亚洲欧美第一页_禁久久精品乱码_粉嫩av一区二区三区免费野_久草精品视频

蟲蟲首頁| 資源下載| 資源專輯| 精品軟件
登錄| 注冊

全光

  • 全橋逆變電路IGBT模塊的實用驅動設計.rar

    院介紹了全橋逆變電路的工作方式袁探討了隕鄖月栽的柵極特性及動態開關過程遙隕鄖月栽柵原射極和柵原 集極間的寄生電容與其他分布參數的綜合作用會對驅動波形產生不利影響遙柵極驅動電壓必須有足夠 快的上升和下降速度袁使隕鄖月栽盡快開通和關斷袁以減小開通和關斷損耗遙在 隕鄖月栽導通后袁驅動電壓 應保持在垣員緣 災左右袁保證隕鄖月栽處于飽和狀態曰在 隕鄖月栽關斷期間袁隕鄖月栽 的柵極需加反向偏置電壓袁 避免隕鄖月栽 的誤動作遙最后給出了針對全橋逆變電路 隕鄖月栽 模塊設計的分立元件驅動電路及其實驗 結果遙 關鍵詞院隕鄖月栽曰全橋逆變曰驅動電路

    標簽: IGBT 全橋 逆變電路

    上傳時間: 2013-05-20

    上傳用戶:cy1109

  • 基于DSP的全數字通信高頻開關電源的研究與設計.rar

    隨著電信業的迅猛發展,電信網絡總體規模不斷擴大,網絡結構日益復雜先進。作為通訊支撐系統的通訊用基礎電源系統,市場需求逐年增加,其動力之源的重要性也日益突出。龐大的電信網絡高效、安全、有序的正常運行,對通信電源系統的品質提出了越來越嚴格的要求,推動了通信電源向著高效率、高頻化、模塊化、數字化方向發展。 本文在廣泛了解通信電源的行業現狀和研究熱點的基礎上,深入研究了開關電源的基本原理及相關技術,重點分析了開關電源功率因數技術及移相全橋軟開關PWM技術的基本原理,并在這基礎上設計了一款通信機房常用的48V/25A的通信電源模塊,該電源模塊由功率因數校正和DC/DC變換兩級電路組成,采用了一些最新的技術來提高電源的性能。例如,在電路拓撲中引入軟開關技術,通過采用移相全橋軟開關PWM變換器實現開關管的零電壓開通,減小功率器件損耗,提高電源效率;采用高性能的DSP芯片對電源實現數字PWM控制,克服了一般單芯片控制器由于運行頻率有限,無法產生足夠高頻率和精度的PWM輸出及無法完成單周期控制的缺陷;引入了智能控制技術,以模糊自適應PID控制算法取代傳統的PID算法,提高了開關電源的動態性能。 整篇論文以電源設計為主線,在詳細分析電路原理的基礎上,進行系統的主電路參數設計、輔助電路設計、控制回路設計、仿真研究、軟件實現。

    標簽: DSP 全數字 通信

    上傳時間: 2013-05-26

    上傳用戶:l254587896

  • TI全系列sch元件庫(包括5402).rar

    TI公司全系列sch元件庫(包括5402)

    標簽: 5402 sch 元件庫

    上傳時間: 2013-07-04

    上傳用戶:jingfeng0192

  • 有機電致發光顯示器件新型封裝技術及材料的研究.rar

    有機發光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes,OLEDs)作為下一代顯示器倍受關注,它具有輕、薄、高亮度、快速響應、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優點,完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件,OLED的最大優越性是能夠與塑料晶體管技術相結合實現柔性顯示,應用前景非常誘人。OLED如此眾多的優點和廣闊的商業前景,吸引了全球眾多研究機構和企業參與其研發和產業化。然而,OLED也存在一些問題,特別是在發光機理、穩定性和壽命等方面還需要進一步的研究。要達到這些目標,除了器件的材料,結構設計外,封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現有的材料,從綠光OLED器件制作工藝、發光機理,結構和封裝入手,首先,探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴重影響著光刻質量和器件的最終性能;ITO表面經過氧等離子處理后其表面功函數增大,明顯提高了器件的發光亮度和發光效率。 其次,針對光刻、曝光工藝技術進行了一系列相關實驗,在光刻工藝中,光刻膠的厚度是影響光刻質量的一個重要因素,其厚度在1.2μm左右時,光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝,摸索出了最佳工藝參數。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結構為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm):C545T(2.1%摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝,實驗一中,在封裝玻璃的四周涂上UV膠,放入手套箱,在氮氣保護氣氛下用紫外冷光源照射1min進行一次封裝,然后取出OLED片,在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠,真空下用紫外冷光源照射1min,固化進行二次封裝。實驗二中,在各功能層蒸鍍完成后,又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層,然后再按實驗一的方法進行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發光光譜及壽命等特性進行了測試與討論。通過對比,研究發現增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長,其中,Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍,Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多,Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍,研究還發現薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標等光電性能。最后,分別對三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進行了研究。

    標簽: 機電 發光 顯示器件

    上傳時間: 2013-07-11

    上傳用戶:liuwei6419

  • 50V50A移相全橋ZVSDCDC變換器的設計.rar

    隨著通訊技術和電力系統的發展,對通訊用電源和電力操作電源的性能、重量、體積、效率和可靠性都提出了更高的要求。而應用于中大功率場合的全橋變換器與軟開關的結合解決了這一問題。因此,對其進行研究設計具有十分重要的意義。 首先,論文闡述PWM DC/DC變換器的軟開關技術,且根據移相控制PWM全橋變換器的主電路拓撲結構,選定適合于本論文的零電壓開關軟開關技術的電路拓撲,并對其基本工作原理進行闡述,同時給出ZVS軟開關的實現策略。 其次,對選定的主電路拓撲結構進行電路設計,給出主電路中各參量的設計及參數的計算方法,包括輸入、輸出整流橋及逆變橋的器件的選型,輸入整流濾波電路的參數設計、高頻變壓器及諧振電感的參數設計以及輸出整流濾波電路的參數設計。 然后,論述移相控制電路的形成,對移相控制芯片進行選擇,同時對移相控制芯片UC3875進行詳細的分析和設計。對主功率管MOSFET的驅動電路進行分析和設計。 最后,基于理論計算,對系統主電路進行仿真,研究其各部分設計的參數是否合乎實際電路。搭建移相控制ZV SDC/DC全橋變換器的實驗平臺,在系統實驗平臺上做了大量的實驗。 實驗結果表明,論文所設計的DC/DC變換器能很好的實現軟開關,提高效率,使輸出電壓得到穩定控制,最后通過調整移相控制電路,可實現直流輸出的寬范圍調整,具有很好的工程實用價值。

    標簽: ZVSDCDC 50V50A 移相全橋

    上傳時間: 2013-08-04

    上傳用戶:zklh8989

  • 全功能交通燈設計智能交通燈.rar

    全功能交通燈設計+智能交通燈 全功能交通燈設計+智能交通燈

    標簽: 交通燈 智能交通燈

    上傳時間: 2013-06-19

    上傳用戶:xg262122

  • 全數字超聲診斷系統部分核心算法的FPGA實現.rar

    60年代初,國際上首次將B超診斷儀應用于臨床診斷,40多年來B超診斷儀的發展極為迅速。隨著數字信號處理及計算機技術的發展,目前國際上先進水平的超聲診斷設備幾乎每一個環節都包含著數字信號處理的內容,研制全數字化的超聲診斷設備已成為發展趨勢。 @@ 基于FPGA及嵌入式操作系統的全數字超聲診斷系統具有技術含量高、便攜的特點,可用數字硬件電路來實現數據量極其龐大的超聲信息的實時處理。 @@ 本文從超聲診斷原理入手,在對超聲診斷系統中的幾個關鍵技術進行分析的基礎上,重點研究開發超聲診斷系統中數字信號處理部分的兩個核心算法。以FPGA芯片為載體,在Quartus Ⅱ平臺中采用Verilog HDL語言進行編程并仿真驗證,分別實現了數字FIR濾波器及CORDIC坐標變換兩個模塊的功能。另外,采用Verilog HDL語言對應用于圖像顯示模塊的SPI接口進行了編程設計,編譯下載至FPGA中,最終實現了與ARM A8的OMPG3530板之間高速串行數據的傳輸。 @@ 采用在單片FPGA芯片內實現數字式超聲診斷部分核心算法并與高性能ARMA8處理器相配合的數字信號處理解決方案,具有高速度、高精度、高集成度、便攜的特點,為全數字化便攜超聲診斷設備的研制打下了基礎。 @@關鍵詞:超聲診斷系統;FPGA;數字FIR濾波器;CORDIC算法;SPI總線

    標簽: FPGA 全數字 超聲診斷系統

    上傳時間: 2013-07-07

    上傳用戶:hxy200501

  • 最全的IC封裝代號及尺寸.rar

    最全的IC封裝代號及尺寸 幫助我們更快的找到藥封裝的器件

    標簽: IC封裝 代號 尺寸

    上傳時間: 2013-06-12

    上傳用戶:zyt

  • 很全的電子元器件基礎知識講義.rar

    電子技術基礎 很全的電子元器件基礎知識講義.rar

    標簽: 電子元器件 基礎知識 講義

    上傳時間: 2013-05-25

    上傳用戶:003030

  • FPGA內全數字延時鎖相環的設計.rar

    現場可編程門陣列(FPGA)的發展已經有二十多年,從最初的1200門發展到了目前數百萬門至上千萬門的單片FPGA芯片?,F在,FPGA已廣泛地應用于通信、消費類電子和車用電子類等領域,但國內市場基本上是國外品牌的天下。 在高密度FPGA中,芯片上時鐘分布質量變的越來越重要,時鐘延遲和時鐘偏差已成為影響系統性能的重要因素。目前,為了消除FPGA芯片內的時鐘延遲,減小時鐘偏差,主要有利用延時鎖相環(DLL)和鎖相環(PLL)兩種方法,而其各自又分為數字設計和模擬設計。雖然用模擬的方法實現的DLL所占用的芯片面積更小,輸出時鐘的精度更高,但從功耗、鎖定時間、設計難易程度以及可復用性等多方面考慮,我們更愿意采用數字的方法來實現。 本論文是以Xilinx公司Virtex-E系列FPGA為研究基礎,對全數字延時鎖相環(DLL)電路進行分析研究和設計,在此基礎上設計出具有自主知識產權的模塊電路。 本文作者在一年多的時間里,從對電路整體功能分析、邏輯電路設計、晶體管級電路設計和仿真以及最后對設計好的電路仿真分析、電路的優化等做了大量的工作,通過比較DLL與PLL、數字DLL與模擬DLL,深入的分析了全數字DLL模塊電路組成結構和工作原理,設計出了符合指標要求的全數字DLL模塊電路,為開發自我知識產權的FPGA奠定了堅實的基礎。 本文先簡要介紹FPGA及其時鐘管理技術的發展,然后深入分析對比了DLL和PLL兩種時鐘管理方法的優劣。接著詳細論述了DLL模塊及各部分電路的工作原理和電路的設計考慮,給出了全數字DLL整體架構設計。最后對DLL整體電路進行整體仿真分析,驗證電路功能,得出應用參數。在設計中,用Verilog-XL對部分電路進行數字仿真,Spectre對進行部分電路的模擬仿真,而電路的整體仿真工具是HSIM。 本設計采用TSMC0.18μmCMOS工藝庫建模,設計出的DLL工作頻率范圍從25MHz到400MHz,工作電壓為1.8V,工作溫度為-55℃~125℃,最大抖動時間為28ps,在輸入100MHz時鐘時的功耗為200MW,達到了國外同類產品的相應指標。最后完成了輸出電路設計,可以實現時鐘占空比調節,2倍頻,以及1.5、2、2.5、3、4、5、8、16時鐘分頻等時鐘頻率合成功能。

    標簽: FPGA 全數字 延時

    上傳時間: 2013-06-10

    上傳用戶:yd19890720

主站蜘蛛池模板: 天长市| 南宫市| 东海县| 厦门市| 桐城市| 兴化市| 苏尼特左旗| 抚顺市| 高雄县| 瓦房店市| 冷水江市| 错那县| 沽源县| 留坝县| 徐闻县| 秦安县| 永昌县| 十堰市| 北安市| 荥经县| 简阳市| 商南县| 南投县| 仙居县| 台湾省| 远安县| 常山县| 肥城市| 郴州市| 年辖:市辖区| 祁东县| 平凉市| 宜兰县| 花莲县| 紫金县| 调兵山市| 库车县| 伊金霍洛旗| 和林格尔县| 游戏| 贵港市|