸速率, 還具有8 B/10 B 編解碼、時鐘生成及恢復等功能, 可以理想地適用于芯片之間或背板的高速串行數據傳輸。Aurora 協議是為專有上層協議或行業標準的上層協議提供透明接口的第一款串行互連協議, 可用于高速線性通路之間的點到點串行數據傳輸, 同時其可擴展的帶寬, 為系統設計人員提供了所需要的靈活性[4]。但該協議幀格式的定義存在弊端,會導致系統資源的浪費。本文提出的設計方案可以改進Aurora 協議的固有缺陷,提高系統性能, 實現數據率為2.5 Gbps 的高速串行傳輸, 具有良好的可行性和廣闊的應用前景。
上傳時間: 2013-11-06
上傳用戶:smallfish
資料介紹說明: si8000m破解版帶破解文件crack si8000m是全新的邊界元素法場效解算器,建立在我們熟悉的早期POLAR阻抗設計系統易用使用的用戶界面之上。si8000m增加了強化建模技術,可以預測多電介質PCB的成品阻抗,同時考慮了密集差分結構介電常數局部變化。 建模時常常忽略了便面圖層,si8000m模擬圖層與表面線路之間的阻焊厚度。這是一種更好的解決方案,可根據電路板采用的特殊阻焊方法進行定制。新的si8000m還提取偶模阻抗和共模阻抗。(偶模阻抗是黨倆條傳輸線對都采用相同量值,相同級性的信號驅動,傳輸線一邊的特性阻抗.)在USB2.0和LVDS等高速系統中,越來越需要控制這些特征阻抗。
上傳時間: 2013-11-05
上傳用戶:古谷仁美
資料介紹說明: si8000m破解版帶破解文件crack si8000m是全新的邊界元素法場效解算器,建立在我們熟悉的早期POLAR阻抗設計系統易用使用的用戶界面之上。si8000m增加了強化建模技術,可以預測多電介質PCB的成品阻抗,同時考慮了密集差分結構介電常數局部變化。 建模時常常忽略了便面圖層,si8000m模擬圖層與表面線路之間的阻焊厚度。這是一種更好的解決方案,可根據電路板采用的特殊阻焊方法進行定制。新的si8000m還提取偶模阻抗和共模阻抗。(偶模阻抗是黨倆條傳輸線對都采用相同量值,相同級性的信號驅動,傳輸線一邊的特性阻抗.)在USB2.0和LVDS等高速系統中,越來越需要控制這些特征阻抗。
上傳時間: 2013-11-16
上傳用戶:jiangfire
摘要: 串行傳輸技術具有更高的傳輸速率和更低的設計成本, 已成為業界首選, 被廣泛應用于高速通信領域。提出了一種新的高速串行傳輸接口的設計方案, 改進了Aurora 協議數據幀格式定義的弊端, 并采用高速串行收發器Rocket I/O, 實現數據率為2.5 Gbps的高速串行傳輸。關鍵詞: 高速串行傳輸; Rocket I/O; Aurora 協議 為促使FPGA 芯片與串行傳輸技術更好地結合以滿足市場需求, Xilinx 公司適時推出了內嵌高速串行收發器RocketI/O 的Virtex II Pro 系列FPGA 和可升級的小型鏈路層協議———Aurora 協議。Rocket I/O支持從622 Mbps 至3.125 Gbps的全雙工傳輸速率, 還具有8 B/10 B 編解碼、時鐘生成及恢復等功能, 可以理想地適用于芯片之間或背板的高速串行數據傳輸。Aurora 協議是為專有上層協議或行業標準的上層協議提供透明接口的第一款串行互連協議, 可用于高速線性通路之間的點到點串行數據傳輸, 同時其可擴展的帶寬, 為系統設計人員提供了所需要的靈活性[4]。但該協議幀格式的定義存在弊端,會導致系統資源的浪費。本文提出的設計方案可以改進Aurora 協議的固有缺陷,提高系統性能, 實現數據率為2.5 Gbps 的高速串行傳輸, 具有良好的可行性和廣闊的應用前景。
上傳時間: 2013-10-13
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電路板布局………………………………………42.1 電源和地…………………………………………………………………….42.1.1 感抗……………………………………………………………………42.1.2 兩層板和四層板………………………………………………………42.1.3 單層板和二層板設計中的微處理器地……………………………….42.1.4 信號返回地……………………………………………………………52.1.5 模擬數字和高壓…………………………………………………….52.1.6 模擬電源引腳和模擬參考電壓……………………………………….52.1.7 四層板中電源平面因該怎么做和不應該怎么做…………………….52.2 兩層板中的電源分配……………………………………………………….62.2.1 單點和多點分配……………………………………………………….62.2.2 星型分配………………………………………………………………62.2.3 格柵化地……………………………………………………………….72.2.4 旁路和鐵氧體磁珠……………………………………………………92.2.5 使噪聲靠近磁珠……………………………………………………..102.3 電路板分區………………………………112.4 信號線……………………………………………………………………...122.4.1 容性和感性串擾……………………………………………………...122.4.2 天線因素和長度規則………………………………………………...122.4.3 串聯終端傳輸線…………………………………………………..132.4.4 輸入阻抗匹配………………………………………………………...132.5 電纜和接插件……………………………………………………………...132.5.1 差模和共模噪聲……………………………………………………...142.5.2 串擾模型……………………………………………………………..142.5.3 返回線路數目……………………………………..142.5.4 對板外信號I/O的建議………………………………………………142.5.5 隔離噪聲和靜電放電ESD ……………………………………….142.6 其他布局問題……………………………………………………………...142.6.1 汽車和用戶應用帶鍵盤和顯示器的前端面板印刷電路板………...152.6.2 易感性布局…………………………………………………………...15
上傳時間: 2013-10-19
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