IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）絕緣柵雙極型品體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFEt高輸入阻抗和GT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGB綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。成為功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的主流，廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、光伏、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)等行業(yè)中。在電動(dòng)汽車行業(yè)中，電機(jī)控制器、輔助動(dòng)力系統(tǒng)，電動(dòng)空調(diào)中，IGBT有著廣泛的使用，大功率IGB多應(yīng)用于電機(jī)控制器中，由于電動(dòng)汽車電機(jī)控制器工作環(huán)境干擾比較大，IGBT的門極分布電容及實(shí)際開關(guān)中存在的米勒效應(yīng)等寄生參數(shù)的直接影響到驅(qū)動(dòng)電路的可靠性1電機(jī)控制器在使用過程中，在過流、短路和過壓的情況下要對(duì)1GBT實(shí)行比較完善的保護(hù)。過流會(huì)引起電機(jī)控制器的溫度上升，可通過溫度傳感器來進(jìn)行檢測(cè)，并由相應(yīng)的電路來實(shí)現(xiàn)保護(hù)；過壓一般發(fā)生在IGBT關(guān)斷時(shí)，較大的di/dt會(huì)在寄生電感上產(chǎn)生了較高的電壓，可通過采用緩沖電路來鉗制，或者適當(dāng)降低開關(guān)速率。短路故障發(fā)生后瞬時(shí)就會(huì)產(chǎn)生極大的電流，很快就會(huì)損壞1GBT，主控制板的過流保護(hù)根本來不及，必須由硬件電路控制驅(qū)動(dòng)電路瞬間加以保護(hù)。因此驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)過程中，保護(hù)功能設(shè)計(jì)得是否完善，對(duì)系統(tǒng)的安全運(yùn)行尤其重要。
標(biāo)簽：
新能源汽車
電機(jī)控制器
igbt
上傳時(shí)間：
2022-06-22
上傳用戶：XuVshu
