PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-10-22
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共模干擾和差模干擾是電子、 電氣產(chǎn)品上重要的干擾之一，它們 可以對(duì)周圍產(chǎn)品的穩(wěn)定性產(chǎn)生嚴(yán)重 的影響。在對(duì)某些電子、電氣產(chǎn)品 進(jìn)行電磁兼容性設(shè)計(jì)和測(cè)試的過程 中，由于對(duì)各種電磁干擾采取的抑 制措施不當(dāng)而造成產(chǎn)品在進(jìn)行電磁 兼容檢測(cè)時(shí)部分測(cè)試項(xiàng)目超標(biāo)或通 不過EMC 測(cè)試，從而造成了大量人 力、財(cái)力的浪費(fèi)。為了掌握電磁干 擾抑制技術(shù)的一些特點(diǎn)，正確理解 一些概念是十分必要的。共模干擾 和差模干擾的概念就是這樣一種重 要概念。正確理解和區(qū)分共模和差 模干擾對(duì)于電子、電氣產(chǎn)品在設(shè)計(jì) 過程中采取相應(yīng)的抗干擾技術(shù)十分 重要，也有利于提高產(chǎn)品的電磁兼 容性。
上傳時(shí)間： 2014-01-16
上傳用戶：tdyoung
隨著高頻微波在日常生活上的廣泛應(yīng)用，例如行動(dòng)電話、無線個(gè)人計(jì)算機(jī)、無線網(wǎng)絡(luò)等，高頻電路的技術(shù)也日新月異。良好的高頻電路設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)與改善，則建立在于精確的組件模型的基礎(chǔ)上。被動(dòng)組件如電感、濾波器等的電路模型與電路制作的材料、制程有緊密的關(guān)系，而建立這些組件等效電路模型的方法稱為參數(shù)萃取。 早期的電感制作以金屬繞線為主要的材料與技術(shù)，而近年來，由于高頻與高速電路的應(yīng)用日益廣泛，加上電路設(shè)計(jì)趨向輕薄短小，電感制作的材質(zhì)與技術(shù)也不斷的進(jìn)步。例如射頻機(jī)體電路（RFIC）運(yùn)用硅材質(zhì)，微波集成電路則廣泛的運(yùn)用砷化鎵（GaAs）技術(shù)；此外，在低成本的無線通訊射頻應(yīng)用上，如混合（Hybrid）集成電路則運(yùn)用有機(jī)多芯片模塊（MCMs）結(jié)合傳統(tǒng)的玻璃基板制程，以及低溫共燒陶瓷（LTCC）技術(shù)，制作印刷式平面電感等，以提升組件的質(zhì)量與效能，并減少體積與成本。 本章的重點(diǎn)包涵探討電感的原理與專有名詞，以及以常見的電感結(jié)構(gòu)，并分析影響電感效能的主要因素與其電路模型，最后將以電感的模擬設(shè)計(jì)為例，說明電感參數(shù)的萃取。
標(biāo)簽： 被動(dòng)組件 電感 設(shè)計(jì)與分析
上傳時(shí)間： 2013-11-20
上傳用戶：yuanxiaoqiang
高速電路信號(hào)完整性分析之應(yīng)用篇
標(biāo)簽： 高速電路 信號(hào)完整性 分
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶：小寶愛考拉
Arduino 是一塊基于開放原始代碼的Simple i/o 平臺(tái)，并且具有使用類似java,C 語言的開發(fā)環(huán)境。讓您可以快速 使用Arduino 語言與Flash 或Processing…等軟件，作出互動(dòng)作品。Arduino 可以使用開發(fā)完成的電子元件例如Switch 或Sensors 或其他控制器、ＬＥＤ、步進(jìn)電機(jī)或其他輸出裝置。Arduino 也可以獨(dú)立運(yùn)作成為一個(gè)可以跟軟件溝通的平臺(tái)，例如說：flash processing Max/MSP VVVV 或其他互動(dòng)軟件… Arduino 開發(fā)ＩＤＥ界面基于開放原始碼原則，可以讓您免費(fèi)下載使用開發(fā)出更多令人驚奇的互動(dòng)作品。 什么是Roboduino? DFRduino 與Arduino 完全兼容，只是在原來的基礎(chǔ)上作了些改進(jìn)。Arduino 的IO 使用的孔座，做互動(dòng)作品需要面包板和針線搭配才能進(jìn)行，而DFRduino 的IO 使用針座，使用我們的杜邦線就可以直接把各種傳感器連接到DFRduino 上。 特色描述 1． 開放原始碼的電路圖設(shè)計(jì)，程式開發(fā)界面免費(fèi)下載，也可依需求自己修改!! 2． DFRduino 可使用ISP 下載線，自我將新的IC 程序燒入「bootloader」； 3． 可依據(jù)官方電路圖，簡(jiǎn)化DFRduino 模組，完成獨(dú)立云作的微處理控制器； 4． 可簡(jiǎn)單地與傳感器、各式各樣的電子元件連接(如：紅外線,超聲波,熱敏電阻,光敏電阻,伺服電機(jī)等)； 5． 支援多樣的互動(dòng)程式 如: Flash,Max/Msp,VVVV,PD,C,Processing 等； 6． 使用低價(jià)格的微處理控制器(ATMEGA168V-10PI)； 7． USB 接口，不需外接電源，另外有提供9VDC 輸入接口； 8． 應(yīng)用方面，利用DFRduino，突破以往只能使用滑鼠，鍵盤，CCD 等輸入的裝置的互動(dòng)內(nèi)容，可以更簡(jiǎn)單地達(dá)成單人或多人游戲互動(dòng)。 性能描述 1． Digital I/O 數(shù)字輸入/輸出端共 0~13。 2． Analog I/O 模擬輸入/輸出端共 0~5。 3． 支持USB 接口協(xié)議及供電(不需外接電源)。 4． 支持ISP 下載功能。 5． 支持單片機(jī)TX/RX 端子。 6． 支持USB TX/RX 端子。 7． 支持AREF 端子。 8． 支持六組PWM 端子(Pin11,Pin10,Pin9，Pin6,Pin5,Pin3)。 9． 輸入電壓：接上USB 時(shí)無須外部供電或外部5V~9V DC 輸入。 10．輸出電壓：5V DC 輸出和3.3V DC 輸出 和外部電源輸入。 11．采用Atmel Atmega168V-10PI 單片機(jī)。 12．DFRduino 大小尺寸：寬70mm X 高54mm。 Arduino開發(fā)板圖片
上傳時(shí)間： 2014-01-14
上傳用戶：909000580
隨著數(shù)字儀控系統(tǒng)在工業(yè)行業(yè)應(yīng)用的日益廣泛，效率及可靠性更高的開關(guān)電源在數(shù)字儀控系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用也越來越多。針對(duì)數(shù)字儀控系統(tǒng)工程中開關(guān)電源的典型應(yīng)用配電回路，在電源擴(kuò)容、電源冗余可靠性設(shè)計(jì)方面進(jìn)行分析描述，同時(shí)結(jié)合試驗(yàn)分析由此設(shè)計(jì)而產(chǎn)生的電源模塊均流問題對(duì)配電回路可靠性的影響。
標(biāo)簽： 冗余 開關(guān)電源 均流 分
上傳時(shí)間： 2013-10-14
上傳用戶：huyiming139
為研究功率型鋰離子電池性能，對(duì)某35 Ah功率型鋰離子電池單體進(jìn)行了充放電特性試驗(yàn)和分析，由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內(nèi)阻特性和溫升特性。研究結(jié)果表明，低溫下電池的充放電內(nèi)阻較大，充放電性能衰減顯著；常溫下電池的內(nèi)阻較小，充放電溫升較小，大電流充放電的容量穩(wěn)定性好，質(zhì)量比能量高，作為電傳動(dòng)車輛主要或輔助動(dòng)力源具有良好的應(yīng)用前景。
上傳時(shí)間： 2013-11-13
上傳用戶：清風(fēng)冷雨
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測(cè)試過電流和過電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動(dòng)態(tài)老化測(cè)試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會(huì)產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過程。
標(biāo)簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分
上傳時(shí)間： 2013-11-14
上傳用戶：dongqiangqiang
微弧氧化是一種新型的表面處理方法，利用該電路可輸出雙端不對(duì)稱的高壓脈沖，且脈沖幅值、頻率、占空比均在一定范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。本文首先介紹了微弧氧化電源技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，然后對(duì)試驗(yàn)中使用過的幾種IGBT驅(qū)動(dòng)模塊M57959、2ED300、2SD315 3種驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)、工作原理和使用性能做了詳細(xì)分析對(duì)比。實(shí)驗(yàn)表明，Eupec系列的2ED300驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可靠性高，適用于大功率微弧氧化電源的驅(qū)動(dòng)。
標(biāo)簽： 鎂合金 氧化 可靠性分析 電源驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間： 2014-01-21
上傳用戶：hahayou
電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對(duì)比分析了傳統(tǒng)LDO和無片電容LDO的零極點(diǎn)，運(yùn)用電流緩沖器頻率補(bǔ)償設(shè)計(jì)了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補(bǔ)償不僅可減小片上補(bǔ)償電容而且可以增加帶寬。對(duì)理論分析結(jié)果在Cadence平臺(tái)基上于CSMC0.5um工藝對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。本文無片外電容LDO的片上補(bǔ)償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時(shí)輸出電流從100 μA到100 mA變化時(shí)，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz
標(biāo)簽： LDO 無片外電容 穩(wěn)定性分析
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：wangjin2945
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