亚洲欧美第一页_禁久久精品乱码_粉嫩av一区二区三区免费野_久草精品视频

蟲(chóng)蟲(chóng)首頁(yè)| 資源下載| 資源專(zhuān)輯| 精品軟件
登錄| 注冊(cè)

六軸協(xié)(xié)作機(jī)(jī)器人

  • 微型計(jì)算機(jī)課程設(shè)計(jì)論文—通用微機(jī)發(fā)聲程序的匯編設(shè)計(jì)

    微型計(jì)算機(jī)課程設(shè)計(jì)論文—通用微機(jī)發(fā)聲程序的匯編設(shè)計(jì) 本文講述了在微型計(jì)算機(jī)中利用可編程時(shí)間間隔定時(shí)器的通用發(fā)聲程序設(shè)計(jì),重點(diǎn)講述了程序的發(fā)聲原理,節(jié)拍的產(chǎn)生,按節(jié)拍改變的動(dòng)畫(huà)程序原理,并以設(shè)計(jì)一個(gè)簡(jiǎn)單的樂(lè)曲評(píng)分程序?yàn)橐樱治龀绦蛟O(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)。關(guān)鍵字:微機(jī) 8253 通用發(fā)聲程序 動(dòng)畫(huà)技術(shù) 直接寫(xiě)屏 1. 可編程時(shí)間間隔定時(shí)器8253在通用個(gè)人計(jì)算機(jī)中,有一個(gè)可編程時(shí)間間隔定時(shí)器8253,它能夠根據(jù)程序提供的計(jì)數(shù)值和工作方式,產(chǎn)生各種形狀和各種頻率的計(jì)數(shù)/定時(shí)脈沖,提供給系統(tǒng)各個(gè)部件使用。本設(shè)計(jì)是利用計(jì)算機(jī)控制發(fā)聲的原理,編寫(xiě)演奏樂(lè)曲的程序。    在8253/54定時(shí)器內(nèi)部有3個(gè)獨(dú)立工作的計(jì)數(shù)器:計(jì)數(shù)器0,計(jì)數(shù)器1和計(jì)數(shù)器2,每個(gè)計(jì)數(shù)器都分配有一個(gè)斷口地址,分別為40H,41H和42H.8253/54內(nèi)部還有一個(gè)公用的控制寄存器,端地址為43H.端口地址輸入到8253/54的CS,AL,A0端,分別對(duì)3個(gè)計(jì)數(shù)器和控制器尋址.     對(duì)8353/54編程時(shí),先要設(shè)定控制字,以選擇計(jì)數(shù)器,確定工作方式和計(jì)數(shù)值的格式.每計(jì)數(shù)器由三個(gè)引腳與外部聯(lián)系,見(jiàn)教材第320頁(yè)圖9-1.CLK為時(shí)鐘輸入端,GATE為門(mén)控信號(hào)輸入端,OUT為計(jì)數(shù)/定時(shí)信號(hào)輸入端.每個(gè)計(jì)數(shù)器中包含一個(gè)16位計(jì)數(shù)寄存器,這個(gè)計(jì)數(shù)器時(shí)以倒計(jì)數(shù)的方式計(jì)數(shù)的,也就是說(shuō),從計(jì)數(shù)初值逐次減1,直到減為0為止.     8253/54的三個(gè)計(jì)數(shù)器是分別編程的,在對(duì)任一個(gè)計(jì)數(shù)器編程時(shí),必須首先講控制字節(jié)寫(xiě)入控制寄存器.控制字的作用是告訴8253/54選擇哪個(gè)計(jì)數(shù)器工作,要求輸出什么樣的脈沖波形.另外,對(duì)8253/54的初始化工作還包括,向選定的計(jì)數(shù)器輸入一個(gè)計(jì)數(shù)初值,因?yàn)檫@個(gè)計(jì)數(shù)值可以是8為的,也可以是16為的,而8253/5的數(shù)據(jù)總線(xiàn)是8位的,所以要用兩條輸出指令來(lái)寫(xiě)入初值.下面給出8253/54初始化程序段的一個(gè)例子,將計(jì)數(shù)器2設(shè)定為方式3,(關(guān)于計(jì)數(shù)器的工作方式參閱教材第325—330頁(yè))計(jì)數(shù)初值為65536.    MOV   AL,10110110B ;選擇計(jì)數(shù)器2,按方式3工作,計(jì)數(shù)值是二進(jìn)制格式    OUT   43H,AL      ; j將控制字送入控制寄存器    MOV   AL,0        ;計(jì)數(shù)初值為0    OUT   42H,AL      ;將計(jì)數(shù)初值的低字節(jié)送入計(jì)數(shù)器2    OUT   42H,AL      ;將計(jì)數(shù)初值的高字節(jié)送入計(jì)數(shù)器2    在IBM PC中8253/54的三個(gè)時(shí)鐘端CLK0,CLK1和CLK2的輸入頻率都是1.1931817MHZ. PC機(jī)上的大多數(shù)I/O都是由主板上的8255(或8255A)可編程序外圍接口芯片(PPI)管理的.關(guān)于8255A的結(jié)構(gòu)和工作原理及應(yīng)用舉例參閱教材第340—373頁(yè).教材第364頁(yè)的”P(pán)C/XT機(jī)中的揚(yáng)聲器接口電路”一節(jié)介紹了揚(yáng)聲器的驅(qū)動(dòng)原理,并給出了通用發(fā)聲程序.本設(shè)計(jì)正是基于這個(gè)原理,通過(guò)編程,控制加到揚(yáng)聲器上的信號(hào)的頻率,奏出樂(lè)曲的.2.發(fā)聲程序的設(shè)計(jì)下面是能產(chǎn)生頻率為f的通用發(fā)聲程序:MOV      AL, 10110110B   ;8253控制字:通道2,先寫(xiě)低字節(jié),后寫(xiě)高字節(jié)        ;方式3,二進(jìn)制計(jì)數(shù)OUT      43H, AL                  ;寫(xiě)入控制字MOV      DX, 0012H               ;被除數(shù)高位MOV      AX, 35DEH              ;被除數(shù)低位 DIV      ID      ;求計(jì)數(shù)初值n,結(jié)果在AX中OUT      42H, AL     ;送出低8位MOV      AL, AHOUT      42H,AL     ;送出高8位IN      AL, 61H     ;讀入8255A端口B的內(nèi)容MOV      AH, AL                  ;保護(hù)B口的原狀態(tài)OR  AL, 03H     ;使B口后兩位置1,其余位保留OUT 61H,AL     ;接通揚(yáng)聲器,使它發(fā)聲

    標(biāo)簽: 微型計(jì)算機(jī) 發(fā)聲程序 論文 微機(jī)

    上傳時(shí)間: 2013-10-17

    上傳用戶(hù):sunjet

  • 用單片機(jī)內(nèi)置比較器設(shè)計(jì)高精度A/D變換器

    Σ-ΔA/D技術(shù)具有高分辨率、高線(xiàn)性度和低成本的特點(diǎn)。本文基于TI公司的MSP430F1121單片機(jī),介紹了采用內(nèi)置比較器和外圍電路構(gòu)成類(lèi)似于Σ-△的高精度A/D實(shí)現(xiàn)方案,適合用于對(duì)溫度、壓力和電壓等緩慢變化信號(hào)的采集應(yīng)用。 在各種A/D轉(zhuǎn)換器中,最常用是逐次逼近法(SAR)A/D,該類(lèi)器件具有轉(zhuǎn)換時(shí)間固定且快速的特點(diǎn),但難以顯著提高分辨率;積分型A/D 有較強(qiáng)的抗干擾能力,但轉(zhuǎn)換時(shí)間較長(zhǎng);過(guò)采樣Σ-ΔA/D由于其高分辨率,高線(xiàn)性度及低成本的特點(diǎn),正得到越來(lái)越多的應(yīng)用。根據(jù)這些特點(diǎn),本文以TI公司的MSP430F1121單片機(jī)實(shí)現(xiàn)了一種類(lèi)似于Σ-ΔA/D技術(shù)的高精度轉(zhuǎn)換器方案。 MSP430F1121是16位RISC結(jié)構(gòu)的FLASH型單片機(jī),該芯片有14個(gè)雙向I/O口并兼有中斷功能,一個(gè)16位定時(shí)器兼有計(jì)數(shù)和定時(shí)功能。I/O口輸出高電平時(shí)電壓接近Vcc,低電平時(shí)接近Vss,因此,一個(gè)I/O口可以看作一位DAC,具有PWM功能。 該芯片具有一個(gè)內(nèi)置模擬電壓比較器,只須外接一只電阻和電容即可構(gòu)成一個(gè)類(lèi)似于Σ-Δ技術(shù)的高精度單斜率A/D。一般而言,比較器在使用過(guò)程中會(huì)受到兩種因素的影響,一種是比較器輸入端的偏置電壓的積累;另一種是兩個(gè)輸入端電壓接近到一程度時(shí),輸出端會(huì)產(chǎn)生振蕩。 MSP430F1121單片機(jī)在比較器兩輸入端對(duì)應(yīng)的單片機(jī)端口與片外輸入信號(hào)的連接線(xiàn)路保持不變的情況下,可通過(guò)軟件將比較器兩輸入端與對(duì)應(yīng)的單片機(jī)端口的連接線(xiàn)路交換,并同時(shí)將比較器的輸出極性變換,這樣抵消了比較器的輸入端累積的偏置電壓。通過(guò)在內(nèi)部將輸出連接到低通濾波器后,即使在比較器輸入端兩比較電壓非常接近,經(jīng)過(guò)濾波后也不會(huì)出現(xiàn)輸出端的振蕩現(xiàn)象,從而消除了輸出端震蕩的問(wèn)題。利用內(nèi)置比較器實(shí)現(xiàn)高精度A/D圖1是一個(gè)可直接使用的A/D轉(zhuǎn)換方案,該方案是一個(gè)高精度的積分型A/D轉(zhuǎn)換器。其基本原理是用單一的I/O端口,執(zhí)行1位的數(shù)模轉(zhuǎn)換,以比較器的輸出作反饋,來(lái)維持Vout與Vin相等。圖1:利用MSP430F1121實(shí)現(xiàn)的實(shí)用A/D轉(zhuǎn)換器電路方案。

    標(biāo)簽: 用單片機(jī) 內(nèi)置 比較器 變換器

    上傳時(shí)間: 2013-11-10

    上傳用戶(hù):lliuhhui

  • 單片機(jī)應(yīng)用技術(shù)選編3

    單片機(jī)應(yīng)用技術(shù)選編(3) 目錄  第一章 單片機(jī)的綜合應(yīng)用技術(shù)1.1 8098單片機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展技術(shù)1.2 87C196KC單片機(jī)的DMA功能1.3 MCS?96系列單片機(jī)高精度接口設(shè)計(jì)1.4 利用PC機(jī)的8096軟件開(kāi)發(fā)系統(tǒng)1.5 EPROM模擬器及其應(yīng)用1.6 MCS?51智能反匯編軟件的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)1.7 MCS?51系列軟件設(shè)計(jì)與調(diào)試中一個(gè)值得注意的問(wèn)題1.8 PL/M語(yǔ)言在微機(jī)開(kāi)發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用特性1.9 MCS?51單片機(jī)開(kāi)發(fā)系統(tǒng)中的斷點(diǎn)產(chǎn)生1.10 C語(yǔ)言實(shí)型數(shù)與單片機(jī)浮點(diǎn)數(shù)之間數(shù)據(jù)格式的轉(zhuǎn)換1.11 微機(jī)控制系統(tǒng)初始化問(wèn)題探討1.12 MCS?51中斷系統(tǒng)中的復(fù)位問(wèn)題1.13 工業(yè)控制軟件的編程原則與編程技巧1.14 CMOS微處理器的功耗特性及其功耗控制原理和應(yīng)用1.15 基于PLL技術(shù)的A/D、D/A轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)1.16 智能儀器監(jiān)控程序的模塊化設(shè)計(jì)1.17 用軟件邏輯開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)單片機(jī)的地址重疊使用1.18 8259A可編程中斷控制器與8031單片機(jī)接口電路及編程1.19 NSC810及其在各種微處理機(jī)中的應(yīng)用1.20 MC146818在使用中的幾個(gè)問(wèn)題1.21 交流伺服系統(tǒng)中采用8155兼作雙口信箱存儲(chǔ)器的雙微機(jī)結(jié)構(gòu)1.22 實(shí)用漢字庫(kù)芯片的制作 第二章 新一代存儲(chǔ)器及邏輯器件2.1 新一代非易失性記憶元件--閃爍存儲(chǔ)器2.2 Flash存儲(chǔ)器及應(yīng)用2.3 隨機(jī)靜態(tài)存儲(chǔ)器HM628128及應(yīng)用2.4 非揮發(fā)性隨機(jī)存儲(chǔ)器NOVRAM2.5 ASIC的設(shè)計(jì)方法和設(shè)計(jì)工具2.6 GAL器件的編程方法及其應(yīng)用2.7 第三代可編程邏輯器件--高密EPLD輯器件EPLDFPGA設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換 第三章 數(shù)據(jù)采集、前向通道與測(cè)量技術(shù) 3.1 溫度傳感器通道接口技術(shù) 3.2 LM135系列精密溫度傳感器的原理和應(yīng)用 3.3 儀表放大器AD626的應(yīng)用 3.4 5G7650使用中應(yīng)注意的問(wèn)題 3.5 用集成運(yùn)算放大器構(gòu)成電荷放大器組件 3.6 普通光電耦合器的線(xiàn)性應(yīng)用 3.7 高線(xiàn)性光耦合型隔離放大器的研制 3.8 一種隔離型16位單片機(jī)高精度模擬量接口3.9 單片16位A/D轉(zhuǎn)換器AD7701及其與8031單片機(jī)的串行接口3.10 雙積分型A/D轉(zhuǎn)換器與MCS?51系列單片機(jī)接口的新方法3.11 8031單片機(jī)與AD574A/D轉(zhuǎn)換器的最簡(jiǎn)接口3.12 8098單片機(jī)A/D轉(zhuǎn)換接口及其程序設(shè)計(jì)3.13 提高A/D轉(zhuǎn)換器分辨率的實(shí)用方案3.14 用CD4051提高8098單片機(jī)內(nèi)10位A/D轉(zhuǎn)換器分辨率的方法3.15 單片機(jī)實(shí)現(xiàn)16位高速積分式A/D轉(zhuǎn)換器3.16 434位A/D轉(zhuǎn)換器MAX133(134)的原理及應(yīng)用3.17 AD574A應(yīng)用中應(yīng)注意的問(wèn)題 3.18 CC14433使用中應(yīng)注意的問(wèn)題 3.19 高精度寬范圍數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的溫度補(bǔ)償途徑 3.20 縮短ICL7135A/D采樣程序時(shí)間的一種方法 3.21 用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)的數(shù)字式自動(dòng)增益控制 3.22 自動(dòng)量程轉(zhuǎn)換電路 3.23 雙積分型A/D的自動(dòng)量程切換電路 3.24 常用雙積分型A/D轉(zhuǎn)換器自換程功能的擴(kuò)展3.25 具有自動(dòng)量程轉(zhuǎn)換功能的單片機(jī)A/D接口3.26 混合型數(shù)據(jù)采集器SDM857的功能與應(yīng)用3.27 高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的傳輸接口3.28 SJ2000方向鑒別位移脈寬頻率檢測(cè)多用途專(zhuān)用集成電路3.29 多路高速高精度F/D專(zhuān)用集成電路3.30 數(shù)控帶通濾波器的實(shí)現(xiàn)及其典型應(yīng)用 第四章 控制系統(tǒng)與后向通道接口技術(shù)4.1 模糊邏輯與模糊控制4.2 自動(dòng)控制技術(shù)的新發(fā)展--模糊控制技術(shù)4.3 模糊控制表的確定原則4.4 變結(jié)構(gòu)模糊控制系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)研究4.5 新型集成模糊數(shù)據(jù)相關(guān)器NLX1124.6 功率固態(tài)繼電器的應(yīng)用4.7 雙向功率MOS固態(tài)繼電器4.8 SSR小型固態(tài)繼電器與PSSR功率參數(shù)固態(tài)繼電器4.9 JGD型多功能固態(tài)繼電器的原理和應(yīng)用4.10 光電耦合器在晶閘管觸發(fā)電路中的應(yīng)用4.11 一種廉價(jià)的12位D/A轉(zhuǎn)換器AD667及接口4.12 利用單片機(jī)構(gòu)成高精度PWM式12位D/A4.13 三相高頻PWM模塊SLE45204.14 專(zhuān)用集成電路TCA785及其應(yīng)用4.15 單片溫度控制器LM3911的應(yīng)用4.16 工業(yè)測(cè)控系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)的若干問(wèn)題研究 第五章 人機(jī)對(duì)話(huà)通道接口技術(shù)5.1 廉價(jià)實(shí)用的8×8鍵盤(pán)5.2 單片機(jī)遙控鍵盤(pán)接口5.3 對(duì)8279鍵盤(pán)顯示接口的改進(jìn)5.4 用單片機(jī)8031的七根I/O線(xiàn)實(shí)現(xiàn)對(duì)鍵盤(pán)與顯示器的控制5.5 通用8位LED數(shù)碼管驅(qū)動(dòng)電路ICM7218B5.6 利用條圖顯示驅(qū)動(dòng)器LM3914組成100段LED顯示器的方法5.7 液晶顯示器的多極驅(qū)動(dòng)方式5.8 點(diǎn)陣式液晶顯示屏的構(gòu)造與應(yīng)用5.9 點(diǎn)陣式液晶顯示器圖形程序設(shè)計(jì)5.10 DMF5001N點(diǎn)陣式液晶顯示器和8098單片機(jī)的接口技術(shù)5.11 8098單片機(jī)與液晶顯示控制器HD61830接口5.12 利用PL/M語(yǔ)言對(duì)點(diǎn)陣式液晶顯示器進(jìn)行漢字程序設(shè)計(jì)5.13 語(yǔ)音合成器TMS 5220的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用5.14 制作T6668語(yǔ)音系統(tǒng)的一些技術(shù)問(wèn)題5.15 單片機(jī)、單板機(jī)在屏顯系統(tǒng)中的應(yīng)用 第六章 多機(jī)通訊網(wǎng)絡(luò)與遙控技術(shù)6.1 用雙UART構(gòu)成的可尋址遙測(cè)點(diǎn)裝置--兼談如何組成系統(tǒng)6.2 IBM?PC微機(jī)與8098單片機(jī)的多機(jī)通訊6.3 80C196單片機(jī)與IBM?PC機(jī)的串行通訊6.4 IBM?PC與MCS?51多機(jī)通訊的研究6.5 半雙工方式傳送的單片機(jī)多機(jī)通信接口電路及軟件設(shè)計(jì)6.6 單片機(jī)與IBM/PC機(jī)通訊的新型接口及編程6.7 用光耦實(shí)現(xiàn)一點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)的總線(xiàn)式通訊電路6.8 用EPROM作為通訊變換器實(shí)現(xiàn)多機(jī)通訊6.9 ICL232單電源雙RS?232發(fā)送/接收器及其應(yīng)用6.10 DTMF信號(hào)發(fā)送/接收電路芯片MT8880及應(yīng)用6.11 通用紅外線(xiàn)遙控系統(tǒng)6.12 8031單片機(jī)在遙控解碼方面的應(yīng)用 第七章 電源、電壓變換及電源監(jiān)視7.1 用于微機(jī)控制系統(tǒng)的高可靠性供電方法7.2 80C31單片機(jī)防掉電和抗干擾電源的設(shè)計(jì)7.3 可編程基準(zhǔn)電壓源7.4 電源電壓監(jiān)視器件M81953B7.5 檢出電壓可任意設(shè)定的電源電壓監(jiān)測(cè)器7.6 低壓降(LDO?Low Drop?Out)穩(wěn)壓器7.7 LM317三端可調(diào)穩(wěn)壓器應(yīng)用二例7.8 三端集成穩(wěn)壓器的擴(kuò)流應(yīng)用 第八章 可靠性與抗干擾技術(shù)8.1 數(shù)字電路的可靠性設(shè)計(jì)實(shí)踐與體會(huì)8.2 單片機(jī)容錯(cuò)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)8.3 微機(jī)測(cè)控系統(tǒng)的接地、屏蔽和電源供給8.4 ATE的抗干擾及接地技術(shù)8.5 微處理器監(jiān)控電路MAX690A/MAX692A8.6 電測(cè)儀表電路的實(shí)用抗干擾技術(shù)8.7 工業(yè)鍍鋅電阻爐溫度控制機(jī)的抗干擾措施8.8 一種簡(jiǎn)單的抗干擾控制算法 ? 第九章 綜合應(yīng)用實(shí)例9.1 蔬菜灌溉相關(guān)參數(shù)的自動(dòng)檢測(cè)9.2 MH?214溶解氧測(cè)定儀9.3 COP840C單片機(jī)在液晶線(xiàn)控空調(diào)電腦控制器中的應(yīng)用9.4 單片機(jī)在電飯煲中的應(yīng)用9.5 用PIC單片機(jī)制作電扇自然風(fēng)發(fā)生器 第十章 文章摘要 一、 單片機(jī)的綜合應(yīng)用技術(shù)1.1 摩托羅拉8位單片機(jī)的應(yīng)用和開(kāi)發(fā)1.2 NS公司的COP800系列8位單片機(jī)1.3 M68HC11與MCS?51單片機(jī)功能比較1.4 8098單片機(jī)8M存儲(chǔ)空間的擴(kuò)展技術(shù)1.5 80C196KC單片機(jī)的外部設(shè)備事件服務(wù)器1.6 一種多進(jìn)程實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)的軟件設(shè)計(jì)1.7 開(kāi)發(fā)單片機(jī)的結(jié)構(gòu)化高級(jí)語(yǔ)言PL/M?961.8 應(yīng)用軟件開(kāi)發(fā)中的菜單接口技術(shù)1.9 單片機(jī)用戶(hù)系統(tǒng)EPROM中用戶(hù)程序的剖析方法1.10 BJS?98硬件、軟件典型實(shí)驗(yàn)1.11 FORTH語(yǔ)言系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)應(yīng)用1.12 在Transputer系統(tǒng)上用并行C語(yǔ)言編程的特點(diǎn)1.13 一種軟件擴(kuò)展8031內(nèi)部計(jì)數(shù)器簡(jiǎn)易方法1.14 MCS 51系列單片機(jī)功能測(cè)試方法研究1.15 用CD 4520B設(shè)計(jì)對(duì)稱(chēng)輸出分頻器的方法1.16 多路模擬開(kāi)關(guān)CC 4051功能擴(kuò)展方法1.17 條形碼技術(shù)及其應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)? 二、 新一代存儲(chǔ)器及邏輯器件2.1 一種多功能存儲(chǔ)器M6M 72561J2.2 串行E2PROM及其在智能儀器中的應(yīng)用2.3 新型高性能的AT24C系列串行E2PROM2.4 2K~512K EPROM編程卡2.5 電子盤(pán)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)2.6 NS GAL器件的封裝標(biāo)簽、類(lèi)型代碼和編程結(jié)構(gòu)間的關(guān)系 三、數(shù)據(jù)采集、前向通道與測(cè)量技術(shù)3.1 儀器用精密運(yùn)放CA3193的應(yīng)用3.2 集成電壓?電流轉(zhuǎn)換器XTR100的應(yīng)用3.3 瞬時(shí)浮點(diǎn)放大器及應(yīng)用3.4 隔離放大器289J及其應(yīng)用3.5 ICS?300系列新型加速度傳感器3.6 一種實(shí)用的壓力傳感器接口電路3.7 霍爾傳感器的應(yīng)用3.8 一種對(duì)多個(gè)傳感器進(jìn)行調(diào)理的方法3.9 兩線(xiàn)制壓力變送器3.10 小信號(hào)雙線(xiàn)變送器XTR101的使用3.11 兩線(xiàn)長(zhǎng)距離頻率傳輸壓力變送器的設(shè)計(jì)3.12 測(cè)溫元件AD590及其應(yīng)用3.13 熱敏電阻應(yīng)用動(dòng)態(tài)3.14 一種組合式A/D、D/A轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)3.15 一種復(fù)合式A/D轉(zhuǎn)換器3.16 TLC549串行輸出ADC及其應(yīng)用3.17 提高A/D轉(zhuǎn)換精度的方法--雙通道A/D轉(zhuǎn)換3.18 模數(shù)轉(zhuǎn)換器ICL7135的0~3.9999V顯示3.19 微型光耦合器3.20 一種高精度的分壓器電路3.21 利用單片機(jī)軟件作熱電偶非線(xiàn)性補(bǔ)償3.22 三線(xiàn)制RTD測(cè)量電路及應(yīng)用中要注意的問(wèn)題3.23 微伏信號(hào)高精度檢測(cè)中極易被忽略的問(wèn)題3.24 寬范圍等分辨率精密測(cè)量法3.25 傳感器在線(xiàn)校準(zhǔn)系統(tǒng)3.26 一種高精度的熱敏電阻測(cè)溫電路3.27 超聲波專(zhuān)用集成電路LM1812的原理與應(yīng)用3.28 旋轉(zhuǎn)變壓器數(shù)字化檢測(cè)及其在8098單片機(jī)控制伺服系統(tǒng)中的應(yīng)用3.29 單片集成兩端式感溫電流源AD590在溫度測(cè)控系統(tǒng)中的應(yīng)用?3.30 數(shù)字示波器和單片機(jī)構(gòu)成的自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)3.31 霍爾效應(yīng)式功率測(cè)量研究 四、 控制系統(tǒng)與后向通道接口技術(shù)4.1 模糊邏輯與模糊控制(實(shí)用模糊控制講座之一)4.2 紅綠燈模糊控制器(實(shí)用模糊控制講座之二)4.3 國(guó)外模糊技術(shù)新產(chǎn)品4.4 交流串級(jí)調(diào)速雙環(huán)模糊PI單片機(jī)控制系統(tǒng)4.5 時(shí)序控制專(zhuān)用集成電路LT156及其應(yīng)用4.6 電池充電控制集成電路4.7 雙向晶閘管4.8 雙向可控硅的自觸發(fā)電路及其應(yīng)用4.9 微處理器晶閘管頻率自適應(yīng)觸發(fā)器4.10 F18系列晶閘管模塊介紹4.11 集成電路UAA4002的原理及應(yīng)用4.12 IGBT及其驅(qū)動(dòng)電路4.13 TWH8751應(yīng)用集錦4.14 結(jié)構(gòu)可變式計(jì)算機(jī)工業(yè)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)4.15 單片機(jī)控制的音響編輯器 五、 人機(jī)對(duì)話(huà)通道接口技術(shù)5.1 5×7點(diǎn)陣LED智能顯示器的應(yīng)用5.2 基于8031串行口的LED電子廣告牌5.3 點(diǎn)陣液晶顯示控制器與計(jì)算機(jī)的接口技術(shù)5.4 單片機(jī)控制可編程液晶顯示系統(tǒng)5.5 大規(guī)模語(yǔ)言集成電路應(yīng)用綜述5.6 最新可編程語(yǔ)言集成電路MSSIO61的應(yīng)用5.7 用PC打印機(jī)接口擴(kuò)展并行接口 六、 多機(jī)系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)與遙控技術(shù)6.1 用8098單片機(jī)構(gòu)成的分布式測(cè)溫系統(tǒng)6.2 平衡接口EIA?422和EIA485設(shè)計(jì)指南6.3 I2C BUS及其系統(tǒng)設(shè)計(jì)6.4 摩托羅拉可尋址異步接受/發(fā)送器6.5 用5V供電的RS232C接口芯片6.6 四通道紅外遙控器6.7 TA7333P和TA7657P的功能及應(yīng)用 七、 電源、電壓變換及電源監(jiān)視7.1 單片機(jī)控制的可控硅三相電源調(diào)壓穩(wěn)壓技術(shù)7.2 集成開(kāi)關(guān)電源控制器MC34063的原理及應(yīng)用7.3 LM299精密基準(zhǔn)電壓源7.4 集成過(guò)壓保護(hù)器的應(yīng)用7.5 3V供電的革命7.6 HMOS微機(jī)的超低電源電壓運(yùn)行技術(shù) 八、 可靠性與抗干擾設(shè)計(jì)8.1 淺談艦船電磁兼容與可靠性 九、 綜合應(yīng)用實(shí)例9.1 8098單片機(jī)交流電氣參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和應(yīng)用9.2 主軸回轉(zhuǎn)誤差補(bǔ)償控制器9.3 FWK?A型大功率發(fā)射臺(tái)微機(jī)控制系統(tǒng)9.4 高性能壓控振蕩型精密波形發(fā)生器ICL8038及應(yīng)用9.5 單片機(jī)COP 840C在洗碗機(jī)中的應(yīng)用

    標(biāo)簽: 單片機(jī) 應(yīng)用技術(shù)

    上傳時(shí)間: 2013-11-10

    上傳用戶(hù):lijinchuan

  • 51單片機(jī)c語(yǔ)言入門(mén)

    單片機(jī)的C 語(yǔ)言輕松入門(mén)隨著單片機(jī)開(kāi)發(fā)技術(shù)的不斷發(fā)展,目前已有越來(lái)越多的人從普遍使用匯編語(yǔ)言到逐漸使用高級(jí)語(yǔ)言開(kāi)發(fā),其中主要是以C 語(yǔ)言為主,市場(chǎng)上幾種常見(jiàn)的單片機(jī)均有其C 語(yǔ)言開(kāi)發(fā)環(huán)境。這里以最為流行的80C51 單片機(jī)為例來(lái)學(xué)習(xí)單片機(jī)的C 語(yǔ)言編程技術(shù)。本書(shū)共分六章,每章一個(gè)專(zhuān)題,以一些待完成的任務(wù)為中心,圍繞該任務(wù)介紹C 語(yǔ)言的一些知識(shí),每一個(gè)任務(wù)都是可以獨(dú)立完成的,每完成一個(gè)任務(wù),都能掌握一定的識(shí),等到所有的任務(wù)都完成后,即可以完成C 語(yǔ)言的入門(mén)工作。C 語(yǔ)言概述及其開(kāi)發(fā)環(huán)境的建立學(xué)習(xí)一種編程語(yǔ)言,最重要的是建立一個(gè)練習(xí)環(huán)境,邊學(xué)邊練才能學(xué)好。Keil 軟件是目前最流行開(kāi)發(fā)80C51 系列單片機(jī)的軟件,Keil 提供了包括C 編譯器、宏匯編、連接器、庫(kù)管理和一個(gè)功能強(qiáng)大的仿真調(diào)試器等在內(nèi)的完整開(kāi)發(fā)方案,通過(guò)一個(gè)集成開(kāi)發(fā)環(huán)境(μVision)將這些部份組合在一起。在學(xué)會(huì)使用匯編語(yǔ)言后,學(xué)習(xí)C 語(yǔ)言編程是一件比較容易的事,我們將通過(guò)一系列的實(shí)例介紹C 語(yǔ)言編程的方法。圖1-1 所示電路圖使用89S52 單片機(jī)作為主芯片,這種單片機(jī)性屬于80C51 系列,其內(nèi)部有8K 的FLASH ROM,可以反復(fù)擦寫(xiě),并有ISP 功能,支持在線(xiàn)下載,非常適于做實(shí)驗(yàn)。89S52 的P1 引腳上接8 個(gè)發(fā)光二極管,P3.2~P3.4 引腳上接4 個(gè)按鈕開(kāi)關(guān),我們的任務(wù)是讓接在P1 引腳上的發(fā)光二極管按要求發(fā)光。

    標(biāo)簽: 51單片機(jī) c語(yǔ)言

    上傳時(shí)間: 2013-11-04

    上傳用戶(hù):467368609

  • W波段寬帶倍頻器的設(shè)計(jì)與仿真

    本文介紹了一種由低次級(jí)聯(lián)形式構(gòu)成的W波段寬帶六倍頻器。輸入信號(hào)先經(jīng)過(guò)MMIC得到二倍頻,再由反向并聯(lián)二極管對(duì)平衡結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)寬帶三倍頻,從而將Ku波段信號(hào)六倍頻到W波段。該倍頻器的輸入端口為玻璃絕緣子同軸轉(zhuǎn)換接頭,輸出為 WR-10 標(biāo)準(zhǔn)矩形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。仿真結(jié)果表明當(dāng)輸入信號(hào)功率為20dBm時(shí),三倍頻器在整個(gè)W波段的輸出三次諧波功率為4.5dBm左右,變頻損耗小于17dB。該設(shè)計(jì)可以降低毫米波設(shè)備的主振頻率,擴(kuò)展已有微波信號(hào)源的工作頻段。

    標(biāo)簽: W波段 寬帶 倍頻器 仿真

    上傳時(shí)間: 2013-11-16

    上傳用戶(hù):qingzhuhu

  • J-link使用指南

    J-LINK仿真器詳細(xì)教程 flash下載操作等

    標(biāo)簽: J-link 使用指南

    上傳時(shí)間: 2013-11-14

    上傳用戶(hù):JamesB

  • 電子工程師DIY:六足機(jī)器昆蟲(chóng)制作全過(guò)程

      看到別人制作的機(jī)器人,你有沒(méi)有想過(guò)自己做也能作一個(gè)機(jī)器人出來(lái)呢? 只是想想可不行,跟我們一起動(dòng)起來(lái)吧!本文的六足機(jī)器昆蟲(chóng)就是用了廉價(jià)又好加工的PVC 材料來(lái)制作的。本文有詳細(xì)的制作過(guò)程記錄,同時(shí)給出了非常詳細(xì)的工具和材料獲得方式。DIY 黨人要速度圍觀(guān)。

    標(biāo)簽: DIY 電子工程師 六足機(jī)器昆蟲(chóng) 過(guò)程

    上傳時(shí)間: 2013-11-16

    上傳用戶(hù):xiaohanhaowei

  • DRAM內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)

    第二部分:DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存的比較..........................................................................143第二章 內(nèi)存模塊的疊層設(shè)計(jì).............................................................................145第三章 內(nèi)存模塊的時(shí)序要求.............................................................................1493.1 無(wú)緩沖(Unbuffered)內(nèi)存模塊的時(shí)序分析.......................................1493.2 帶寄存器(Registered)的內(nèi)存模塊時(shí)序分析...................................154第四章 內(nèi)存模塊信號(hào)設(shè)計(jì).................................................................................1594.1 時(shí)鐘信號(hào)的設(shè)計(jì).......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號(hào)的設(shè)計(jì)..............................................................................1624.3 地址和控制線(xiàn)的設(shè)計(jì)...............................................................................1634.4 數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)的設(shè)計(jì)...................................................................................1664.5 電源,參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內(nèi)存模塊的功耗計(jì)算.............................................................................172第六章 實(shí)際設(shè)計(jì)案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內(nèi)存模塊主要是這三種:SDR,DDR,RAMBUS。其中,RAMBUS內(nèi)存采用阻抗受控制的串行連接技術(shù),在這里我們將不做進(jìn)一步探討,本文所總結(jié)的內(nèi)存設(shè)計(jì)技術(shù)就是針對(duì)SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。現(xiàn)在我們來(lái)簡(jiǎn)單地比較一下SDR 和DDR,它們都被稱(chēng)為同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存,其核心技術(shù)是一樣的。只是DDR 在某些功能上進(jìn)行了改進(jìn),所以DDR 有時(shí)也被稱(chēng)為SDRAM II。DDR 的全稱(chēng)是Double Data Rate,也就是雙倍的數(shù)據(jù)傳輸率,但是其時(shí)鐘頻率沒(méi)有增加,只是在時(shí)鐘的上升和下降沿都可以用來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)操作。對(duì)于SDR 來(lái)說(shuō),市面上常見(jiàn)的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應(yīng)的DDR內(nèi)存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。

    標(biāo)簽: DRAM 內(nèi)存模塊 設(shè)計(jì)技術(shù)

    上傳時(shí)間: 2013-10-18

    上傳用戶(hù):宋桃子

  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程,分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來(lái),變壓器生產(chǎn)廠(chǎng)家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠(chǎng)家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門(mén)話(huà)題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡(jiǎn)稱(chēng)THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線(xiàn)性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法,專(zhuān)用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話(huà)設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線(xiàn)路放大器系統(tǒng),其非線(xiàn)性失真有很?chē)?yán)格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線(xiàn)圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí),所配用線(xiàn)圈應(yīng)用絲包銅電磁線(xiàn)SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線(xiàn)架上繞制 120 匝, (線(xiàn)架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作,其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很?chē)?yán),阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線(xiàn)性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線(xiàn)圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿(mǎn)足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠(chǎng),從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實(shí)現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時(shí)期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標(biāo)簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時(shí)間: 2013-12-15

    上傳用戶(hù):天空說(shuō)我在

  • IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別,圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱(chēng)原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀(guān),只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線(xiàn)連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線(xiàn)從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見(jiàn)的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線(xiàn),若以L(fǎng)ED二支接腳的極性來(lái)做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線(xiàn)連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱(chēng)為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱(chēng)為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線(xiàn)、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2013-11-04

    上傳用戶(hù):372825274

主站蜘蛛池模板: 边坝县| 抚顺县| 海伦市| 阳城县| 六安市| 新沂市| 大连市| 郸城县| 昌宁县| 凤庆县| 盈江县| 丁青县| 安阳市| 论坛| 隆子县| 成安县| 肇州县| 土默特右旗| 专栏| 鄂尔多斯市| 云和县| 鹰潭市| 南漳县| 绥化市| 新丰县| 昌宁县| 洛阳市| 左权县| 兴化市| 张家界市| 吐鲁番市| 肥城市| 克山县| 公安县| 香港| 丹巴县| 柳州市| 鄂温| 平阳县| 东莞市| 忻州市|