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  • C++設(shè)計模式23種設(shè)計模式

    資源0.1 設(shè)計模式解析(總序0.2 設(shè)計模式解析后記0.3 與作者聯(lián)系1 創(chuàng)建型模式 1.1 Factory模式

    標(biāo)簽: 設(shè)計模式

    上傳時間: 2013-07-09

    上傳用戶:haoxiyizhong

  • STM32 PWM輸入模式

    在本站下載的一個文檔,講的是STM32的PWM輸入模式,并不是我想找的文檔,貢獻出來,對別人也許有用。

    標(biāo)簽: STM PWM 32 輸入

    上傳時間: 2013-07-13

    上傳用戶:咔樂塢

  • Spartan-3E 系列中的串行外設(shè)接口 (SPI) 配置模式

    本應(yīng)用指南講述 Spartan-3E 系列中的串行外設(shè)接口 (SPI) 配置模式。SPI 配置模式拓寬了SpartanTM-3E 設(shè)計人員可以使用的配置解決方案。SPI Flash 存儲器件引腳少、封裝外形小而且貨源廣泛。本指南討論用 SPI Flash 存儲器件配置 Spartan-3E FPGA 所需的連接

    標(biāo)簽: Spartan SPI 串行 外設(shè)接口

    上傳時間: 2013-08-08

    上傳用戶:helmos

  • 8051對FPGA的讀寫操作(FPGA和總線模式下的通信)

    主要實現(xiàn)FPGA和總線模式下的通信可以實現(xiàn)8051對FPGA的讀寫操作

    標(biāo)簽: FPGA 8051 讀寫操作 總線

    上傳時間: 2013-08-09

    上傳用戶:chendawei

  • 基于QUARTUSII軟件 實現(xiàn)FPGA(ATERA CYCLONE II系列)與SD卡SD模式通信源碼

    基于QUARTUSII軟件 實現(xiàn)FPGA(ATERA CYCLONE II系列)與SD卡SD模式通信\r\n所用語言位verilog HDL

    標(biāo)簽: QUARTUSII CYCLONE ATERA FPGA

    上傳時間: 2013-08-20

    上傳用戶:it男一枚

  • 并口epp模式下與fpga通信例子

    并口epp模式下與fpga通信例子,附源碼

    標(biāo)簽: fpga epp 并口 模式

    上傳時間: 2013-09-03

    上傳用戶:caiqinlin

  • 基于新型CCCII電流模式二階帶通濾波器設(shè)計

    針對傳統(tǒng)第二代電流傳輸器(CCII)電壓跟隨不理想的問題,提出了新型第二代電流傳輸器(CCCII)并通過采用新型第二代電流傳輸器(CCCII)構(gòu)成二階電流模式帶通濾波器,此濾波器只需使用2個電流傳輸器和2個電容即可完成設(shè)計。設(shè)計結(jié)構(gòu)簡單,其中心頻率可由電流傳輸器的偏置電流控制。利用HSpice軟件仿真分析并驗證了理論設(shè)計的準(zhǔn)確性和可行性。

    標(biāo)簽: CCCII 電流模式 二階 帶通濾波器設(shè)計

    上傳時間: 2013-11-15

    上傳用戶:jqy_china

  • 基于新型CCCII的電流模式積分電路

    介紹了廣泛應(yīng)用于各種電流模式電路的第二代電流控制電流傳輸器原件的跨導(dǎo)線性環(huán)特性和端口特性,以及其基本組成共源共柵電流鏡,并提出了基于共源共柵電流鏡的新型COMS電流傳輸器。在此基礎(chǔ)上,設(shè)計了基于電流控制電流傳輸器的電流模式積分電路,并利用Hspice軟件進行輸入為正弦波和方波時的輸出波形的仿真驗證。

    標(biāo)簽: CCCII 電流模式 積分電路

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:wtrl

  • 開關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

    結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài),論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式,并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因,也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別,從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后,結(jié)合實際應(yīng)用,論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。

    標(biāo)簽: MOSFET 開關(guān)電源 功率

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:dongqiangqiang

  • 降壓-升壓型控制器簡化手持式產(chǎn)品的DCDC轉(zhuǎn)換器設(shè)計

    對於輸出電壓處於輸入電壓範(fàn)圍之內(nèi) (這在鋰離子電池供電型應(yīng)用中是一種很常見的情形) 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計,可供采用的傳統(tǒng)解決方案雖有不少,但迄今為止都不能令人非常滿意

    標(biāo)簽: DCDC 降壓 升壓型 控制器

    上傳時間: 2013-11-19

    上傳用戶:urgdil

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