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全向天線(xiàn)

  • PADS快捷鍵(全)

    PADS快捷鍵(全)

    標(biāo)簽: PADS 快捷鍵

    上傳時(shí)間: 2015-01-02

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  • 5天學(xué)會(huì)protel99se的教程

    5天學(xué)會(huì)protel99se的教程

    標(biāo)簽: protel 99 se 教程

    上傳時(shí)間: 2014-06-18

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  • 基于FPGA的全數(shù)字鎖相環(huán)路的設(shè)計(jì)

    介紹了應(yīng)用VHDL技術(shù)設(shè)計(jì)嵌入式全數(shù)字鎖相環(huán)路的方法。詳細(xì)描述了其工作原理和設(shè)計(jì)思想,并用可編程邏輯器件FPGA加以實(shí)面。

    標(biāo)簽: FPGA 全數(shù)字 鎖相環(huán)路

    上傳時(shí)間: 2013-10-20

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  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過程,分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來,變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實(shí)用方法,專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測無心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時(shí),所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測磁心配對安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作,其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán),阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實(shí)現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時(shí)期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標(biāo)簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時(shí)間: 2013-12-15

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  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2013-11-04

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  • 三菱全系列PLC編程軟件GX V8

    三菱全系列PLC編程軟件GX V8

    標(biāo)簽: PLC V8 三菱 編程軟件

    上傳時(shí)間: 2013-10-23

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  • DS18B20測溫資料集全

    DS18B20測溫資料集全

    標(biāo)簽: 18B B20 DS 18

    上傳時(shí)間: 2013-11-16

    上傳用戶:chengxin

  • 超級(jí)全-電子元器件綜合基礎(chǔ)知識(shí)

    超級(jí)全-電子元器件綜合基礎(chǔ)知識(shí)

    標(biāo)簽: 超級(jí) 電子元器件 基礎(chǔ)知識(shí)

    上傳時(shí)間: 2013-11-06

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  • 貼片霍爾元件 低功耗霍爾開關(guān) 全極霍爾傳感器DH249

    DH249一款基于混合信號(hào)的全極性霍爾效應(yīng)傳感器。平均功耗45uA,它采用先進(jìn)的斬波穩(wěn)定技術(shù),提供精確、穩(wěn)定的磁性開關(guān)點(diǎn)。它由反向電壓保護(hù)器、電壓調(diào)整器,霍爾電壓發(fā)生器、信號(hào)放大器,史密特觸發(fā)器和集電及開路的輸出級(jí)組成。它是一種雙磁極工作的磁敏電路,適合于矩形或者柱形磁體下工作。工作溫度范圍可以在:-40~85度,  電壓電壓工作范圍:2.5~5.5V。 封裝形式:SIP3L(TO92S)。 產(chǎn)品特點(diǎn)  靈敏度高 抗應(yīng)力強(qiáng) 電壓范圍寬 可和各種邏輯電路直接接口典型應(yīng)用 高靈敏的無觸點(diǎn)開關(guān)  直流無刷電機(jī) 直流無刷風(fēng)機(jī)

    標(biāo)簽: 249 DH 貼片霍爾元件 低功耗

    上傳時(shí)間: 2013-10-12

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  • 低功耗霍爾開關(guān) 全極霍爾開關(guān) 低電壓霍爾開關(guān)DH471

    DH471一款基于混合信號(hào)的全極性霍爾效應(yīng)傳感器。平均功耗5uA,它采用先進(jìn)的斬波穩(wěn)定技術(shù),提供精確、穩(wěn)定的磁性開關(guān)點(diǎn)。它由反向電壓保護(hù)器、電壓調(diào)整器,霍爾電壓發(fā)生器、信號(hào)放大器,史密特觸發(fā)器和集電及開路的輸出級(jí)組成。它是一種雙磁極工作的磁敏電路,適合于矩形或者柱形磁體下工作。工作溫度范圍可以在:-40~85度,  電壓電壓工作范圍:2.5~5.5V。 封裝形式:SIP3L(TO92S)。 產(chǎn)品特點(diǎn)  靈敏度高 抗應(yīng)力強(qiáng) 電壓范圍寬 可和各種邏輯電路直接接口典型應(yīng)用 高靈敏的無觸點(diǎn)開關(guān)  直流無刷電機(jī) 直流無刷風(fēng)機(jī)

    標(biāo)簽: 霍爾開關(guān) 471 DH 低功耗

    上傳時(shí)間: 2013-10-10

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