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元器件檢測(cè)

  • 51單片機(jī)C語言入門教程-19頁-0.2M.rar

    專輯類----單片機(jī)專輯 51單片機(jī)C語言入門教程-19頁-0.2M.rar

    標(biāo)簽: 0.2 19 51單片機(jī)C語言

    上傳時間: 2013-07-21

    上傳用戶:MATAIYES

  • uCOS單片機(jī)C源代碼.rar

    uCOS 單片機(jī)C源代碼 uCOS-II-V280是當(dāng)前UCosII最新版本源代碼

    標(biāo)簽: uCOS 單片機(jī) 源代碼

    上傳時間: 2013-05-26

    上傳用戶:清風(fēng)徐來吧

  • 電子元器件抗ESD技術(shù)講義.rar

    電子元器件抗ESD技術(shù)講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點 5 1.2 對靜電認(rèn)識的發(fā)展歷史 6 1.3 靜電的產(chǎn)生 6 1.3.1 摩擦產(chǎn)生靜電 7 1.3.2 感應(yīng)產(chǎn)生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢 8 1.3.5 影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設(shè)備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機(jī)器的放電模式(MM) 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機(jī)理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術(shù) 2.1 靜電防護(hù)的作用和意義 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業(yè)造成的損失很大 2.1.3 國內(nèi)外企業(yè)的狀況 2.2 靜電對電子產(chǎn)品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護(hù)的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術(shù)途徑 2.4 靜電防護(hù)材料 2.4.1 與靜電防護(hù)材料有關(guān)的基本概念 2.4.2 靜電防護(hù)材料的主要參數(shù) 2.5 靜電防護(hù)器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器(消電器、電中和器或離子平衡器) 2.6 靜電防護(hù)的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運送和存儲工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護(hù)的管理工作 第3章 抗靜電檢測及分析技術(shù) 3.1 抗靜電檢測的作用和意義 3.2 靜電放電的標(biāo)準(zhǔn)波形 3.3 抗ESD檢測標(biāo)準(zhǔn) 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度(ESDS)檢測及分類的常用標(biāo)準(zhǔn) 3.3.2 標(biāo)準(zhǔn)試驗方法的主要內(nèi)容(以MIL-STD-883E 方法3015.7為例) 3.4 實際ESD檢測的結(jié)果統(tǒng)計及分析 3.4.1 試驗條件 3.4.2 ESD評價試驗結(jié)果分析 3.5 關(guān)于ESD檢測中經(jīng)常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術(shù) 3.6.1 端口I-V特性檢測 3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術(shù) 3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7 小結(jié) 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設(shè)計技術(shù) 4.1 元器件抗ESD設(shè)計基礎(chǔ) 4.1.1抗ESD過電流熱失效設(shè)計基礎(chǔ) 4.1.2抗場感應(yīng)ESD失效設(shè)計基礎(chǔ) 4.2元器件基本抗ESD保護(hù)電路 4.2.1基本抗靜電保護(hù)電路 4.2.2對抗靜電保護(hù)電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護(hù)電路的考慮 4.2.4防靜電保護(hù)元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機(jī)理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設(shè)計策略 4.4.1 設(shè)計保護(hù)電路轉(zhuǎn)移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達(dá)到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路的設(shè)計 4.5.1 基本ESD保護(hù)電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路 4.5.3 ESD設(shè)計的輔助工具-TLP測試 4.5.4 CMOS電路ESD保護(hù)設(shè)計方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護(hù)電路示例 4.6 工藝控制和管理

    標(biāo)簽: ESD 電子元器件 講義

    上傳時間: 2013-07-13

    上傳用戶:2404

  • C語言程序設(shè)計_現(xiàn)代方法1.rar

    c語言程序設(shè)計現(xiàn)代方法附錄。包括c語言語法,c語言運算符,標(biāo)準(zhǔn)c與經(jīng)典c的比較,標(biāo)準(zhǔn)庫函數(shù),ASCII字符集

    標(biāo)簽: C語言 程序設(shè)計

    上傳時間: 2013-07-04

    上傳用戶:幾何公差

  • 用C語言寫的貪吃蛇游戲.rar

    這是用C語言寫的結(jié)合TC圖形庫寫出來的貪吃蛇,大家可以從中學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)~~~ 運行時別忘了修改初始化圖形的地址:initgraph(&driver,&mode,address); 比如說我的 address=D:\Win-TC\projects, 因為要有EGAVGA.BGI圖形文件支持才能正常運行

    標(biāo)簽: C語言 貪吃蛇

    上傳時間: 2013-06-10

    上傳用戶:zgu489

  • C語言庫函數(shù)使用大全.rar

    這是關(guān)于C語言函數(shù)庫大全的手冊,大家可以在忘記函數(shù)的情況下查閱該手冊,相信一定很實用~~

    標(biāo)簽: C語言 庫函數(shù)

    上傳時間: 2013-07-14

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  • c語言精華.rar

    適用于初學(xué)者,含C語言基礎(chǔ)知識詳解,常用源代碼精析等部分

    標(biāo)簽: c語言

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:hjkhjk

  • c語言宏定義技巧.rar

    寫好C語言,漂亮的宏定義很重要,使用宏定義可以防止出錯,提高可移植性,可讀性,方便性 等等。文中的C語言宏定義技巧對編程很有幫助!

    標(biāo)簽: c語言 宏定義

    上傳時間: 2013-08-05

    上傳用戶:JESS

  • C語言高效編程的幾招.rar

    編寫高效簡潔的C語言代碼,是許多軟件工程師追求的目標(biāo)。本文就工作中的一些體會和經(jīng)驗做相關(guān)的闡述,不對的地方請各位指教。

    標(biāo)簽: C語言 編程

    上傳時間: 2013-07-12

    上傳用戶:franktu

  • 開關(guān)電源中磁性元器件-175頁-6.3M.pdf

    專輯類-開關(guān)電源相關(guān)專輯-119冊-749M 開關(guān)電源中磁性元器件-175頁-6.3M.pdf

    標(biāo)簽: 175 6.3 開關(guān)電源

    上傳時間: 2013-04-24

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