提出了一種基于相關(guān)分析的飛機(jī)目標(biāo)識(shí)別方法。該方法利用飛機(jī)圖像低頻和高頻部分合成濾波器模板，能達(dá)到很高識(shí)別率與很低的等錯(cuò)率。該研究旨在提高飛機(jī)識(shí)別的準(zhǔn)確率和降低出錯(cuò)率，采用一種基于相關(guān)分析的飛機(jī)目標(biāo)識(shí)別方法。該方法通過(guò)對(duì)采集的飛機(jī)圖像做去除背景、降噪、圖像增強(qiáng)、二值化和歸一化處理，將飛機(jī)圖像低頻和高頻部分合成濾波器模板，通過(guò)特征比對(duì)達(dá)到識(shí)別飛機(jī)的目的。利用Matlab 7.0做10種飛機(jī)的識(shí)別實(shí)驗(yàn)，得出了95.47%識(shí)別率和0.04%等錯(cuò)率的結(jié)論，識(shí)別率和等錯(cuò)率均優(yōu)于不變矩法、三維識(shí)別方法、基于小波分析和矩不變量的方法，印證了筆者提出的基于相關(guān)分析的飛機(jī)目標(biāo)識(shí)別方法的優(yōu)越性。在飛機(jī)圖像數(shù)據(jù)庫(kù)上的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該方法是可行的。
標(biāo)簽： 分 飛機(jī) 目標(biāo)識(shí)別
上傳時(shí)間： 2013-11-03
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本練習(xí)將通過(guò) PCB 布局，布線，信號(hào)完整性仿真分析，修改原理圖添加器件等一系列的操作，使您熟悉Mentor ISD2004 系列板級(jí)仿真設(shè)計(jì)工具。
標(biāo)簽： Expedtion Mentor PCB 信號(hào)完整性
上傳時(shí)間： 2013-11-06
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信號(hào)完整性分析
標(biāo)簽： 黑魔 信號(hào)完整性 分
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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PCB相關(guān)技術(shù)，信號(hào)完整性分析，EMI和熱設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： EMI 開(kāi)關(guān) 信號(hào)完整性 分
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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常用PCB基材性能分析
上傳時(shí)間： 2013-11-15
上傳用戶：冇尾飛鉈
PCB板常見(jiàn)按故障分析
上傳時(shí)間： 2013-11-23
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本文通過(guò)對(duì)微帶傳輸特性、常用板材性能參數(shù)進(jìn)行比較分析，給出用于無(wú)線通信模擬前端、高速數(shù)字信號(hào)等應(yīng)用中PCB板材選取方案，進(jìn)一步從線寬、過(guò)孔、線間串?dāng)_、屏蔽等方面總結(jié)高頻板PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)
上傳時(shí)間： 2013-11-10
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印刷電路板（PCB）設(shè)計(jì)解決方案市場(chǎng)和技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)Mentor Graphics（Mentor Graphics）宣布推出HyperLynx® PI（電源完整性）產(chǎn)品，滿足業(yè)內(nèi)高端設(shè)計(jì)者對(duì)于高性能電子產(chǎn)品的需求。HyperLynx PI產(chǎn)品不僅提供簡(jiǎn)單易學(xué)、操作便捷，又精確的分析，讓團(tuán)隊(duì)成員能夠設(shè)計(jì)可行的電源供應(yīng)系統(tǒng)；同時(shí)縮短設(shè)計(jì)周期，減少原型生成、重復(fù)制造，也相應(yīng)降低產(chǎn)品成本。隨著當(dāng)今各種高性能/高密度/高腳數(shù)集成電路的出現(xiàn)，傳輸系統(tǒng)的設(shè)計(jì)越來(lái)越需要工程師與布局設(shè)計(jì)人員的緊密合作，以確保能夠透過(guò)眾多PCB電源與接地結(jié)構(gòu)，為IC提供純凈、充足的電力。配合先前推出的HyperLynx信號(hào)完整性（SI）分析和確認(rèn)產(chǎn)品組件，Mentor Graphics目前為用戶提供的高性能電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)堪稱業(yè)內(nèi)最全面最具實(shí)用性的解決方案。“我們擁有非常高端的用戶，受到高性能集成電路多重電壓等級(jí)和電源要求的驅(qū)使，需要在一個(gè)單一的PCB中設(shè)計(jì)30余套電力供應(yīng)結(jié)構(gòu)。”Mentor Graphics副總裁兼系統(tǒng)設(shè)計(jì)事業(yè)部總經(jīng)理Henry Potts表示。“上述結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)需要快速而準(zhǔn) 確的直流壓降(DC Power Drop)和電源雜訊(Power Noise)分析。擁有了精確的分析信息，電源與接地層結(jié)構(gòu)和解藕電容數(shù)(de-coupling capacitor number)以及位置都可以決定，得以避免過(guò)于保守的設(shè)計(jì)和高昂的產(chǎn)品成本。”
上傳時(shí)間： 2013-11-18
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隨著系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜性和集成度的大規(guī)模提高，電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)師們正在從事100MHZ以上的電路設(shè)計(jì)，總線的工作頻率也已經(jīng)達(dá)到或者超過(guò)50MHZ，有一大部分甚至超過(guò)100MHZ。目前約80% 的設(shè)計(jì)的時(shí)鐘頻率超過(guò)50MHz，將近50% 以上的設(shè)計(jì)主頻超過(guò)120MHz，有20%甚至超過(guò)500M。當(dāng)系統(tǒng)工作在50MHz時(shí)，將產(chǎn)生傳輸線效應(yīng)和信號(hào)的完整性問(wèn)題；而當(dāng)系統(tǒng)時(shí)鐘達(dá)到120MHz時(shí)，除非使用高速電路設(shè)計(jì)知識(shí)，否則基于傳統(tǒng)方法設(shè)計(jì)的PCB將無(wú)法工作。因此，高速電路信號(hào)質(zhì)量仿真已經(jīng)成為電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)師必須采取的設(shè)計(jì)手段。只有通過(guò)高速電路仿真和先進(jìn)的物理設(shè)計(jì)軟件，才能實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)過(guò)程的可控性。傳輸線效應(yīng)基于上述定義的傳輸線模型，歸納起來(lái)，傳輸線會(huì)對(duì)整個(gè)電路設(shè)計(jì)帶來(lái)以下效應(yīng)。 · 反射信號(hào)Reflected signals · 延時(shí)和時(shí)序錯(cuò)誤Delay & Timing errors · 過(guò)沖(上沖/下沖)Overshoot/Undershoot · 串?dāng)_Induced Noise (or crosstalk) · 電磁輻射EMI radiation
標(biāo)簽： 高速電路 傳輸線 效應(yīng)分析
上傳時(shí)間： 2013-11-16
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第二部分：DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存的比較..........................................................................143第二章 內(nèi)存模塊的疊層設(shè)計(jì).............................................................................145第三章 內(nèi)存模塊的時(shí)序要求.............................................................................1493.1 無(wú)緩沖（Unbuffered）內(nèi)存模塊的時(shí)序分析.......................................1493.2 帶寄存器（Registered）的內(nèi)存模塊時(shí)序分析...................................154第四章 內(nèi)存模塊信號(hào)設(shè)計(jì).................................................................................1594.1 時(shí)鐘信號(hào)的設(shè)計(jì).......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號(hào)的設(shè)計(jì)..............................................................................1624.3 地址和控制線的設(shè)計(jì)...............................................................................1634.4 數(shù)據(jù)信號(hào)線的設(shè)計(jì)...................................................................................1664.5 電源，參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內(nèi)存模塊的功耗計(jì)算.............................................................................172第六章 實(shí)際設(shè)計(jì)案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內(nèi)存模塊主要是這三種：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS內(nèi)存采用阻抗受控制的串行連接技術(shù),在這里我們將不做進(jìn)一步探討，本文所總結(jié)的內(nèi)存設(shè)計(jì)技術(shù)就是針對(duì)SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。現(xiàn)在我們來(lái)簡(jiǎn)單地比較一下SDR 和DDR，它們都被稱為同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存，其核心技術(shù)是一樣的。只是DDR 在某些功能上進(jìn)行了改進(jìn)，所以DDR 有時(shí)也被稱為SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate，也就是雙倍的數(shù)據(jù)傳輸率，但是其時(shí)鐘頻率沒(méi)有增加，只是在時(shí)鐘的上升和下降沿都可以用來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)操作。對(duì)于SDR 來(lái)說(shuō),市面上常見(jiàn)的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應(yīng)的DDR內(nèi)存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
標(biāo)簽： DRAM 內(nèi)存模塊 設(shè)計(jì)技術(shù)
上傳時(shí)間： 2014-01-13
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