該文檔為各種功率半導(dǎo)體器件和IGBT電路符號(hào)總結(jié)文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
資源簡(jiǎn)介：該文檔為各種功率半導(dǎo)體器件和igbt電路符號(hào)總結(jié)文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時(shí)間： 2021-12-16
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資源簡(jiǎn)介：本書(shū)介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、 結(jié)構(gòu)、 特性和可靠性技術(shù)， 器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件， 包括二極管、 晶閘管、 MOSFET、 igbt和功率集成器件等。 此外， 還包含了制造工藝、 測(cè)試技術(shù)和損壞機(jī)理分析。 就其內(nèi)容的全...
上傳時(shí)間： 2021-11-07
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資源簡(jiǎn)介：該文檔為SiC功率半導(dǎo)體器件發(fā)展歷程、優(yōu)勢(shì)和發(fā)展前景概述文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時(shí)間： 2021-12-15
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資源簡(jiǎn)介：該文檔為SiC功率半導(dǎo)體器件發(fā)展歷程、優(yōu)勢(shì)和發(fā)展前景總結(jié)文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時(shí)間： 2022-02-14
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資源簡(jiǎn)介：該文檔為SiC功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢(shì)和發(fā)展前景(劉)(2015)總結(jié)文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時(shí)間： 2022-02-14
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資源簡(jiǎn)介：功率半導(dǎo)體器件與應(yīng)用，是一本很好的書(shū)籍。從事功率器件，igbt/MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)開(kāi)發(fā)工作，會(huì)有很大幫助。
上傳時(shí)間： 2022-01-31
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資源簡(jiǎn)介：最新功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-05-23
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資源簡(jiǎn)介：最新功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-07-09
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資源簡(jiǎn)介：專輯類-開(kāi)關(guān)電源相關(guān)專輯-119冊(cè)-749M 最新功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用技術(shù)-259頁(yè)-3.4M.pdf
上傳時(shí)間： 2013-06-07
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資源簡(jiǎn)介：專輯類-實(shí)用電子技術(shù)專輯-385冊(cè)-3.609G 最新功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用技術(shù)-259頁(yè)-3.4M.pdf
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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資源簡(jiǎn)介：功率開(kāi)關(guān)器件全橋電路設(shè)計(jì)，經(jīng)調(diào)試，絕對(duì)正確
上傳時(shí)間： 2017-05-30
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資源簡(jiǎn)介：實(shí)用電子技術(shù)專輯 385冊(cè) 3.609G最新功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用技術(shù) 259頁(yè) 3.4M.pdf
上傳時(shí)間： 2014-05-05
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資源簡(jiǎn)介：開(kāi)關(guān)電源相關(guān)專輯 119冊(cè) 749M最新功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用技術(shù) 259頁(yè) 3.4M.pdf
上傳時(shí)間： 2014-05-05
上傳用戶：時(shí)代將軍
資源簡(jiǎn)介：該文檔為寬禁帶功率半導(dǎo)體器件技術(shù)總結(jié)文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時(shí)間： 2021-12-08
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資源簡(jiǎn)介：該文檔為功率半導(dǎo)體器件芯片背面多層金屬層技術(shù)(精)概述文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時(shí)間： 2021-12-15
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資源簡(jiǎn)介：該文檔為SiC功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢(shì)及發(fā)展前景總結(jié)文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時(shí)間： 2021-12-18
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資源簡(jiǎn)介：該文檔為9bGaN功率半導(dǎo)體器件講解文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時(shí)間： 2022-01-27
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資源簡(jiǎn)介：該文檔為功率半導(dǎo)體器件的直接均流技術(shù)教程文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時(shí)間： 2022-02-19
上傳用戶：canderile
資源簡(jiǎn)介：該文檔為新型功率半導(dǎo)體器件—集成門極換向晶閘管講解文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時(shí)間： 2022-02-20
上傳用戶：kent
資源簡(jiǎn)介：該文檔為功率半導(dǎo)體器件物理與工藝研究講解文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時(shí)間： 2022-02-27
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資源簡(jiǎn)介：該文檔為功率半導(dǎo)體器件復(fù)習(xí)講解文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時(shí)間： 2022-02-27
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資源簡(jiǎn)介：功率半導(dǎo)體器件：理論及應(yīng)用,基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2022-05-04
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資源簡(jiǎn)介：該文檔為利用二極管V_F值與結(jié)溫的關(guān)系評(píng)估大功率半導(dǎo)體器件的固晶可靠性總結(jié)文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時(shí)間： 2021-11-29
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資源簡(jiǎn)介：MOSFET和igbt內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同, 決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同.1, 由于MOSFET的結(jié)構(gòu), 通常它可以做到電流很大, 可以到上KA,但是前提耐壓能力沒(méi)有igbt強(qiáng)。2,igbt 可以做很大功率, 電流和電壓都可以, 就是一點(diǎn)頻率不是太高, 目前igbt硬開(kāi)關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)...
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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資源簡(jiǎn)介：在大功率弧焊電源設(shè)計(jì)中，igbt 已成為主流的可控功率開(kāi)關(guān)器件。igbt 驅(qū)動(dòng)電路作為功率電路和控制電路之間的接口，應(yīng)具備驅(qū)動(dòng)延遲小、安全隔離、igbt 過(guò)電流／過(guò)電壓保護(hù)準(zhǔn)確等功能。針對(duì)新型高壓大功率igbt 驅(qū)動(dòng)模塊2ED300C17－S 的過(guò)電流檢測(cè)及保護(hù)功能進(jìn)行...
上傳時(shí)間： 2013-11-05
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資源簡(jiǎn)介：本文在分析了中大功率igbt特性、工作原理及其驅(qū)動(dòng)電路原理和要求的基礎(chǔ)上，對(duì)EXB841，M57962AL，2SD315A等幾種驅(qū)動(dòng)電路的工作特性進(jìn)行了比較。并針對(duì)用于輕合金表面防護(hù)處理的特種脈沖電源主功率開(kāi)關(guān)器件驅(qū)動(dòng)電路運(yùn)行中存在的問(wèn)題對(duì)驅(qū)動(dòng)電路提出了功能改進(jìn)和...
上傳時(shí)間： 2022-06-19
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資源簡(jiǎn)介：電力電子技術(shù)包括功率半導(dǎo)體器件與1C技術(shù)、功率變換技術(shù)及控制技術(shù)等幾個(gè)方面，其中電力電子器件是電力電子技術(shù)的重要基礎(chǔ)，也是電力電子技術(shù)發(fā)展的“龍頭"。從1958年美國(guó)通用電氣（GE）公司研制出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管開(kāi)始，電能的變換和控制從旋轉(zhuǎn)...
上傳時(shí)間： 2022-06-19
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資源簡(jiǎn)介：igbt在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用.igbt集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、控制電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優(yōu)點(diǎn)。但是，igbt和其它電力電子器件一樣，其...
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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資源簡(jiǎn)介：igbt（Insulated Gate Bipolar Transistor）絕緣柵雙極型品體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFEt高輸入阻抗和GT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGB綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小...
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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資源簡(jiǎn)介：GB／T 4728.05-2005 電氣簡(jiǎn)圖用圖形符號(hào) 第05部分：半導(dǎo)體管和電子管
上傳時(shí)間： 2013-07-22
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