jssc上優(yōu)秀文章，用CMOS建立的基準(zhǔn)電路
資源簡介：介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上，通過采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結(jié)果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓...
上傳時(shí)間： 2013-10-27
上傳用戶：thesk123
資源簡介：介紹一種高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證
上傳時(shí)間： 2013-10-08
上傳用戶：642778338
資源簡介：在傳統(tǒng)正溫度系數(shù)電流基礎(chǔ)上,增加兩種不同材料的電阻以實(shí)現(xiàn)帶隙基準(zhǔn)的二階溫度補(bǔ)償,采用具有反饋偏置的折疊共源共柵運(yùn)算放大器,使得所設(shè)計(jì)的帶隙基準(zhǔn)電路,具有較高的精度和溫度穩(wěn)定性。
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶：604759954
資源簡介：摘要：采用共源共柵運(yùn)算放大器作為驅(qū)動(dòng)，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比和低溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路，并在TSMC0.18Um CMOS工藝下，采用HSPICE進(jìn)行了仿真.仿真結(jié)果表明：在-25耀115益溫度范圍內(nèi)電路的溫漂系數(shù)為9.69伊10-6/益，電源抑制比達(dá)到-100dB，電源電壓...
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶：王成林。
資源簡介：電壓帶隙基準(zhǔn)一個(gè)在模擬電路中很重的一部分，本文論述了帶隙基準(zhǔn)的一個(gè)高階補(bǔ)償方法
上傳時(shí)間： 2014-01-02
上傳用戶：huql11633
資源簡介：一種基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2021-10-17
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資源簡介：高精度曲率校正帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)68頁
上傳時(shí)間： 2021-10-17
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資源簡介：jssc上優(yōu)秀文章，用CMOS建立的基準(zhǔn)電路
上傳時(shí)間： 2013-10-20
上傳用戶：fanboynet
資源簡介：根據(jù)汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制芯片的工作環(huán)境，針對常見的溫度失效問題，提出了一種應(yīng)用在發(fā)動(dòng)機(jī)控制芯片中的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。該電路采用0.18 μm CMOS工藝，采用電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)，具有適應(yīng)低電源電壓、電源抑制比高的特點(diǎn)。同時(shí)還提出一種使用不同溫度系...
上傳時(shí)間： 2014-01-09
上傳用戶：ecooo
資源簡介：基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比，同時(shí)可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個(gè)具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓，通過電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路...
上傳時(shí)間： 2014-12-03
上傳用戶：88mao
資源簡介：利用matlab計(jì)算三維光子晶體帶隙的fdtd算法
上傳時(shí)間： 2015-07-01
上傳用戶：zhyiroy
資源簡介：本程序是用matlab仿真軟件和解析法來計(jì)算光子晶體帶隙的
上傳時(shí)間： 2014-01-08
上傳用戶：離殤
資源簡介：本程序是用matlab仿真軟件和解析法來計(jì)算一維光子晶體帶隙的另一個(gè)程序
上傳時(shí)間： 2013-12-08
上傳用戶：sunjet
資源簡介：一組很好的FDTD計(jì)算二維光子帶隙的程序，matlab 7.0以上版本適用
上傳時(shí)間： 2013-12-22
上傳用戶：獨(dú)孤求源
資源簡介：采用有限元法計(jì)算半導(dǎo)體的帶隙結(jié)構(gòu)和波函數(shù)。
上傳時(shí)間： 2014-01-15
上傳用戶：Avoid98
資源簡介：平面波展開法計(jì)算正方形結(jié)構(gòu)光子晶體的帶隙的程序，二維，平面
上傳時(shí)間： 2014-11-27
上傳用戶：helmos
資源簡介：這是個(gè)光子晶體一維二維及三維帶隙，帶結(jié)構(gòu)或色散關(guān)系分析設(shè)計(jì)，很好用
上傳時(shí)間： 2013-12-27
上傳用戶：2525775
資源簡介：詳細(xì)介紹了聲子晶體的帶隙計(jì)算和傳輸特性，包含聲子晶體的計(jì)算源程序。內(nèi)有文件注釋。
上傳時(shí)間： 2016-05-02
上傳用戶：曹云鵬
資源簡介：計(jì)算二維光子晶體帶隙的源程序，用時(shí)域有限差分方法，對研究光子晶體的同行很有幫助阿
上傳時(shí)間： 2014-01-07
上傳用戶：libenshu01
資源簡介：用傳輸矩陣的方法來計(jì)算光子晶體帶隙，matlab文件
上傳時(shí)間： 2016-07-08
上傳用戶：杜瑩12345
資源簡介：計(jì)算彈性波帶隙結(jié)構(gòu)，主要針對二維的彈性波計(jì)算z方向的帶系結(jié)構(gòu)
上傳時(shí)間： 2013-12-20
上傳用戶：tianyi223
資源簡介：fdtd計(jì)算二維光子晶體帶隙，程序較長，用起來還可以
上傳時(shí)間： 2016-10-29
上傳用戶：BIBI
資源簡介：本程序可計(jì)算二維光子晶體的帶隙，并得出帶隙圖，和帶隙位置及寬度
上傳時(shí)間： 2014-01-19
上傳用戶：阿四AIR
資源簡介：可以得出二維正方形格子直角缺陷光子晶體的帶隙
上傳時(shí)間： 2013-12-07
上傳用戶：924484786
資源簡介：負(fù)折射率光子晶體的帶隙計(jì)算程序請大家參考
上傳時(shí)間： 2013-12-03
上傳用戶：yy541071797
資源簡介：近年來，隨著集成電路技術(shù)和電源管理技術(shù)的發(fā)展，低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）受到了普遍的關(guān)注，被廣泛應(yīng)用于便攜式電子產(chǎn)品如PDA、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、無線電話與通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備和測試儀器等中，但國內(nèi)研究起步晚，市場大部分被國外產(chǎn)品占有，因此，開展...
上傳時(shí)間： 2013-07-08
上傳用戶：Wibbly
資源簡介：Sigma-Delta A/D轉(zhuǎn)換器利用過采樣，噪聲整形和數(shù)字濾波技術(shù)，有效衰減了輸出信號帶內(nèi)的量化噪聲，提高了信噪比。與傳統(tǒng)的Nyquist轉(zhuǎn)換器相比，它降低了對模擬電路性能指標(biāo)和元件精度的要求，簡化了模擬電路的設(shè)計(jì)，降低了生產(chǎn)成本。 本論文在對Sigma-Delta A/D...
上傳時(shí)間： 2013-06-27
上傳用戶：songyuncen
資源簡介：近年來，隨著集成電路工藝技術(shù)的進(jìn)步，電子系統(tǒng)的構(gòu)成發(fā)生了兩個(gè)重要的變化： 一個(gè)是數(shù)字信號處理和數(shù)字電路成為系統(tǒng)的核心，一個(gè)是整個(gè)電子系統(tǒng)可以集成在一個(gè)芯片上（稱為片上系統(tǒng))。這些變化改變了模擬電路在電子系統(tǒng)中的作用，并且影響著模擬集成電路的發(fā)...
上傳時(shí)間： 2013-11-13
上傳用戶：chengxin
資源簡介：模擬集成電路的設(shè)計(jì)與其說是一門技術(shù)，還不如說是一門藝術(shù)。它比數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)需要更嚴(yán)格的分析和更豐富的直覺。嚴(yán)謹(jǐn)堅(jiān)實(shí)的理論無疑是嚴(yán)格分析能力的基石，而設(shè)計(jì)者的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)無疑是誕生豐富直覺的源泉。這也正足初學(xué)者對學(xué)習(xí)模擬集成電路設(shè)計(jì)感到困惑并難...
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：杜瑩12345
資源簡介：MC34063是一單片雙極型線性集成電路，專用于直流-直流變換器控制部分。片內(nèi)包含有溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)源、一個(gè)占空比周期控制振蕩器、驅(qū)動(dòng)器和大電流輸出開關(guān)，能輸出1.5A的開關(guān)電流。它能使用最少的外接元件構(gòu)成開關(guān)式升壓變換器、降壓式變換器和電源反向器。
上傳時(shí)間： 2017-05-27
上傳用戶：kr770906
